【課題】
金属マトリックス中に金属被覆ダイヤモンド粒子を含有してなる複合ヒートシンク材において、熱伝導性の改良されたヒートシンク材を提供すること。
【解決手段】
本発明のヒートシンク材は次の各工程を経て製造される：
1. 整粒されたダイヤモンド粒子の全表面に、パイロゾル法によって金属炭化物層を形成することによって被覆ダイヤモンド粒子を得る工程、
2. 前記被覆ダイヤモンド粒子とマトリックス金属材の粉末とを密に混合して混合粉とし、焼結反応容器内に充填する工程、
3. 前記混合粉を還元性雰囲気中で加熱することによって酸素を除去する工程
4. 前記反応容器をマトリックス金属材の融点以上の加熱温度及び100ＭＰa以上の焼結圧力に供し、該金属材を溶融して被覆ダイヤモンド粒子間の空隙に流入・充填し、金属炭化物層を介してダイヤモンド粒子及び金属材を一体化させる工程。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１は、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターン２２１と、基板２１の他方の面側に設けられ、第１導体パターン２２１と電気的に接続された第２導体パターン２２４とを備える配線基板２と、基板２１の一方の面に接合され、第１導体パターン２２１に電気的に接続される半導体素子３と、配線基板２に接合され、配線基板２よりも熱膨張係数の小さい金属製の補強部材４、５と、補強部材４の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６１と、補強部材５の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属・ダイヤモンド複合体にその本来の熱伝導率に近い熱伝導率を発揮させることを可能にするヒートシンクを提供する。
【解決手段】このヒートシンク１１は、デバイスを搭載するための搭載面１１ａを有しており該ベース１３の主面１３ａに設けられた金属領域１５を備える。この主面１３ａには、ダイヤモンド粒子１７による突起２３ａ〜２３ｃと突起２３ａ〜２３ｃの間に位置する窪み２５ａ〜２５ｄとを含むけれども、半田材と異なり該半田材より高い融点の金属からなる金属領域１５は窪み２５ａ〜２５ｄを埋めて、搭載面１１ａは突起２３ａ〜２３ｃ及び窪み２５ａ〜２５ｄによって構成されるラフネスより小さいラフネスに再構成される。これ故に、デバイスの実装面とヒートシンク１１の表面１１ａとの実効的な接触面積を、デバイスの実装面の面積に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】冷却水の流れ圧力損失を最小化するとともに、放熱効果を増大できるだけでなく、発熱部の全体面積の温度偏差を最小化することができるヒートシンクを提供する。
【解決手段】本発明のヒートシンク１００は、冷却水の流入部分に連結され、第１フィン１０１が多数個配列された第１領域と、冷却水の排出部分に連結され、第１フィン１０１より表面積が大きい第２フィン１０３が多数個配列された第２領域とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】一方の面に回路用の金属層が形成され、他方の面に放熱用フィンが形成されてなる放熱用フィン付き回路基板の製造で、製造効率を低下させることなく、薄く、高く、微小ピッチで放熱性に優れたフィンを有する、同回路基板を製造できるようにする。
【解決手段】セラミック基板１０の表裏両面に、アルミニウム板２１を接合して金属層を形成する。その後、回路用の金属層ではない方の金属層であるアルミニウム板２１の表面に、放熱用フィン形成用の金属部位４０を、コールドスプレーによって追加的に肉盛加工する。その後、この金属部位４０に、切り起こし法によってフィン４１を形成する。従来のように、フィンが別途製造された部品を、後でロウ付けするのでなく、一体形成された金属部位４０を切起こしてフィンを形成するものであるから、フィンに座屈等の変形を生じさせることなく、薄く、微小ピッチのフィン付きの回路基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導性及び高電気絶縁性の材料を提供すること。
【解決手段】銅からなるコア粒子中に炭化ケイ素微粒子が含有されてなる複合銅粒子から構成される複合銅粉である。熱伝導率が２５℃・１気圧において１０Ｗ／ｍＫ以上であり、体積抵抗率が２５℃・１００ｆ／ｋｇにおいて１×１０⁵Ωｃｍ以上である。複合銅粒子においては、炭化ケイ素微粒子が、その表面の一部を露出してコア粒子の表面に包埋されていることが好適である。 （もっと読む）

【課題】耐折曲強度を向上すると共に、簡単に種々の形状に加工しながら、熱伝導率を高くし、また振動に対する強度を向上する放熱シートの製造方法を提供する。
