Fターム[5F140BH11]の内容
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | ソース、ドレイン領域及びSD近傍領域 (10,828) | 不純物分布 (3,598)
Fターム[5F140BH11]の下位に属するFターム
平面分布の形状、配置 (82)
断面分布の形状、配置 (3,436)
コンタクト部との関連 (78)
Fターム[5F140BH11]に分類される特許
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半導体回路および論理回路
【課題】論理回路をできるだけ小さな回路面積で形成可能な半導体回路を提供する。
【解決手段】半導体回路は、第1および第2のトランジスタで共有されるゲート領域と、ゲート領域に接するように配置されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接するように配置される半導体層と、を備える。半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第1のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第2のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。導通路形成領域は、ゲート領域が所定の電圧範囲のときには、反転層形成領域から伸びる空乏層により遮断される。
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半導体記憶装置
【課題】微細化が進展しても、データ書き込み時には閾値が低く、“1”データ保持時には閾値が高くすることができ、良好なデータ書き込み特性および良好なデータ保持特性の両立を図ることが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極G1の側壁には側壁絶縁膜35が形成される。n型拡散層36の表面にはビット線コンタクト51が形成され、n型拡散層27は、埋め込みストラップ41、及びポリシリコン電極22Aを介してストレージノード電極22に接続されている。側壁絶縁膜35は、トレンチキャパシタ側、即ちストレージノード電極22側の厚さが、ビット線コンタクト51側の厚さよりも大きくされている。
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