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Fターム[5F140BG32]の内容

Fターム[5F140BG32]に分類される特許

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【課題】トンネルトランジスタのトンネルオフリーク電流を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、基板と、前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備える。さらに、前記装置は、前記基板内に前記ゲート電極を挟むように形成された第1導電型のソース領域、および前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型のドレイン領域を備える。さらに、前記ゲート電極は、前記ゲート電極内の前記ソース領域側に形成された前記第1導電型の第1領域と、前記ゲート電極内の前記ドレイン領域側に形成され、前記第1領域に比べて、前記第1導電型の不純物濃度から前記第2導電型の不純物濃度を引いた値が低い第2領域とを有する。 (もっと読む)


【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜5およびゲート電極6n,6pの側面にサイドウォール9を形成した後、サイドウォール9の両側の半導体基板1に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14、第2絶縁膜15、および第3絶縁膜16を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第1絶縁膜14は、第2絶縁膜15よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第2絶縁膜15とエッチング選択比が異なる膜である。第2絶縁膜15は、第1絶縁膜14よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第3絶縁膜16は、第1絶縁膜14および第2絶縁膜15よりも内部応力の変化が大きい膜である。 (もっと読む)


【課題】特性の良好な半導体装置を製造する。
【解決手段】本発明は、MISFETを有する半導体装置の製造方法であって、(a)半導体基板の上方に、シリコン膜と絶縁膜CPとの積層膜を形成する工程と、(b)積層膜をパターニングすることによりゲート電極GE1とその上部に配置された絶縁膜CPとの積層体を形成する工程と、(c)積層体の側壁にサイドウォール膜SWを形成する工程と、(d)絶縁膜CPを除去する工程と、(e)サイドウォール膜SWおよびゲート電極GE1の合成体の両側の半導体基板中および前記ゲート電極GE1中にヒ素(As)を注入する工程と、を有する。かかる製法によれば、ヒ素(As)のイオン注入によるゲート電極GE1の体積膨張、特に、横方向への膨らみを低減することができ、ゲート電極とコンタクトプラグとの短絡を低減できる。 (もっと読む)


【課題】金属シリサイド層の異常成長を防止する。
【解決手段】半導体基板1にゲート絶縁膜5、ゲート電極6a,6b、ソース・ドレイン用のn型半導体領域7bおよびp型半導体領域8bを形成する。それから、サリサイド技術によりゲート電極6a,6bおよびソース・ドレイン領域上に金属シリサイド層13を形成する。そして、金属シリサイド層13の表面を還元性ガスのプラズマで処理してから、半導体基板1を大気中にさらすことなく、金属シリサイド層13上を含む半導体基板1上に窒化シリコンからなる絶縁膜21をプラズマCVD法で堆積させる。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極膜に注入したイオンがチャネル領域に達してMISFETの電気特性に影響を与えていた。
【解決手段】半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を介して形成されるとともに、第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第1ゲート電極膜と、前記第1ゲート電極膜上に形成されるとともに、酸素及び窒素のうち一方又は両方を含んだシリコンを主体とする介在層と、前記第1ゲート電極膜上に前記介在層を介して形成されるとともに、前記第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第2ゲート電極膜と、を含む電界効果トランジスタを有する。 (もっと読む)