【解決手段】繊維と熱伝導粉末とを水に懸濁して抄紙用スラリーとし、この抄紙用スラリーを湿式抄紙してシート状とする。また、抄紙用スラリーに、叩解して表面に無数の微細繊維を設けてなる叩解パルプと、叩解されない非叩解繊維とを懸濁し、この叩解パルプと非叩解繊維とでもって、抄紙用スラリーに懸濁してなる熱伝導粉末を繊維に結合してシート状に抄紙し、抄紙して得られる抄紙シートを熱プレスする。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率の相違に起因して応力（熱応力）が発生し、異種材間の接続層など、機械強度に劣る部分にその応力が集中し、半導体モジュールが損傷するのを防止するために、熱応力の発生を抑制しつつ電子部品の熱を放熱させる。
【解決手段】電子部品用放熱器１００は、冷却媒体を流通させるための気孔を有する第１のセラミックス層１０と、第１のセラミックス層１０に積層され、電子部品２００が載置される載置面を有する第２のセラミックス層２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたＣＳＰ構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起３が形成された部分であるアウターリードとしての２つの厚肉部２Ａ、及び２つの厚肉部２Ａの間のインナーリードとしての薄肉部２Ｂを有するリードフレーム５Ａと、ボンディングワイヤ１２を介して薄肉部２Ｂに電気的に接続される半導体チップ１１と、リードフレーム５Ａ及び半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ１４と、を含み、リードフレーム５Ａの上面及び下面の樹脂パッケージ１４に接触する部分に、突起３に平行な線状の微小溝４Ａ、４Ｂが形成され、微小溝４Ａ、４Ｂの深さは前記突起の高さよりも小さく、２つの厚肉部２Ａの一部が樹脂パッケージ１４の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワーモジュールパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のパワーモジュールパッケージ１００は、メタル材質からなるベース基板１１０と、ベース基板１１０の内部に冷却物質が流れるように形成された冷却チャンネル２００と、ベース基板１１０の外面に形成された陽極酸化層１２０と、陽極酸化層１２０を有するベース基板１１０の第１の面に形成された回路及び接続パッドを含むメタル層１３０と、メタル層１３０上に実装された半導体素子１４０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路層の一方の面に半導体素子が確実に接合され、熱サイクル及びパワーサイクル信頼性に優れたパワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２上に搭載される半導体素子３と、を備えたパワーモジュール１であって、回路層１２の一方の面には、ガラス成分を含有するガラス含有Ａｇペーストの焼成体からなる第１焼成層３１が形成されており、この第１焼成層３１の上に、酸化銀が還元されたＡｇの焼成体からなる第２焼成層３８が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属ーセラミック基板と金属体との接合方法に関する。
【解決手段】少なくとも１つの面上にメタライゼーション１，４を有する金属−セラミック基板を、金属合金４によって金属体５に接合する方法であって、（ａ）厚みが１ｍｍ未満である金属体を使用し、（ｂ）（ｂ−１）アルミニウムを含み、（ｂ−２）液相温度が４５０℃より高い金属合金を、金属−セラミック基板と金属体との間に配置し、（ｃ）ステップ（ｂ）が提供する配置を４５０℃より高い温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用基板とヒートシンクとの接合に際し、位置決め性および接合性を向上できるとともに、作業性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】表面から隆起した外縁部を有する複数の凹部が形成されている金属板状の放熱層とセラミックス基板とが接合されてなるパワーモジュール用基板と、前記凹部の深さよりも高さが低くこの凹部に係合する複数の凸部を有する金属板状の天板を備えるヒートシンクとを備え、前記パワーモジュール用基板と前記ヒートシンクとが、前記凹部と前記凸部とが係合して前記外縁部を前記天板の表面に当接させることにより、前記放熱層と前記天板との間に隙間を空けた状態で積層されてなるヒートシンク付パワーモジュール用基板ユニット。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの形成方法及び熱拡散装置に関し、カーボンナノチューブの直径の制御性を高め且つ成長密度を高める。
【解決手段】 基板表面に平均周期が２０ｎｍ〜１００ｎｍの微細な凹凸を有する凹凸形成層を形成し、前記凹凸形成層の表面上に前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜を形成し、前記酸素含有皮膜上に触媒金属層を形成したのち、熱処理を行うことによって前記触媒金属層を溶融して孤立した複数の触媒微粒子にし、炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、前記触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）

