量子井戸トランジスタは、ゲルマニウムの量子井戸チャネル領域を有する。シリコンを含有したエッチング停止領域が、チャネル近くへのゲート誘電体の配置を容易にする。ＩＩＩ−Ｖ族材料のバリア層がチャネルに歪みを付与する。チャネル領域の上及び下の傾斜シリコンゲルマニウム層によって性能が向上される。複数のゲート誘電体材料によって、ｈｉｇｈ−ｋ値のゲート誘電体の使用が可能になる。
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【課題】高移動度チャネルを有する装置のソース/ドレイン工学を提供する。
【解決手段】集積回路構造は、基板及び基板の上方のチャネルを備える。チャネルは、III族元素とV族元素から構成される第一III-V族化合物半導体材料からなる。ゲート構造はチャネルの上方に設置される。ソース/ドレイン領域はチャネルに隣接し、本質的に、シリコン、ゲルマニウム、及び、それらの組み合わせからなる群から選択されるドープされたIV族半導体材料から形成されるIV族領域を含む。 （もっと読む）

開示の実施形態は、ＭＯＳチャネル領域に一軸性歪みを与える金属ソース／ドレイン及びコンフォーマル再成長ソース／ドレインを備えた、歪みトランジスタ量子井戸（ＱＷ）チャネル領域を含む。チャネル層の除去された部分が、チャネル材料の格子間隔とは異なる格子間隔を有するジャンクション材料で充填されることで、量子井戸の頂部バリア層及び底部バッファ層によってチャネル層に発生される二軸性歪みに加えて、一軸性歪みがチャネルに発生される。
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【課題】簡易な構成で高速性能を備えた半導体素子を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁層１０に面接合された上層Ｓｉと、絶縁層１０とで挟むように上層Ｓｉに面接合された下層Ｓｉとを同じ（１００）面で面接合し、下層Ｓｉを上層Ｓｉに対して（接合面に垂直な軸に関して）相対的に４５度回転することで上層Ｓｉの４重縮退バレーの電子に対して層厚方向に空間的に閉じ込めるような構造を作製すると共に、上層Ｓｉの層厚を４重縮退バレーの電子に対して量子力学的閉じ込め効果を呈する範囲で薄層化する。 （もっと読む）

【課題】低電流密度でスピン反転し、かつスピン反転による出力特性が大きなスピンＭＯＳＦＥＴを提供することを可能にする。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板上に離間して設けられるソース・ドレインの一方となる磁化の向きが固着された第１強磁性層を含む第１磁性膜６と、ソース・ドレインの他方となる磁化の向きが可変の磁化自由層８_１およびこの磁化自由層上に設けられたトンネル絶縁層ならびにこのトンネル絶縁層上に設けられ磁化の向きが固着された磁化固着層を有する第２磁性膜８と、第１および第２磁性膜の間の半導体基板上に少なくとも設けられたゲート絶縁膜１０と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１２と、備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノワイヤ等の線状構造体を配置するときに、その位置やや数量をコントロールする。
【解決手段】基板上にゲート電極と絶縁層が形成された基体を用意し、その上にソース電極１１とドレイン電極１２を形成する。ソース電極の端部付近に凹凸形成部分２４−１とドレイン電極の端部付近に凹凸形成部分２４−２を形成し、次にＳｉナノワイヤ２５を分散させた分散液２３を、チャネルの中心部分に滴下させる。そして、凹凸形成部分の凹部に分散液中のＳｉナノワイヤ２５を挿入させる。そして、凹部に整列配向したＳｉナノワイヤ２５を、両電極に接合させる。 （もっと読む）

半導体素子は、各々が複数の層からなる複数の群を積層された状態で有する超格子を有して良い。その超格子の複数の層からなる群の各々は、基礎となる半導体部分を画定する、複数の積層された基礎となる半導体分子層、及びその上にエネルギーバンド修正層を有して良い。そのエネルギーバンド修正層は、隣接する基礎となる半導体部分の結晶格子の内部に束縛された少なくとも1の非半導体分子層を有して良い。その超格子は、その内部に、少なくとも1の半導体接合を画定する少なくとも1対の反対符号の電荷がドーピングされた領域をさらに有して良い。
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【課題】 従来よりも高い温度でも動作できるクーロンブロケードを用いた量子効果素子
を提供すること。
【解決手段】 後方障壁閉じ込めポテンシャルを形成するための下部ＳｉＯ_２層４３と上
部ＳｉＯ_２層４５と、ｐ⁻型層４７と、これらＳｉＯ_２層４３、４５、ｐ⁻型層４７各端
と交わる傾斜面５１と、傾斜面５１上にＳｉＯ_２活性層６１を介して設けられたゲート電
極３１を有し、このゲート電極３１のうち、ＳｉＯ_２層４３、４５の各端を覆うる部分は
狭くなっている。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子の提供、ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法の提供、かかる受発光素子を利用した光電子集積チップ、データ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 （もっと読む）

トランジスタデバイスは、ソース領域、ドレイン領域、およびソース領域とドレイン領域の間のチャネル領域を有する連続リニアナノ構造体で形成される。ソース領域（２０）とドレイン領域（２６）はナノワイヤで形成され、チャネル領域（２４）はナノチューブの形である。ソース領域とドレイン領域の間のチャネル領域における伝導を制御するためにチャネル領域（２４）に隣接する絶縁ゲート（３２）が提供される。
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