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Fターム[5F140BG30]の内容

Fターム[5F140BG30]に分類される特許

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【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜20を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜18と上記コラプス抑制膜18上に形成されたSiO絶縁膜17とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 (もっと読む)


【課題】耐圧を向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】GaN系HFETは、ゲート絶縁膜17をなす半絶縁膜の抵抗率ρが、電流密度が6.25×10−4(A/cm)であるとき、3.9×10Ωcmであった。抵抗率ρ=3.9×10Ωcmの半絶縁膜によるゲート絶縁膜15を備えたことで、1000Vの耐圧が得られた。ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×1011Ωcmを超えると耐圧が急減し、ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×10Ωcmを下回るとゲートリーク電流が増大する。 (もっと読む)


【課題】 横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む半導体構造体を提供する。
【解決手段】 CMOS構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、角度傾斜イオン注入法又は逐次積層法を用いて形成することができる。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、非ドープ・チャネルの電界効果トランジスタ・デバイスに向上した電気的性能をもたらす。 (もっと読む)


【課題】TiN膜及びバッファ層から形成されるバリアー膜を備えるポリメタルゲート電極を持つ半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に半導体基板側から順に積層された導電性ポリシリコン膜、第1金属シリサイド膜、バリアー膜、及び金属膜から形成されるポリメタルゲート電極と、を備える半導体素子である。バリアー膜は、第1金属シリサイド膜上に形成されるTiN膜と、TiN膜と金属膜との間に介在されるバッファ層と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電界が局所的に集中することを抑制して、高耐圧化した半導体装置を提供する。
【解決手段】第1導電型の第1ドリフト領域140は、平面視でソース領域110から離間して設けられている。第1導電型の第2ドリフト領域150は、平面視で第1ドリフト領域140のうちソース領域110と反対側の領域に接している。第1導電型のドレイン領域120は、平面視で第1ドリフト領域140から離間しているとともに、平面視で第2ドリフト領域150のうち第1ドリフト領域140と反対側の領域に接している。チャネル領域130上には、ゲート絶縁層200およびゲート電極400が設けられている。第1フィールドプレート絶縁層300は、半導体基板100上に設けられ、少なくとも平面視で第1ドリフト領域140と第2ドリフト領域150の一部と重なるように設けられている。第1フィールドプレート電極420は、第1フィールドプレート絶縁層300上に接している。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル層に残存する転位の数を少なくする。
【解決手段】第2エピタキシャル層200は、第1エピタキシャル層100上にエピタキシャル成長している。第1エピタキシャル層100は、エピタキシャル成長層110及び欠陥層120を有している。欠陥層120は、エピタキシャル成長層110の上、かつ、第1エピタキシャル層100の表層に位置している。欠陥層120の欠陥密度は、5×1017cm−2以上である。欠陥層120を突き抜けた欠陥は、第2エピタキシャル層200の内部でループを形成している。 (もっと読む)


【課題】本発明は、シリコン層上に、抵抗値が低く、かつ平坦性の良好なニッケルモノシリサイド層を形成可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板に形成されたシリコン層を覆ように白金を含むニッケル層を堆積する工程であって、シリコン層に近い部分では遠い部分と比較して結晶性が低くなるように、白金を含むニッケル層を堆積する工程S05と、基板を加熱することで、シリコン層と白金を含むニッケル層との界面にニッケルモノシリサイド層を形成する工程S07と、を有する。 (もっと読む)


【課題】高電圧動作時においても電流コラプス現象を十分に抑制し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】HEMTは、化合物半導体層2と、開口を有し、化合物半導体層2上を覆う保護膜と、開口を埋め込み、化合物半導体層2上に乗り上げる形状のゲート電極7とを有しており、保護膜は、酸素非含有の下層絶縁膜5と、酸素含有の上層絶縁膜6との積層構造を有しており、開口は、下層絶縁膜5に形成された第1の開口5aと、上層絶縁膜6に形成された第1の開口5aよりも幅広の第2の開口6aとが連通してなる。 (もっと読む)


