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Fターム[5F136HA01]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 冷却の監視,制御 (311) | 温度検出素子を使用 (202)

Fターム[5F136HA01]に分類される特許

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【課題】熱交換器本体に流入する熱媒の温度を正確かつ迅速に検出する温度センサの固定構造を提供する。
【解決手段】 天板8と底板6を重ね合わせて両者間に熱媒経路4を形成している本体7と、天板8の外面に固定されているブラケット10と、ブラケット10に固定されている軸部材12と、軸部材12が通過する貫通部16aを備えている温度センサ支持板16と、温度センサ支持板16に固定されている温度センサ18と、温度センサ支持板16を貫通した軸部材12の先端にあって温度センサ支持板16をブラケット10に押付ける押付部材14を備えている。温度センサ支持板16を貫通する軸部材12が、天板8を介して熱媒経路4に向かい合う位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第1の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第2の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた。 (もっと読む)


【課題】不要にリフレッシュ周期が変更されることによる無駄な消費電流を削減する。
【解決手段】複数の半導体チップを備え、複数の半導体チップのうちの第1の半導体チップは第1の温度センサを有し、第1の半導体チップとは異なる第2の半導体チップはリフレッシュ動作を必要とする半導体チップであって、第1の半導体チップの第1の温度センサの出力結果に応じて第2の半導体チップのリフレッシュ周期が変更される。 (もっと読む)


【課題】零入力漏れ電流を利用することによって高電力デバイスの温度を制御するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】熱制御&温度監視システム(HCTMS)は、コンポーネントの接合温度を感知するために温度センサを利用し、コンポーネントは、電力印加時に固有の零入力漏れ電流のために自己加熱状態になる。電力源の電圧レベルを増加させることによって、この零入力自己加熱特性は増強され、温度がコンポーネントの最低規定動作温度よりも高く上昇するまで、デバイスの予熱を加速する。システムは、その後、全システム電力を印加し、定義された初期化シーケンス/手順をトリガすることによって初期化される。コンポーネントが動作状態になった後も温度は、継続的な自己加熱、継続的な印加DC電圧の増加、または必要ならばその両方によって、最低動作閾値より高く維持される。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の接合温度(ジャンクション温度)を精度よく求めることができる半導体素子の接合温度の推定方法、推定システムおよび推定プログラムを提供する。
【解決手段】 接合温度推定システム2は、演算処理装置10、入力装置20、記憶装置30および出力装置40を備えている。記憶装置30は、通電条件等情報32、電圧温度特性34、演算プログラム36を記憶している。演算プログラム36は、所定の通電条件下における半導体素子について、前記通電条件での通電開始後における時間経過に応じた接合温度を所定回数計算する演算処理が規定されたプログラムである。演算プログラム36の実行により、ステップ刻みで、前述したようにTjnの取得又は計算、Tjnにおける順方向電圧VFnの取得、Iの値の取得、Pの算出およびΔTjnの算出が行われていく。 (もっと読む)


【課題】回路基板が放熱部材の主面上に間隔をあけて配され、放熱部材の主面に固定された半導体素子と回路基板とがボンディングワイヤで電気接続される電気接続構造において、回路基板に接合されるボンディングワイヤの接合不良を防ぐ。
【解決手段】
放熱部材2と、その主面2aに固定される半導体素子4と、前記主面2aの上方に間隔をあけて配されると共に、ボンディングワイヤ7によって半導体素子4に電気接続される回路基板5と、を備え、回路基板5には、その厚さ方向に貫通して半導体素子4を回路基板5の上方に露出させる貫通孔51が形成され、放熱部材2に、前記主面2aから突出すると共に回路基板5の下面5bのうち貫通孔51の周縁部分のみに固定される支持突起21が設けられている電気接続構造を提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と実装基板との間の接合材層に生じた応力を緩和できる半導体装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】実装基板4と、前記実装基板上に、電気伝導性を有する熱可塑性接合材層5を介して実装された半導体素子2,3と、前記半導体素子を通電制御する制御手段6と、を備えた半導体装置において、前記制御手段は、所定条件で前記熱可塑性接合材層を少なくとも軟化させる応力緩和制御を実行する。 (もっと読む)


【課題】閉鎖型電力変換ユニットの内部の空気温度が所定値を超えることがないようにする。
【解決手段】電力半導体11の熱を、冷却体20、電動機付きポンプ25によって循環される冷媒に移し、且つ、閉鎖型電力変換ユニット10内の空気に放熱された電力変換器制御回路12等の熱を、冷却体20に熱的に接続された吸熱フィン21で集熱して冷媒に移し、外部の放熱器23で放熱する冷却システムにおいて、循環冷媒の温度Twに基づいて、閉鎖型電力変換ユニット10内の空気温度を算出し、算出した空気温度と設定温度とから角度指令値を演算し、三方弁制御回路30がその演算結果を指令値として、循環冷媒を放熱器23およびバイパス配管26に分配する三方弁27の角度を駆動制御することで、閉鎖型電力変換ユニット10内の空気温度を所定値に保つようにする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置で発生する異常発熱をより確実に検出し得る構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置2は、半導体素子10と、一対の信号パッド12、14と、温度検出ダイオードD1〜D5と、を備える。温度検出ダイオードD1〜D5は、それぞれ、一対の信号パッド12、14間に並列に接続されている。そのため、一対の信号パッド12、14間に一定の電圧を印加すると、温度検出ダイオードD1〜D5のそれぞれにおいて、温度検出ダイオードD1〜D5の近傍の温度に応じた電流I1〜I5が流れる。従って、一対の信号パッド12、14間を流れる電流Iは、各温度検出ダイオードD1〜D5を流れた電流I1〜I5の和となる。 (もっと読む)


