説明

Fターム[5F140BG52]の内容

Fターム[5F140BG52]に分類される特許

1 - 20 / 924



【課題】トンネルFETのオン電流の劣化を抑制しつつ、オフ電流を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、溝が形成された基板と、前記基板上の前記溝に隣接する位置にゲート絶縁膜を介して形成され、前記溝の反対側に位置する第1側面と、前記溝側に位置する第2側面とを有するゲート電極とを備える。さらに、前記装置は、前記ゲート電極の前記第1側面に形成された第1の側壁絶縁膜と、前記ゲート電極の前記第2側面と前記溝の側面に形成された第2の側壁絶縁膜とを備える。さらに、前記装置は、前記基板内において、前記ゲート電極の前記第1側面に対し前記第1の側壁絶縁膜側に形成された、第1導電型のソース領域と、前記基板内において、前記ゲート電極の前記第2側面と前記溝の側面に対し前記第2の側壁絶縁膜側に形成された、第2導電型のドレイン領域とを備える。 (もっと読む)


【課題】トンネルトランジスタのトンネルオフリーク電流を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、基板と、前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備える。さらに、前記装置は、前記基板内に前記ゲート電極を挟むように形成された第1導電型のソース領域、および前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型のドレイン領域を備える。さらに、前記ゲート電極は、前記ゲート電極内の前記ソース領域側に形成された前記第1導電型の第1領域と、前記ゲート電極内の前記ドレイン領域側に形成され、前記第1領域に比べて、前記第1導電型の不純物濃度から前記第2導電型の不純物濃度を引いた値が低い第2領域とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン12をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極13nまたはゲート電極13pを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン12を除去し、ゲート電極13nまたはゲート電極13pの側面に付着した反応生成物14を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物14を除去する。 (もっと読む)


【課題】特性の良好な半導体装置を製造する。
【解決手段】本発明は、MISFETを有する半導体装置の製造方法であって、(a)半導体基板の上方に、シリコン膜と絶縁膜CPとの積層膜を形成する工程と、(b)積層膜をパターニングすることによりゲート電極GE1とその上部に配置された絶縁膜CPとの積層体を形成する工程と、(c)積層体の側壁にサイドウォール膜SWを形成する工程と、(d)絶縁膜CPを除去する工程と、(e)サイドウォール膜SWおよびゲート電極GE1の合成体の両側の半導体基板中および前記ゲート電極GE1中にヒ素(As)を注入する工程と、を有する。かかる製法によれば、ヒ素(As)のイオン注入によるゲート電極GE1の体積膨張、特に、横方向への膨らみを低減することができ、ゲート電極とコンタクトプラグとの短絡を低減できる。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極膜に注入したイオンがチャネル領域に達してMISFETの電気特性に影響を与えていた。
【解決手段】半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を介して形成されるとともに、第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第1ゲート電極膜と、前記第1ゲート電極膜上に形成されるとともに、酸素及び窒素のうち一方又は両方を含んだシリコンを主体とする介在層と、前記第1ゲート電極膜上に前記介在層を介して形成されるとともに、前記第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第2ゲート電極膜と、を含む電界効果トランジスタを有する。 (もっと読む)


【課題】高耐圧MOSFETの耐圧を向上させる。
【解決手段】MOSFETのドレイン領域を構成するLDD層6内に、LDD層6よりも不純物濃度層が低いN−−層11を形成して、チャネル領域側のドレイン領域端部の不純物濃度を低下させる。また、ソース領域側のLDD層7をLDD層6よりも浅い接合深さで、且つLDD層6よりも低い不純物濃度で形成する。これにより、オン状態およびオフ状態のいずれの状態においてもドレイン領域の電界を緩和し、インパクトイオンおよびパンチスルーの発生を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】オフリーク電流の抑制および駆動電流の増大を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置において、ゲート電極は、第1および第2のソース・ドレイン領域の間に設けられた第1リセス内に少なくとも一部がゲート絶縁膜を介して埋め込まれて第1および第2のソース・ドレイン領域よりも深い位置まで形成される。チャネルは、素子領域においてゲート絶縁膜に隣接して第1および第2のソース・ドレイン領域の間に形成される。一対の応力付与部は、素子分離領域において、ゲート電極のゲート幅方向に垂直な面内において第1および第2のソース・ドレイン領域の下部のチャネルと重複する領域に設けられ、素子分離領域の構成材料と異なる絶縁材料からなりチャネルに対してゲート幅方向の両側から応力を付与する。 (もっと読む)