【課題】耐圧をより向上することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された化合物半導体積層構造8と、基板1と化合物半導体積層構造8との間に形成された非晶質性絶縁膜2と、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】長期にわたって安定した動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3及び電子供給層5と、電子供給層5上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11daと、電子供給層5とゲート電極11gとの間に形成された第1のp型半導体層7aと、ソース電極11sと電子供給層5との間に形成されたp型半導体層7と、が設けられている。第2のp型半導体層7上のソース電極11sには、第1の金属膜11saと、第1の金属膜11saにゲート電極11g側で接し、第1の金属膜11saよりも抵抗が大きい第2の金属膜11sbと、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ドレイン−ソース間のリーク電流が少なく、かつ、ノーマリーオフの半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された不純物元素を含む第1の半導体層13と、第1の半導体層13の上に形成された第2の半導体層16と、第2の半導体層16の上に形成された第3の半導体層17と、第3の半導体層17の上に形成されたゲート電極21、ソース電極22及びドレイン電極23と、を有し、第2の半導体層16において、ゲート電極21の直下には、第1の半導体層13と接し、第1の半導体層13に含まれる不純物元素が拡散している不純物拡散領域15が形成されており、不純物元素は、不純物拡散領域がp型となる元素であることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高いヘテロ接合を有するノーマリオフ型の半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置1は金属膜22を備えている。金属膜22は、ゲート部30とドレイン電極24及び/又はソース電極26の間の半導体積層体10の表面の少なくとも一部に設けられている。金属膜22は、半導体積層体10の表面部に窒素空孔を形成することが可能な材料である。 (もっと読む)


【課題】基板の外周部においてクラックの発生が抑制される半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】半導体結晶基板110と、基板110の表面に窒化物により形成された保護層120と、を有し、保護層120は、基板110の外周部となる周辺領域120aはアモルファス状態であり、基板110の周辺領域よりも内側の内部領域120bは結晶化している。 (もっと読む)


【課題】GaとSiとの反応を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、Si基板1と、Si基板1の表面に形成されたSi酸化層3と、Si酸化層3上に形成され、Si酸化層3の一部を露出する核形成層2と、Si酸化層3及び核形成層2上に形成された化合物半導体積層構造9と、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置について、小型化を図りつつ、ドレイン耐圧を向上する。
【解決手段】ゲート電極20と、ゲート電極20と離間するソース電極24と、平面視でゲート電極20からみてソース電極24の反対側に位置し、かつゲート電極20と離間するドレイン電極22と、平面視でゲート電極20とドレイン電極22の間に位置し、絶縁膜26を介して半導体基板10上に設けられ、かつゲート電極20、ソース電極24およびドレイン電極22と離間する少なくとも一つのフィールドプレート電極30と、絶縁膜26中に設けられ、かつフィールドプレート電極30と半導体基板10を接続する少なくとも一つのフィールドプレートコンタクト40と、を備え、平面視でフィールドプレート電極30は、フィールドプレートコンタクト40からソース電極24側またはドレイン電極22側の少なくとも一方に延伸している。 (もっと読む)


【課題】低オン抵抗であって、かつ、ノーマリーオフの電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板10の上に形成された電子走行層11と、電子走行層11の上に、電子走行層11よりもバンドギャップの広い半導体により形成された電子供給層12と、電子供給層12の上に、電子供給層よりもバンドギャップの狭い半導体により形成されたバリア形成層13と、バリア形成層13の上に、不純物のドープされた半導体により形成された上部チャネル層14と、バリア形成層13及び上部チャネル層14を除去することにより形成されたバリア形成層13及び上部チャネル層14の側面と、側面に形成された絶縁膜20と、絶縁膜20を介し形成されたゲート電極21と、上部チャネル層14と接続されるソース電極22と、電子供給層12または電子走行層11と接続されるドレイン電極23と、を有する。 (もっと読む)


【課題】higher-k材料であるチタン酸化膜の半導体基板との界面を安定化でき、さらなる微細化に対応できるゲート構造を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1の上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備えている。ゲート絶縁膜は、アナターゼ型酸化チタンを主成分とする高誘電率絶縁膜5であり、ゲート電極は、第1の金属膜6又は第2の金属膜8を含む導電膜から構成されている。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極とチャネル層との間の障壁層に低抵抗領域を備えた構成において、ゲートリーク電流を防止することによりドレイン電流の最大値の向上を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体で構成されたチャネル層14と、チャネル層14上に設けられた上部障壁層15とを備え、上部障壁層15における表面層には、不純物を含有することにより周囲よりも低抵抗に保たれた低抵抗領域15gが設けられている。また、この低抵抗領域15gを挟んだ位置において上部障壁層15に接続されたソース電極17sおよびドレイン電極17dを備えている。さらに、低抵抗領域15g上に設けられたゲート絶縁膜18と、このゲート絶縁膜18を介して低抵抗領域15g上に設けられたゲート電極19とを備えている。 (もっと読む)


【課題】バッファ層を有する半導体素子において、チャネルの基準電位を固定する半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10と、基板上に設けられ、エネルギーギャップの異なる複数種類の窒化物半導体が積層された積層体を少なくとも1層有するバッファ層20と、バッファ層上に設けられた窒化物半導体のチャネル層30と、バッファ層の側面に電気的に接続された側面電極60と、チャネル層の上方に形成され、チャネル層と電気的に接続されたチャネル電極52,56とを備える半導体素子。 (もっと読む)


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