【課題】 パワーＭＯＳＦＥＴの低オン抵抗化を図りながら、耐圧を高くする。
【解決手段】 パワーＭＯＳＦＥＴ３０では、半導体基板１の表面にPベース層５が選択的に形成され、ソース領域３１ａのPベース層５の表面にパワーＭＯＳＦＥＴ３０のソースとしてのＮ^＋ソース層６及びＰ^＋コンタクト層７が選択的に形成されている。半導体基板１の表面にPベース層５と離間して概略平行にＮ^＋コンタクト層１０が形成されている。Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ⁻リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。Nリサーフ層２とPリサーフ層３は、Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０とを結ぶ方向と概略垂直方向に交互に繰り返し形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来と同等の駆動力を確保しつつ、ヘテロ界面で生じる漏れ電流を低減可能な高耐圧電界効果トランジスタを容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｎ^＋型ＳｉＣ基板１とＮ⁻型ＳｉＣエピタキシャル層２からなる半導体基体の一主面に接して該半導体基体とはバンドギャップが異なるヘテロ半導体領域３を形成する工程と、該ヘテロ半導体領域３の一部分に、少なくとも半導体基体に達する溝部５を形成する工程と、該溝部５内にゲート絶縁膜６を形成し、該ゲート絶縁膜６に接してゲート電極７を形成する工程と、該ゲート電極７の上部にキャップ絶縁層８を形成する工程と、該キャップ絶縁層８をマスクとして、へテロ半導体領域３に選択的に不純物を導入することで、第一のヘテロ半導体領域９と第二のヘテロ半導体領域１０とを形成する工程とを有する （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜における絶縁耐圧を改善して、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層４２の上に形成された第２半導体層４４と、第１半導体層４２から電気的に絶縁されたゲート電極５３と、ソース電極５１およびドレイン電極５５と、ゲート絶縁膜４９と、少なくとも一部が第１導電型のウェル領域４５の内部に形成され、ソース電極５１に電気的に接触する第２導電型のソース領域４７と、ドリフト領域４３とを備え、第２半導体層４４における所定の領域は、第２導電型層を含む蓄積チャネル領域であり、ウェル領域４５の内部に形成され、かつ、ソース領域４７と接する補助ソース領域４８をさらに有し、ソース領域４７はゲート電極５３によってオーバーラップされておらず、補助ソース領域４８の一部はゲート電極５３によってオーバーラップされており、補助ソース領域４８の総ドーズ量は、ソース領域４７の総ドーズ量よりも少ない。 （もっと読む）