【課題】金属・ダイヤモンド複合体にその本来の熱伝導率に近い熱伝導率を発揮させることを可能にするヒートシンクを提供する。
【解決手段】このヒートシンク１１は、デバイスを搭載するための搭載面１１ａを有しており該ベース１３の主面１３ａに設けられた金属領域１５を備える。この主面１３ａには、ダイヤモンド粒子１７による突起２３ａ〜２３ｃと突起２３ａ〜２３ｃの間に位置する窪み２５ａ〜２５ｄとを含むけれども、半田材と異なり該半田材より高い融点の金属からなる金属領域１５は窪み２５ａ〜２５ｄを埋めて、搭載面１１ａは突起２３ａ〜２３ｃ及び窪み２５ａ〜２５ｄによって構成されるラフネスより小さいラフネスに再構成される。これ故に、デバイスの実装面とヒートシンク１１の表面１１ａとの実効的な接触面積を、デバイスの実装面の面積に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性を更に高めること。さらに、アセンブリ時のシート厚の調整を容易に行えるとともに、コストの低減に寄与すること。
【解決手段】熱伝導シート１０は、第１の金属材１２と第２の金属材１６とがシート状に複合成形されている。第１の金属材１０はインジウムのシートであり、第２の金属材１６は、インジウムよりも高い熱伝導性及び高い融点を有する金属の粒粉である。この金属の粒粉１６は、インジウムのシート１２中に包含されている。金属の粒粉１６は、例えば、その表面に金層１５が被着された銅粒粉１４である。 （もっと読む）

【課題】放熱性が良好で、かつ小型で薄型のパッケージ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０の開口１１６に、電子デバイス１２０が配置され、接着剤層１３０上のパターン化金属層１４０が基板１１０の下表面１１３上にラミネートされるとともに、電子デバイス１２０の底表面１２４を露出させる。露出された底表面１２４上に散熱コラム１５０が形成され、第１ラミネート構造１６０が基板１１０の上表面１１１および電子デバイス１２０の頂表面１２２を被覆し、第２ラミネート構造１７０が散熱コラム１５０ならびにパターン化金属層１４０を被覆する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを回路用金属板として用い、絶縁層としてアルミナ層を備えても、アルミナ層にクラックを生じることない、放熱性及び製造性に優れ、かつ安価な金属ベース基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板１を準備し、ベース板１の全面に陽極酸化処理及び封孔処理を実施してアルミナ層２を形成した後、ベース板１の一方の面のアルミナ層２を研磨により除去して電子部品搭載部を形成する。 （もっと読む）

【課題】設置対象に効率よく放熱できる複合部材、この複合部材を用いた放熱部材、この放熱部材を具える半導体装置を提供する。
【解決手段】複合部材1aは、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板2と、基板2の表面に形成された金属被覆層3,4とを具え、一面に半導体素子などが実装され、他面が冷却装置などの設置対象に固定されて、半導体素子の放熱部材として利用される。複合部材1aは、冷却側面及び素子側面の少なくとも一面が反った形状である。冷却側面の反りを押し潰すように複合部材1aを設置対象に固定する。この押圧力により、複合部材1aを設置対象に密着できる。従って、複合部材1aは、半導体素子などの熱を設置対象に効率よく放出でき、半導体装置の放熱部材に好適に利用できる。 （もっと読む）

【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品６に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品６が配設される基板５上に接着剤４を介して接合される接合面３を備えた放熱装置１において、接合面３は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が０．５〜１．０μｍのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板、ダイヤモンド基板等の無機系材料の放熱材料は硬度が高く難加工性であり、グラファイトフィルム、カーボンナノチューブ等の炭素系材料は放熱性が低かった。
【解決手段】グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの凹凸構造を加工する（ステップ３０１）。さらに、その表面に表面保護層を形成する（ステップ３０２） （もっと読む）

【課題】
高熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面のめっき性及び表面粗さを改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子とアルミニウムを主成分とする金属とを含む平板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合体であって、ダイヤモンド粒子の含有量が、４０〜７０体積％であり、両側表面に厚さ０．０１〜０．３ｍｍのアルミニウムを主成分とする表面層３ａ、３ｂを有し、複合体の少なくとも１方の表面に直線状または断続的な欠陥を導入後、表面に、厚さ０．５〜１５μｍのＮｉめっき層又はＮｉ＋Ａｕの二層のめっき層を設け、更に欠陥に沿って割断して、側面の一部が複合化部２が露出する構造であるアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】金属ブロックと半導体素子とのはんだ付け性及び金属ブロックと樹脂との密着性を確保すると共に、製造コストの上昇を抑えた半導体モジュール、及びその製造方法等を提供すること。
【解決手段】本半導体モジュールは、金属ブロックと、前記金属ブロックの一方の面に設けられた半導体素子設置領域にはんだ層を介して設置された半導体素子と、前記金属ブロック及び前記半導体素子に樹脂をモールドして形成されるモールド部と、を有し、前記金属ブロックの一方の面は、めっき領域と、粗化領域と、を含み、前記半導体素子設置領域は、前記めっき領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が発する熱を拡散させるため、絶縁基板の回路パターンを厚くすると、エッチングに時間を要するうえ、加工精度が良くなかった。少ない工数で製造が可能で安価かつ放熱性に優れた絶縁基板を提供する。
【解決手段】絶縁層上に形成された回路パターン上に、はんだシートを介して金属ブロックを載置し、あるいは、予め金属ブロックをはんだ接合し、この金属ブロックの上面および側面を覆い、金属材料を直接積層した上積み回路パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】金属ワイヤの不良を低減することができる半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】接続端子４を有する基板２と、基板２上に配置された半導体素子３と、半導体素子３と接続端子４とを接続する金属ワイヤ５と、半導体素子３および金属ワイヤ５を封止する封止樹脂９とを備える。封止樹脂９の表面に配置された放熱用金属板１０を備え、放熱用金属板１０は、半導体素子３と相対する位置に凸部１２を有する。 （もっと読む）

