【課題】インパクトイオン化ＭＩＳＦＥＴに関して、微細素子において二つの入力によりＡＮＤ型論理素子動作することを可能とし、素子バラツキを低減することを可能とし、消費電力を低減することを可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型または真性である半導体領域の表面上に形成された二つの独立した第一および第二のゲート電極への両者への入力により反転層が形成された場合に、インパクトイオン化によるスイッチング動作が可能となることを特徴とする、半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の側壁を熱酸化させて修復する際に、Ｔｉ元素を含む金属材料からなるゲート電極膜の酸化を抑制する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート絶縁膜の側壁にプラズマによって活性化させた反応ガスを供給する工程を有する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜上にはＴｉ元素を含む金属材料からなるゲート電極膜が形成されており、前記反応ガス中に含まれるＯ_２ガスの流量を、前記反応ガス中に含まれるＨ_２ガスの流量の１／１９以下とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の信頼性が向上した炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】第１と第２の主面を有する炭化珪素基板（１０１）と、炭化珪素基板の第１の主面に設けられた第１導電型の炭化珪素層（１０２）と、炭化珪素層の表面に設けられた第２導電型の第１の炭化珪素領域（１０３）と、第１の炭化珪素領域内の表面に設けられた第１導電型の第２の炭化珪素領域（１０４）と、炭化珪素層、第１の炭化珪素領域、及び第２の炭化珪素領域が連続して連なる部分に跨るように選択的に設けられたゲート絶縁膜（１０５）と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極（１０６）と、第２及び第１の炭化珪素領域の隣接する部分に選択的に設けられたトレンチに埋め込まれた第１の電極（１０８）と、炭化珪素基板の前記第２の主面に形成された第２の電極（１０７）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを折り曲げることにより、Ｐチャネル電界効果型トランジスタとＮチャネル電界効果型トランジスタの移動度を同時に向上させる。
【解決手段】 ＜１１０＞方向に沿って凹状に折り曲げられた（１００）基板１１には、＜１１０＞方向に沿って（１００）基板１１の折り曲げ方向と平行にチャネルが配置されたＰチャネル電界効果型トランジスタが形成されるとともに、＜１１０＞方向に沿って（１００）基板１１の折り曲げ方向と平行にチャネルが配置されたＮチャネル電界効果型トランジスタが形成され、Ｎチャネル電界効果型トランジスタ上には、（１００）基板１１の折り曲げによる圧縮応力よりも大きな引っ張り応力Ｆ１´を印加するゲートキャップ膜１５が形成されている。
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【課題】ゲート長が１００ｎｍ以下であってもオフリーク電流を十分に抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎ型ウェル並びにゲート絶縁膜３２及びゲート電極３３が形成された半導体基板３１に対し、リンをイオン注入することにより、半導体基板３１の表面にＮ型ポケット層３４を形成する。ゲート電極３３の長さ（ゲート長）は、１００ｎｍ以下である。イオン注入は、４方向からの斜めイオン注入により行う。また、例えば、注入エネルギを１５乃至３０ｋｅＶとし、ドーズ量を１方向当たり３×１０¹²乃至１．５×１０¹³ｃｍ^-2とする。この方法によれば、Ｎ型ポケット層３４の形成にあたり、リンのイオン注入を行っているので、ゲート長を１００ｎｍ以下と短くしても、チャネル近傍に強い電界が発生することを抑制することができる。このため、ＢＤ間リーク電流を抑制して、オフリーク電流を低減することが可能である。 （もっと読む）