【課題】大型化することなくヒートシンクの放熱性能を向上させる。
【解決手段】放熱部41に対して風上側の任意の位置に、冷却風2に対して霧状の冷却水1を散布する冷却水散布装置10を設ける。冷却風2に霧状の冷却水1が混合されて成るミスト冷却風21は、霧状の冷却水1が蒸発する際に気化熱を奪うことで冷却されて、冷却風2よりも低い温度となる。この様なミスト冷却風21がヒートシンク4の放熱部41に供給される。 (もっと読む)


【課題】システム/デバイス内の高電力コンポーネントの動作温度範囲を効率的に拡大するための方法およびシステムを提供すること。
【解決手段】埋め込みモニタが、コンポーネントの接合温度などの局部的温度を測定する。測定温度がコンポーネントの最低動作温度閾値よりも低い場合、温度制御ロジックは、加熱源を利用して、コンポーネントの温度を動作レベルまで上昇させるために予熱を開始する。コンポーネント(またはデバイス)は、温度が動作レベル以上である場合にのみ、動作状態にされる。温度制御ロジックは、動作中システム/デバイス内のコンポーネントによって散逸される高電力を自己加熱源として使用して、コンポーネントの動作温度を維持する。自己加熱が動作温度を維持することができない場合、加熱源が、コンポーネントの動作温度の維持を支援するために利用され、それによって、コンポーネントが利用されるシステムの有効動作温度範囲を拡大する。 (もっと読む)


【課題】SiCを材料とする半導体素子に適した構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置2は、SiCを材料とする半導体素子20と、半導体素子20の外周を被覆する第1モールド樹脂50と、第1モールド樹脂50よりも耐熱性が低く、第1モールド樹脂50の外周を被覆する第2モールド樹脂70と、第2モールド樹脂70内に配置される温度センサ60と、を備える。温度センサ60は、第2モールド樹脂70内であって、第1モールド樹脂50と接する位置に配置され、半導体素子20の表面と対向している。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板と金属基板とを接合する接合部材および絶縁基板と放熱部材とを接合する接合部材の接合性を同時に良好に評価することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、絶縁基3体に埋設された、絶縁基体の温度を検出する複数の温度検出素子を備え、複数の温度検出素子が、金属基体5の上面に配設された半導体素子7の中心と上下に重なり合う部分に位置する第1の温度検出素子と、金属基体の外周縁と上下に重なり合う部分に位置する少なくとも1つの第2の温度検出素子とを有している。 (もっと読む)


【課題】少ない消費電力によってデバイスを十分に冷却することが可能な電子機器の冷却装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電子機器の冷却装置1は、サーバ装置21を構成し通電により発熱するCPU4と、CPU4熱を放熱するヒートシンク4aと、ヒートシンク4aに向かって空気を送出し回転数を制御可能なファンとを有し、ヒートシンク4aより熱伝導率が高い熱分散シート17と、熱分散シート17をヒートシンク4aに対して接触または離間するように移動させるアクチュエータ16と、CPU4の発熱量に基づいてアクチュエータ16の動作を制御するBMCとを、備えるものである。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板と金属基板とを接合する接合部材および絶縁基板と放熱部材とを接合する接合部材の接合性を別々の温度検出素子を用いて評価していたことから、モジュールの大型化という課題が生じていた。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、絶縁基体に埋設された、絶縁基体の温度を検出する複数の温度検出素子を備え、複数の温度検出素子が、絶縁基体の上面に第1の接合部材で接合された半導体素子の中心と上下に重なり合う部分に位置する第1の温度検出素子と、半導体素子の外周縁と上下に重なり合う部分に位置する少なくとも1つの第2の温度検出素子とを有している。 (もっと読む)


【課題】
発熱開始時のオーバーシュートを抑制し、安定した沸騰開始を実現する沸騰冷却システムを提供する。
【解決手段】
発熱体と熱的に接触されるベースに金属からなる沸騰伝熱部を有し、前記沸騰伝熱部が液体冷媒と接している沸騰冷却システムであって、前記沸騰伝熱部は表面下に孔、または隙間によって外部と連通するトンネルを平行に複数設けてあり、前記トンネルと垂直な方向にすべてのトンネルを貫通するトンネル径より深い溝を備え、前記溝の上部に蓋板を備えている。 (もっと読む)


【課題】半導体基板に半導体素子と内部回路とが設けられた半導体装置において、半導体素子及び内部回路の各温度を検出するセンサを効率的に配置してレイアウトの自由度を高めることができ、且つ半導体素子及び内部回路の各温度をより正確に検出し得る構成を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板5の一方面側に、スイッチング素子20と、このスイッチング素子20の配置領域から距離を隔てて内部回路30が配置されている。また、スイッチング素子20に隣接して、周囲に第1絶縁膜27が形成された第1温度検出素子24が設けられている。さらに、内部回路30よりもスイッチング素子20に近い側に、周囲に第2絶縁膜28が形成された第2温度検出素子25が設けられている。そして、第2絶縁膜28の厚さが第1絶縁膜27の厚さよりも大きくなるように構成されている。 (もっと読む)


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