【課題】RTSノイズを低減することが可能な絶縁ゲート型半導体素子、絶縁ゲート型半導体集積回路を提供する。
【解決手段】チャネル領域として機能する第1導電型の半導体層11、チャネル領域を囲み、半導体層11に活性領域を定義する素子分離絶縁膜21、活性領域の一方に設けられた第2導電型の第1主電極領域62、活性領域の他方に設けられた第2導電型の第2主電極領域63、活性領域の表面のゲート絶縁膜22、多結晶シリコン層を含んで、ゲート絶縁膜22の上に設けられたゲート電極54を備える。多結晶シリコン層は、第1主電極領域62,第2主電極領域63に接する部分は第2導電型の第1多結晶シリコン領域54-2、チャネル領域と素子分離絶縁膜21との境界領域の上部は第1導電型の第2多結晶シリコン領域54-1である。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコン膜との接触に起因するショットキー抵抗を低減する。
【解決手段】半導体装置は、トランジスタを備える。トランジスタは、第1の活性領域の表面の一部を覆い二酸化シリコンよりも高い誘電率を有する第1の絶縁材料からなる第1のゲート絶縁膜と、第1のゲート絶縁膜上に形成された第1の金属材料からなる第1の金属ゲート電極と、第1の金属ゲート電極上に形成されたp型導電型の第1の多結晶シリコン膜を有する。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素(000−1)面にウェット雰囲気で酸化されたゲート絶縁膜の上に、ポリシリコンを不活性ガスを使用した減圧CVD法で成膜しても、界面準位密度の増加を抑制し、MOS界面特性の劣化を防止して、炭化ケイ素半導体装置の品質を高める。
【解決手段】炭化ケイ素半導体の(000−1)面から0°ないし8°傾いた面からなる半導体領域上に接するようにゲート絶縁膜を形成し、減圧CVD法を用いて、ゲート絶縁膜上に接するようにポリシリコンのゲート導電膜を成膜する際、不活性ガスを供給しながら安定化させる目標炉内温度を450℃以上550℃以下にするとともに、原料ガスを注入しながらポリシリコンのゲート導電膜の生成を行う工程、さらには、このゲート導電膜の生成終了後、原料ガスを不活性ガスに置換する工程を含め、炉内温度を一貫してこの目標炉内温度に維持した。 (もっと読む)


【課題】finFETにおける高集積化可能な、高濃度ソースドレインの形成方法の提供。
【解決手段】ソース領域、ドレイン領域およびソース領域とドレイン領域の間のチャネル領域を有するフィンを形成する。チャネル領域にダイレクトコンタクトする絶縁層と、絶縁層にダイレクトコンタクトする伝導性のゲート物質とを有するゲートスタックを形成する。チャネル領域を残したまま、ソース領域およびドレイン領域をエッチング除去する。ソース領域およびドレイン領域に隣接したチャネル領域の両側にソースエピタキシー領域およびドレインエピタキシー領域を形成する。ソースエピタキシー領域およびドレインエピタキシー領域は、エピタキシャル半導体を成長させながら、その場ドープされる。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極の一部にメタルゲート電極を有するMISEFTにおいて、メタルゲート電極を構成するグレインの配向性のばらつきに起因するMISFETのしきい値電圧のばらつきを小さくする。
【解決手段】メタルゲート電極4a、4bに炭素(C)を導入することにより、メタルゲート電極4a、4b内のグレインの粒径が大きくなることを防ぎ、メタルゲート電極4a、4bの中に多数の小さいグレインを形成することにより、グレインの配向性を均一化し、ゲート電極の仕事関数のばらつきを低減する。 (もっと読む)


【課題】改善された性能を有し、かつ縮小されたサイズを有することのできるコーナートランジスターを提供する。また、コーナートランジスターを製作する方法を提供し、それがトランジスターの性能を改善するとともに、簡単なプロセスを介して、そのサイズを縮小することができる。
【解決手段】この発明のコーナートランジスターを製作する方法を以下に記述する。分離構造(isolation structure)が基板中に形成されて能動エリア(active area)を定義する。処理プロセスが実施されて、能動エリア中の基板がそのトップエッジに鋭いコーナーを有するようにする。能動エリア中の基板がゲート誘電層により被覆される。ゲート導体がゲート誘電層上に形成される。ソース領域およびドレイン領域がゲート導体両側の基板中に形成される。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体装置の、ソース・ドレイン間のオン抵抗を低減する。
【解決手段】ソース・ドレイン間を走行する窒化物半導体層と下地となる窒化物半導体層の間に、両窒化物半導体層より電子親和力が大きく、下地となる窒化物半導体よりも格子定数の大きい材料を形成する。その結果、ゲート電圧の印加によりゲート絶縁膜の下方に形成されるチャネルと、ゲート部以外で形成される二次元電子ガスを、深さ方向において近づけることができ、オン抵抗の低減が可能となる。 (もっと読む)