【課題】レジストパターンの下地層への悪影響を及ぼすことなくスカムを最適に除去する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1の上に酸化膜5cを形成し、前記酸化膜5c上にフォトレジスト8を塗布し、前記フォトレジスト8を露光し、露光された前記フォトレジスト8を現像することにより前記フォトレジス8トに開口部8aを形成し、前記フォトレジスト8をマスクとして、前記酸化膜5cを酸素プラズマ処理し、前記酸素プラズマ処理の後、前記酸化膜5cと前記フォトレジスト8に希釈フッ酸を供給し、前記希釈フッ酸を供給する工程の後、前記フォトレジスト8をマスクとして前記酸化膜5cを通して記半導体基板1に一導電型不純物をイオン注入する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】ショットキー障壁の高さおよび幅を容易に制御すると共に寄生抵抗が低く、且つ短チャネル効果を効果的に抑制する。
【解決手段】金属ソース・ドレイン電極(ニッケルシリサイド)6とP型シリコン基板1との間に、セシウム含有領域5を形成している。こうして、金属ソース・ドレイン電極6近傍のセシウムをイオン化して正孔に対するエネルギー障壁高さを大きくし、金属ソース・ドレイン電極6とP型シリコン基板1との間のリーク電流を著しく低減する。また、チャネルと金属ソース・ドレイン電極6との間のショットキー障壁の高さおよび幅を実効的に小さくして寄生抵抗を著しく低減する。したがって、金属シリサイドの厚み(深さ)をイオン注入による制約なしに決定でき、極めて浅いソース・ドレインを形成して良好な短チャネル効果特性を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】仕事関数の異なる複数の電極層を有し、ゲート抵抗が低く、作製が容易なゲート電極を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、基板と、前記基板上に形成されたゲート絶縁膜とを備える。さらに、前記装置は、前記ゲート絶縁膜の上面に形成され、第1の仕事関数を有する第1の電極層と、前記ゲート絶縁膜の上面と前記第1の電極層の上面に連続して形成され、前記第1の仕事関数と異なる第2の仕事関数を有する第2の電極層と、を有するゲート電極と、前記ゲート電極の側面に形成された側壁絶縁膜とを備える。さらに、前記装置では、前記第1の電極層の上面の高さは、前記側壁絶縁膜の上面の高さよりも低い。 (もっと読む)


【課題】フィンがバルク基板上に形成されたフィン型トランジスタにおいて、ソース/ドレインボトム領域での接合リーク電流の増大を抑制しつつ、ソース/ドレインとソース/ドレイン上に形成されたシリサイドとの接触抵抗を低減する。
【解決手段】フィン型半導体3の両端部に形成した高濃度不純物拡散層10からなるソース/ドレインの側面に、フィン型半導体3の上部の表面が露出するようにしてオフセットスペーサ7およびサイドウォールスペーサ8を形成し、フィン型半導体3の上部の高濃度不純物拡散層10の表面には、シリサイド層9を形成する。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ間接続配線が吊りワード線と短絡してしまうのを回避すること。
【解決手段】第1の方向(X)に複数本並べて配置された活性領域(50)の各々は、第1の方向(X)と直交する第2の方向(Y)に離間して配置された2つの縦型トランジスタ(51)と、この2つの縦型トランジスタ(51)の間に位置するピラー(1a)と、から成る。半導体装置(100)は、複数本の活性領域(50)の中央の位置で、第1の方向(X)へ延在して配置された吊りワード線(23)と、2つの縦型トランジスタ(51)間を接続するために、第2の方向(Y)に延在し、かつ吊りワード線(23)を迂回するように構成されたトランジスタ間接続配線(21、10A、16)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ドレイン電流が大きく、且つ、製造が容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板の上に設けられたゲート電極と、ゲート電極の下に設けられたチャネル領域と、第1の不純物を有し、チャネル領域の一方の側に隣接して設けられ、且つ、チャネル領域とともに第1の境界を成すソース領域と、第2の不純物を有し、チャネル領域の他方の側に隣接して設けられ、且つ、チャネル領域とともに第2の境界を成すドレイン領域とを有する。ゲート電極のソース領域側の側面はゲート長方向に沿って延びる凸部を有し、ドレイン領域側の側面はゲート幅方向と平行である。第1の境界及び第2の境界は、ゲート電極のソース領域側の側面及びドレイン領域側の側面に対応する形状を有し、基板の表面上における第1の境界は、第2の境界の長さに比べて長い。 (もっと読む)


