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Fターム[5F140BH15]の内容

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | ソース、ドレイン領域及びSD近傍領域 (10,828) | 不純物分布 (3,598) | 断面分布の形状、配置 (3,436) | 追加領域(エクステンション領域を含む) (3,054) | LDD(Lightly doped dorain−source) (1,105)

Fターム[5F140BH15]に分類される特許

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【課題】 ひずみSi/Si1-XGeXデバイス基板において、極めて浅い接合を形成する方法およびそれによって得られる半導体構造を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスを形成する方法(およびその結果として得られる構造)は、基板上に、ドーパントおよび少なくとも1つの種を注入するステップと、基板をアニールするステップであって、少なくとも1つの種が、基板のアニールの間のトーパントの拡散を遅らせるステップと、を含む。 (もっと読む)


少なくとも1種のジュウテリウム置換窒素化合物と水素同位体を含まない1または2以上の珪素含有化合物からのジュウテリウム置換窒化珪素含有材料作製方法を提供する。適するジュウテリウム置換窒素化合物として例えばNHD、NHD及びNDを用い、適する珪素含有化合物として例えばSiCl及びSiClを用いる。本発明に従って得られるジュウテリウム置換窒化珪素含有材料は例えばトランジスタ装置中へ組み入れることができ、これにより得られたトランジスタ装置をDRAMセル中に用い、さらに得られたDRAMセルを電子システム中に用いることができる。

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Si(100)基板の表面にシリコン酸化膜を形成した後、このシリコン酸化膜をプラズマ窒化して酸窒化シリコン膜にする。その後NOガス雰囲気中で770乃至970℃の温度条件下で熱処理することにより、ゲート絶縁膜における基板との界面部分の窒素濃度を1乃至10原子%にすると共に、基板と酸窒化シリコン膜との界面に存在する界面Si結合欠陥の結合手の方位角分布が、基板の[100]方位に対して25°以上の角度にピークをもつようにする。 (もっと読む)


縦方向、横方向に交互に配置されたソース領域(22)、ソースボディ領域(26)、ドリフト領域(20)、ドレインボディ領域(28)、およびドレイン領域(24)をそれぞれ有するセル(18)を、減表面電界を達成するための構造とともに有する、電界効果トランジスタである。実施形態における構造は、ソースまたはドレイン領域(22、24)近傍にゲート領域(31)を定義する縦方向に離間された絶縁ゲートトレンチ(35)と、ドリフト領域(20)近傍に縦方向に延在する電位プレート領域(33)と、を含むことができる。代替的に、別個の電位プレート領域(33)または縦方向に延在する半絶縁フィールドプレート(50)をドリフト領域(20)近傍に設けてもよい。このトランジスタは、双方向切り替えに適している。
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【課題】 サブミクロンCMOSトランジスタを、アナログCMOSトランジスタ、高耐圧MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗などと一緒に、それぞれの特性を劣化させることなく、同一基板上に混載すること。
【解決手段】 半導体基板1の一主面側にパンチスルーストッパー層を形成する際に、アナログCMOSトランジスタ、高耐圧MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗を形成する領域をマスクしてたとえばイオン注入をおこなう。それによって、サブミクロンCMOSトランジスタの形成領域にパンチスルーストッパー領域4を形成するとともに、アナログCMOSトランジスタ、高耐圧MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗の形成領域にパンチスルーストッパー領域が形成されるのを防ぐ。 (もっと読む)


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