【課題】多孔性構造の酸化絶縁層を含んで放熱性が向上され、酸化絶縁層にエンベッドされた回路層を含んで微細パターンの形成が可能である放熱基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の放熱基板１００は、金属コア層１０、金属コア層１０の一面または両面に形成されて、金属コア層１０に接触するバリア層及び直径が異なる第１ポアと第２ポアを含んでバリア層に連結された多孔性層で構成された第１絶縁層２０、第１絶縁層２０にエンベッドされ、多孔性層の第２ポアに充填されて第２ポアの側面で連結された第１回路層３０、及び第１絶縁層２０の多孔性層上に形成された第２絶縁層４０を含む。また、本発明の放熱基板１００は、第１回路層３０が第２ポアの一部を充填して、第２絶縁層４０が第１絶縁層２０と平坦面を成すように第２ポアに充填されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁性および放熱性のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁基板およびその製造方法ならびにそれを用いた発光素子の提供。
【解決手段】金属基板３３と、前記金属基板の表面に設けられる絶縁層３２とを有する絶縁基板であって、前記金属基板が、バルブ金属基板であり、前記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、前記陽極酸化皮膜の空隙率が、３０％以下である絶縁基板。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一面に、アルミニウムからなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、本体層１２Ｂと、前記一方の面側に露呈するように配置された表面硬化層１２Ａと、を有しており、回路層１２の前記一方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、このインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上の領域が表面硬化層１２Ａとされており、本体層１２Ｂのインデンテーション硬度Ｈｂが、前記インデンテーション硬度Ｈｓの８０％未満とされている。 （もっと読む）

【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第１の金属層は銅を含む第２の金属層の第１の表面上に設置され、タングステンを含む第３の金属層は第２の金属層の第１の表面とは反対側の第２の表面上に設置されており、第１の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第１の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第３の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第２の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】導電性重合体浸潤シートに残留塩素が存在せず、かつ、発熱デバイスが発生する熱を効率よく放散することが可能であるという熱的特性を有する。
【解決手段】酸化剤である芳香族スルホン酸第2鉄を用いて重合された含硫黄π共役系導電性重合体が浸潤された含硫黄π共役系導電性重合体浸潤シート18の主面18a及び裏面18bの双方又はいずれか一方の面に金属層16又は20が密着された構成の放熱シートである。含硫黄π共役系導電性重合体浸潤シートは、芳香族スルホン酸第2鉄を第1溶媒で希釈した溶液に浸潤させた後、含硫黄π共役系導電性重合体形成物質を第2溶媒で希釈した溶液に浸潤し重合反応させて製造する。 （もっと読む）

【課題】発熱体の熱を所定方向に向けて高速に輸送できる熱輸送ユニットを提供する。
【解決手段】本発明の熱輸送ユニット（１）は、上部板(２)と、上部板（２）と対向する下部板（３）と、上部板（２）と下部板（３）とによって形成され、冷媒を封入可能な内部空間（４）と、内部空間（４）に含まれ、気化した冷媒が拡散する蒸気拡散空間（５）と、内部空間（４）に含まれ、凝縮した冷媒が還流する冷媒還流空間（６）と、蒸気拡散空間（５）を拡散する気化した冷媒と、冷媒還流空間（６）を還流する凝縮した冷媒と、の干渉を防止する干渉防止板（７）と、を備え、干渉防止板（７）は、蒸気拡散空間（５）で凝縮した冷媒を、冷媒還流空間（６）に移動させる複数の細孔（８）を有し、細孔における蒸気拡散空間（５）側の開口面積は、冷媒還流空間（６）側における開口面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの冷却効果を向上させ、半導体集積回路の動作の安定性を向上させることが可能な半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】集積回路を形成した半導体基板１に、ビアホール２を形成し、ビアホール２に熱伝導性を有する金属３を埋め込み、埋め込んだ金属３に接触するように、半導体基板１の表裏両面に金属４，５を取り付け、取り付けた金属４，５を、パッケージ６やリッド７に接触させる構造とすることにより、半導体基板１上の集積回路の近傍を直接冷却することを可能とする。金属３，４，５の代わりに、冷却効果が大きな材料例えば炭素や樹脂を用いるようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて放熱性及び信頼性の向上が図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１を実装した金属部材３に絶縁シート２を介して金属シート５を設け、上記金属シートを一側面に露出させて上記半導体素子及び上記金属部材を樹脂封止して作製された半導体モジュール２０と、上記金属シートに、はんだ７０を介して接合され、上記半導体素子が発する熱を放散させる冷却装置６０とを有する半導体装置１０１において、上記金属シートは、上記はんだが接合される接合領域５２と、上記接合領域の周囲に位置し上記はんだが接触せずはんだ付けされない非接合領域５３とを有する。 （もっと読む）