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Fターム[5F140BD09]の内容

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | ゲート絶縁膜 (8,730) | 材料 (6,782) | SiON(酸窒化膜、窒酸化膜を含む) (1,020)

Fターム[5F140BD09]に分類される特許

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【課題】トンネルFETのオン電流の劣化を抑制しつつ、オフ電流を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、溝が形成された基板と、前記基板上の前記溝に隣接する位置にゲート絶縁膜を介して形成され、前記溝の反対側に位置する第1側面と、前記溝側に位置する第2側面とを有するゲート電極とを備える。さらに、前記装置は、前記ゲート電極の前記第1側面に形成された第1の側壁絶縁膜と、前記ゲート電極の前記第2側面と前記溝の側面に形成された第2の側壁絶縁膜とを備える。さらに、前記装置は、前記基板内において、前記ゲート電極の前記第1側面に対し前記第1の側壁絶縁膜側に形成された、第1導電型のソース領域と、前記基板内において、前記ゲート電極の前記第2側面と前記溝の側面に対し前記第2の側壁絶縁膜側に形成された、第2導電型のドレイン領域とを備える。 (もっと読む)


【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜20を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜18と上記コラプス抑制膜18上に形成されたSiO絶縁膜17とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む半導体構造体を提供する。
【解決手段】 CMOS構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、角度傾斜イオン注入法又は逐次積層法を用いて形成することができる。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、非ドープ・チャネルの電界効果トランジスタ・デバイスに向上した電気的性能をもたらす。 (もっと読む)


【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaN・HEMTを実現する。
【解決手段】SiC基板1上に化合物半導体積層構造2を備えたAlGaN/GaN・HEMTにおいて、3層のキャップ層2eを用いることに加え、キャップ層2eのドレイン電極5の近傍(ゲート電極6とドレイン電極5との間で、ドレイン電極5の隣接箇所)に高濃度n型部位2eAを形成し、高濃度n型部位2eAでは、そのキャリア濃度が電子供給層2dのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン12をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極13nまたはゲート電極13pを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン12を除去し、ゲート電極13nまたはゲート電極13pの側面に付着した反応生成物14を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物14を除去する。 (もっと読む)


【課題】金属膜あるいは金属酸化膜の成膜量に伴うことなく含有している金属元素の濃度分布に偏りのないゲート絶縁膜を提供する。
【解決手段】図2に示すように、半導体基板1上に、シリコン酸化膜より高い誘電率を有する高誘電体膜10を形成する高誘電体膜形成工程と、高誘電体膜10上に、第1の金属元素を有する第1の金属膜あるいは金属酸化膜20を成膜する第1の成膜工程と、高誘電体膜10に第1の金属元素を拡散させる拡散工程と、高誘電体膜10上に金属元素吸収膜50を成膜する第2の成膜工程と、金属元素吸収膜50に、第1の金属元素を含ませる吸収工程と、金属元素吸収膜60を選択的に除去する除去工程の6工程を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】第1、第2ゲートを有するトンネルトランジスタで、第1、第2のゲート間の電圧の差がより小さい場合にしようできるトンネルトランジスタを提供する。
【解決手段】ドレイン2、ソース4およびドレイン2とソース4との間で電流を制御するための少なくとも第1ゲート6とを含み、第1および第2のゲート誘電体材料7、11の第1側9、13が、それぞれ第1および第2の半導体部分14、15に実質的に沿って、実質的に接続して配置されたトンネルトランジスタ1。 (もっと読む)


【課題】電流コラプスを抑制しながらノーマリオフ動作を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された化合物半導体積層構造7と、化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11dと、が設けられている。化合物半導体積層構造7には、電子走行層3と、電子走行層3上方に形成された電子供給層5を含む窒化物半導体層と、が設けられている。窒化物半導体層の表面のIn組成は、平面視でゲート電極11gとソース電極11sとの間に位置する領域及びゲート電極11gとドレイン電極11dとの間に位置する領域において、ゲート電極11gの下方よりも低くなっている。 (もっと読む)


【課題】ゲートリーク電流が低減され、かつ、ノーマリーオフ動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された第1の半導体層12と、第1の半導体層12の上に形成された第2の半導体層13と、第2の半導体層13の上に形成された下部絶縁膜31と、下部絶縁膜31の上に、p型の導電性を有する酸化物により形成された酸化物膜33と、酸化物膜33の上に形成された上部絶縁膜34と、上部絶縁膜34の上に形成されたゲート電極41と、を有し、ゲート電極41の直下において、下部絶縁膜31の表面には凹部が形成されている半導体装置。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極膜に注入したイオンがチャネル領域に達してMISFETの電気特性に影響を与えていた。
【解決手段】半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を介して形成されるとともに、第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第1ゲート電極膜と、前記第1ゲート電極膜上に形成されるとともに、酸素及び窒素のうち一方又は両方を含んだシリコンを主体とする介在層と、前記第1ゲート電極膜上に前記介在層を介して形成されるとともに、前記第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第2ゲート電極膜と、を含む電界効果トランジスタを有する。 (もっと読む)