【課題】 樹脂シートを用いることなくヒートシンクに導電材料層が接合される半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明による半導体装置１，２は、ヒートシンク４０と、ヒートシンク４０上に直接、樹脂を含まない絶縁材料を溶射して形成した絶縁層３０と、絶縁層３０上に直接、導電材料を溶射して形成した導電材料層２０と、導電材料層２０上に設けられる半導体素子を含むチップ１０と、を備えることを特徴とする。絶縁材料は、好ましくは、ＡｌＮ、ＳｉＮ又はＡｌ_２Ｏ_３である。 （もっと読む）

【課題】
電子機器内で発生する単数または複数の局所的な高温部を冷却することができ、冷却対象となる部品の大きさや形状、そして周囲の構造物による搭載制限の影響を受けることなく使用できる、変形が可能な帯状の放熱板を提供する。
【解決手段】
基板上に搭載される１又は２以上の発熱部品を１つの放熱板により冷却する冷却構造であって、前記放熱板を、所定の曲げ形状を連続して繰り返して薄い帯状に形成し、前記放熱板の曲げ形状の一部を前記発熱部品に密接する。 （もっと読む）

【課題】高い冷却性能を有し、外層を半導体素子に電圧を印加するための電極を兼ねた構成とすることができるヒートシンク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク１００は、冷媒循環用の流路９ａに設けられる積層体１２を備え、積層体１２は、金属から形成され、内側が流路９ａとなる管体９と、管体９の外側に形成された絶縁層１０と、絶縁層１０の外側に形成され、表面に冷却対象の半導体素子１の電極、例えばエミッタ電極１ｂが接合される接合面である上面１１ａを有する導体１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】グラファイトを含有する熱伝導層を含む積層膜を効率的にエッチングして加工し、例えば上記熱伝導層及び特定のシリコン等のひずみ緩和層を貫通する微細な幅の深堀を可能とする熱伝導積層膜部材の製造方法を提供する。
【解決手段】熱伝導層１とひずみ緩和層２とを積層してなる熱伝導積層膜を反応性イオンエッチングにより加工する熱伝導積層膜部材の製造方法であって、特定の熱伝導層をエッチングする酸素含有ガスと、特定のひずみ緩和層をエッチングする硫黄−フッ素化合物含有ガスと、それらのエッチング面を保護するフルオロカーボン化合物とを用い、少なくとも前記３種のガスを切り替えながら熱伝導積層膜を貫通する加工を施すことを特徴とする熱伝導積層膜部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、製造が容易で信頼性の高い小型ヒートシンク及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明によるヒートシンクは、冷媒流路となる一連の蛇行貫通孔を有する複数の金属薄板が積層され、両側に前記流路の封止面となる封止板が配置され、前記封止板あるいは前記金属薄板に前記冷媒流路とつながる冷媒流入出口が設けられたヒートシンクにおいて、前記金属薄板の各々には少なくとも片側表面全体に前記金属薄板より融点の低い低融点金属層が形成されており、さらに前記金属薄板の各々には片側が凹部かつ反対側が凸部となるエンボス部が前記貫通孔以外の複数箇所に形成されており、前記封止板にも片側が凹部かつ反対側が凸部形状で前記金属薄板上のエンボス部と嵌合可能な複数のエンボス部が設けてあり、前記封止板の各々と前記金属薄板同士がこれらエンボス部において嵌合結合され、前記低融点金属層の溶融により接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却機能を備えた電力変換装置において、小型化に繋がり、製品化の上で必要な信頼性の向上や生産性の向上に繋がること。
【解決手段】上アーム回路を構成する第１パワー半導体素子５２，５６と、下アーム回路を構成する第２パワー半導体素子６２，６６と、第１パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第１導体板５３４及び第２導体板５８４と、第２パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第３導体板５４４及び第４導体板５７４とは、リカバリ電流が第１導体板５３４、第１パワー半導体素子５２，５６、第２導体板５８４、第３導体板５４４、第２パワー半導体素子６２，６６、第４導体板５７４の順に流れた時に、ループ形状のリカバリ電流経路を形成するように配置され、第１放熱板５２２と第２放熱板５６２には、ループ形状のリカバリ電流によって渦電流６０５，６０６が誘起されて、スイッチング動作時のインダクタンスを低減する。 （もっと読む）