【課題】論理回路をできるだけ小さな回路面積で形成可能な半導体回路を提供する。
【解決手段】半導体回路は、第１および第２のトランジスタで共有されるゲート領域と、ゲート領域に接するように配置されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接するように配置される半導体層と、を備える。半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第１のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第２のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。導通路形成領域は、ゲート領域が所定の電圧範囲のときには、反転層形成領域から伸びる空乏層により遮断される。 （もっと読む）

【課題】微細化が進展しても、データ書き込み時には閾値が低く、“１”データ保持時には閾値が高くすることができ、良好なデータ書き込み特性および良好なデータ保持特性の両立を図ることが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極Ｇ１の側壁には側壁絶縁膜３５が形成される。ｎ型拡散層３６の表面にはビット線コンタクト５１が形成され、ｎ型拡散層２７は、埋め込みストラップ４１、及びポリシリコン電極２２Ａを介してストレージノード電極２２に接続されている。側壁絶縁膜３５は、トレンチキャパシタ側、即ちストレージノード電極２２側の厚さが、ビット線コンタクト５１側の厚さよりも大きくされている。 （もっと読む）