【課題】長期にわたって安定した動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3及び電子供給層5と、電子供給層5上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11daと、電子供給層5とゲート電極11gとの間に形成された第1のp型半導体層7aと、ソース電極11sと電子供給層5との間に形成されたp型半導体層7と、が設けられている。第2のp型半導体層7上のソース電極11sには、第1の金属膜11saと、第1の金属膜11saにゲート電極11g側で接し、第1の金属膜11saよりも抵抗が大きい第2の金属膜11sbと、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】注入した導電性不純物により形成される結晶欠陥の密度を低減し、歩留まり率が向上するような半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板を加熱することにより、半導体基板の基板温度を200から500℃の間の所望の温度に維持すると同時に、半導体基板に導電性不純物をイオン注入法もしくはプラズマドーピング法を用いてドーピングし、ドーピングした導電性不純物を活性化させるための活性化処理を行う。 (もっと読む)


【課題】トレンチ分離構造の上面の周縁部にディボットが形成されても、このディボットに起因するゲート絶縁膜の破壊を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、トレンチ分離構造20Bと、トレンチ分離構造20Bで区画される活性領域上に形成されたゲート絶縁膜30と、ゲート絶縁膜30の上面からトレンチ分離構造20Bの上面まで延在するゲート電極層31と、ゲート電極層31の両側に形成された第1及び第2の不純物拡散領域13D,13Sとを備える。ゲート電極層31は、ゲート絶縁膜30と第1の不純物拡散領域13Dとの間の領域に貫通孔31hを有し、貫通孔31hは、トレンチ分離構造20Bの上面の周縁部の直上に形成されている。 (もっと読む)


【課題】内蔵する環流ダイオードの順方向電圧が低く、高耐圧で、低オン抵抗の、ノーマリオフ型の窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板1、第1の窒化物半導体層3、第2の窒化物半導体層4、及び第2の窒化物半導体層上4に設けられた、ソース電極5、ドレイン電極6、第1のゲート電極9、ショットキー電極10、第2のゲート電極12、を備える。第2の窒化物半導体層4と第1の窒化物半導体層3との界面には、2次元電子ガスが形成される。第1のゲート電極9はノーマリオフ型FET20のゲート電極であり、ソース電極5とドレイン電極6との間に設けられる。ショットキー電極10は、第1のゲート電極9とドレイン電極6との間に設けられる。第2のゲート電極12はノーマリオン型FET21のゲート電極であり、ショットキー電極10とドレイン電極6との間に設けられる。 (もっと読む)


【課題】低オン抵抗であって、かつ、ノーマリーオフの電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板10の上に形成された電子走行層11と、電子走行層11の上に、電子走行層11よりもバンドギャップの広い半導体により形成された電子供給層12と、電子供給層12の上に、電子供給層よりもバンドギャップの狭い半導体により形成されたバリア形成層13と、バリア形成層13の上に、不純物のドープされた半導体により形成された上部チャネル層14と、バリア形成層13及び上部チャネル層14を除去することにより形成されたバリア形成層13及び上部チャネル層14の側面と、側面に形成された絶縁膜20と、絶縁膜20を介し形成されたゲート電極21と、上部チャネル層14と接続されるソース電極22と、電子供給層12または電子走行層11と接続されるドレイン電極23と、を有する。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコン膜との接触に起因するショットキー抵抗を低減する。
【解決手段】半導体装置は、トランジスタを備える。トランジスタは、第1の活性領域の表面の一部を覆い二酸化シリコンよりも高い誘電率を有する第1の絶縁材料からなる第1のゲート絶縁膜と、第1のゲート絶縁膜上に形成された第1の金属材料からなる第1の金属ゲート電極と、第1の金属ゲート電極上に形成されたp型導電型の第1の多結晶シリコン膜を有する。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜の破壊を防止すると共に、信頼性を向上させた、ノーマリオフの双方向動作が可能な窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子10は、第1MOSFET部30及び第2MOSFET部31を備えており、第1ゲート電極26と第2ゲート電極27との間に設けられた第1SBD金属電極28及び第2SBD金属電極29がAlGaN層20とショットキー接合されている。第1SBD金属電極28と第1電極24とが接続されており、電気的に短絡していると共に、第2SBD金属電極29と第2電極25とが接続されており、電気的に短絡している。 (もっと読む)


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