【課題】寄生抵抗が低く、接合リーク電流が抑制されたトランジスタを容易に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、シリコン基板中のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、シリコン基板に所望の不純物を注入することにより、チャネル方向に沿ってチャネル領域を挟むようにシリコン基板中にソース領域とドレイン領域とを形成し、ソース領域及びドレイン領域の表面をアモルファス化することにより、それぞれの表面に不純物を含むアモルファス領域を形成し、アモルファス領域の上にニッケル膜を形成し、マイクロ波を照射して、アモルファス領域とニッケル膜とを反応させてニッケルシリサイド膜を形成しつつ、アモルファス領域を固相成長させてアモルファス領域に含まれる不純物を活性化し、未反応のニッケル膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板50上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に、ゲート電極20およびハードマスク34を順に積層してなる積層体10を形成する工程と、積層体10をマスクとして、半導体基板50にイオン注入を行う工程と、積層体10の側面上に保護膜44を形成する工程と、エッチングによりハードマスク34を除去する工程と、エッチングにより保護膜44を除去する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】チャネル形成領域に対しトランジスタの電流駆動能力を向上させる方向に応力をかけ、さらに電流駆動能力が向上し、性能が向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板1aの活性領域1cが素子分離絶縁膜2で区画され、チャネル形成領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極8a、ソース・ドレイン領域及び被覆応力膜を有するNTrを有し、ソース・ドレイン領域の両側部に位置する素子分離絶縁膜2aの表面は、ソース・ドレイン領域の表面より低い位置に形成されており、ゲート電極8a、活性領域1c、及び表面がソース・ドレイン領域の表面より低い位置に形成された素子分離絶縁膜2aを被覆して、チャネル形成領域に対し引張応力を印加する被覆応力膜が形成されている構成とする。 (もっと読む)


【課題】ダミーゲート電極の除去により形成されたゲート溝へのゲート電極材料の埋め込み性を改善することにより、適切な閾値電圧を持つ電界効果型トランジスタを備えた半導体装置を容易に実現できるようにする。
【解決手段】ゲート電極111bは、それぞれ金属又は導電性金属化合物からなる第1導電膜108b、第2導電膜109b及び第3導電膜110bが下から順に形成された積層構造を有し、ゲート電極111aは、第2導電膜109a及び第3導電膜110aが下から順に形成された積層構造を有する。第1導電膜108bの仕事関数と第2導電膜109a、109bの仕事関数とは異なっている。第1導電膜108bは板状に形成されており、第2導電膜109a、109bは凹形状に形成されている。 (もっと読む)


【課題】チャネル形成領域に対しトランジスタの電流駆動能力を向上させる方向に応力をかけ、さらに電流駆動能力が向上し、性能が向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板(1a,1b)の活性領域(1c,1d)が素子分離絶縁膜(2,6a)で区画され、チャネル形成領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極(8a,8b)、ソース・ドレイン領域及び被覆応力膜を有するNTrとPTrを有し、活性領域におけるゲート長方向が<100>方向であり、素子分離絶縁膜としてNTrにおけるソース・ドレイン領域の両端部に第1の引張応力膜6aが形成され、ソース・ドレイン領域の両端部以外に第1の圧縮応力膜2が形成され、PTrの素子分離絶縁膜は第1の圧縮応力膜2が形成され、被覆応力膜としてNTrに第2の引張応力膜が形成され、PTrに第2の圧縮応力膜が形成されている構成とする。 (もっと読む)


【課題】高耐圧トランジスタ形成に適した半導体装置の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、シリコン基板に第1導電型第1領域と、第1領域に接する第2導電型第2領域を形成し、ゲート絶縁膜を形成し、第1領域と第2領域とに跨がるゲート電極を形成し、ゲート電極上から第2領域上に延在する絶縁膜を形成し、ゲート電極をマスクとし第2導電型不純物を注入してソース領域およびドレイン領域を形成し、ゲート電極および絶縁膜を覆って金属層を形成し熱処理を行って、ソース領域、ドレイン領域及びゲート電極にシリサイドを形成し、層間絶縁膜にソース領域、ドレイン領域、ゲート電極に達する第1、第2、第3コンタクトホール、及び絶縁膜に達する孔を形成し、第1〜第3コンタクトホール及び孔に導電材料を埋め込み、第1〜第3導電ビアと、孔の内部に配置された導電部材とを形成する。 (もっと読む)


1 - 20 / 924