【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板10上に、ゲート電極16と、ゲート電極16の両側のシリコン基板10内に形成されたソース/ドレイン拡散層24とを有するMOSトランジスタ26を形成し、シリコン基板10上に、ゲート電極16及びソース/ドレイン拡散層24を覆うようにNiPt膜28を形成し、熱処理を行うことにより、NiPt膜28とソース/ドレイン拡散層24の上部とを反応させ、ソース/ドレイン拡散層24上に、Ni(Pt)Si膜34a、34bを形成し、過酸化水素を含む71℃以上の薬液を用いて、NiPt膜28のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ni(Pt)Si膜34a、34bの表面に酸化膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】チャネル領域を拡大することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】素子分離用の溝部3を形成した後、素子分離絶縁膜4として、当該溝部3に埋め込まれた状態で基板2の面上を覆うシリコン酸化膜26,31を形成する工程と、シリコン酸化膜26,31上に少なくとも埋め込みゲート用の溝部10を形成する位置に開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、マスクパターンの開口部を通してシリコン酸化膜31を異方性エッチングにより選択的に除去することによって、当該シリコン酸化膜31に第1の溝部9と同じ幅及び深さとなる第2の溝部10を形成する工程と、第2の溝部10の底面及び側面に位置するシリコン酸化膜26,31を等方性エッチングにより選択的に除去することによって、当該第2の溝部10を活性領域6に形成される第1の溝部9よりも深く、且つ、第1の溝部9よりも大きい幅とする工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板10上に、ゲート電極16と、ゲート電極16の両側のシリコン基板10内に形成されたソース/ドレイン拡散層24とを有するMOSトランジスタ26を形成し、シリコン基板10上に、ゲート電極16及びソース/ドレイン拡散層24を覆うようにNiPt膜28を形成し、熱処理を行うことにより、NiPt膜28とソース/ドレイン拡散層24の上部とを反応させ、ソース/ドレイン拡散層24上に、Ni(Pt)Si膜34a、34bを形成し、過酸化水素を含む71℃以上の薬液を用いて、NiPt膜28のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ni(Pt)Si膜34a、34bの表面に酸化膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】微細化されても高耐圧トランジスタのドレイン耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極104Aの側面の側方下に位置する領域の半導体基板(活性領域)101の表面部が除去されて掘り下げ部121が形成されている。掘り下げ部121の側壁面及び底面の近傍に位置する部分の半導体基板101中に低濃度ドレイン領域105A2が形成されている。ゲート電極104Aの側面並びに掘り下げ部121の側壁面及び底面の一部を覆うように絶縁性サイドウォールスペーサ108Aが形成されている。絶縁性サイドウォールスペーサ108Aの外側で且つ掘り下げ部121の底面の近傍に位置する部分の半導体基板101中に、低濃度ドレイン領域105A2に囲まれるように高濃度ドレイン領域109A2が形成されている。 (もっと読む)


【課題】二重金属ゲートを有する構造体において金属膜の仕事関数を調整する為の改善した方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は単一金属膜に対し、NMOSにおいてはフッ素、PMOSにおいては炭素をそれぞれ選択的にドーピングすることによって形成される二重仕事関数の金属ゲート電極108’、109’を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極GE1,GE2、ソース・ドレイン用のn型半導体領域SD1及びp型半導体領域SD2を形成してから、半導体基板1上にNi−Pt合金膜を形成し、第1の熱処理を行って合金膜とゲート電極GE1,GE2、n型半導体領域SD1及びp型半導体領域SD2とを反応させることで、(Ni1−yPtSi相の金属シリサイド層13aを形成する。この際、Niの拡散係数よりもPtの拡散係数の方が大きくなる熱処理温度で、かつ、金属シリサイド層13a上に合金膜の未反応部分が残存するように、第1の熱処理を行う。その後、未反応の合金膜を除去してから、第2の熱処理を行って金属シリサイド層13aを更に反応させることで、Ni1−yPtSi相の金属シリサイド層13bを形成する。第2の熱処理の熱処理温度は580℃以上で、800℃以下とする。 (もっと読む)


【課題】シリコンエピタキシャル層の支えの喪失を防止した、局所SOI構造の形成方法の提供。
【解決手段】SiGe混晶層31SG1〜31SG4とシリコンエピタキシャル層31ES1,31ES2,31ES3および31ES4が積層された構造において、
それぞれ、Nウェル31NW及びPウェル31PWがSiGe混晶層31SG1〜31SG4側に突き出る構造を形成し、SiGe混晶層31SG1〜31SG4をエッチングにより除去する際に、支えとなるようにする。 (もっと読む)


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