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Fターム[5F140BG00]の内容

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | ゲート電極及び側壁の製造 (21,161)

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ゲートスペーサ酸化物材料を、それを上に有するマイクロ電子デバイスから少なくとも部分的に除去するためのゲートスペーサ酸化物材料除去組成物および方法。無水除去組成物が、少なくとも1つの有機溶剤と、少なくとも1つのキレート剤と、塩基フルオリド:酸フルオリド成分と、場合により少なくとも1つの不動態化剤とを含有する。本組成物は、ゲート電極構造において使用された金属シリサイド相互接続材料種のエッチングを最小にして、マイクロ電子デバイスの表面上のゲート電極の近傍から、ポリシリコンおよび窒化ケイ素に対してゲートスペーサ酸化物材料の選択的な除去を達成する。
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