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Fターム[5F140BJ00]の内容

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | ソース・ドレイン電極 (8,852)

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【課題】層間絶縁膜を厚くしなくてもソース配線の外にドレイン配線を引き出せ、かつ、LOCOS酸化膜や層間絶縁膜などの絶縁膜の絶縁破壊を防止できるようにする。
【解決手段】素子部8から配線引出し部9に延設されるようにn-型ドリフト層4の裏面に裏面電極19を備え、この裏面電極19とソース配線18との間に電流が流れるような構造、つまりn-型ドリフト層4の表裏を貫通して縦方向に電流を流す構造にする。そして、裏面電極19を配線引出し部9まで延設し、n+型コンタクト領域21、配線引出し部9のn-型ドリフト層4、nウェル領域20およびn+型コンタクト領域21を通じてドレイン配線23と接続する。すなわち、裏面電極19を通じて電流が流れるようにすることにより、ドレイン配線23を素子部8の外に引き出した構造とする。 (もっと読む)


【課題】ニッケルフルシリサイドゲート(Ni Fully Silicided Gate、以下Ni−FUSIゲートとする。)において、不純物が導入されたポリシリコンに対して、Ni堆積膜厚を厚くしてシリサイド化を行うと、ゲート電極とゲート絶縁膜との界面への不純物の偏析が抑制されるため、Ni−FUSIゲートとゲート絶縁膜との界面における不純物の偏析量が多く、かつNiの組成が大きいNi−FUSIゲートを形成することが困難な点である。
【解決手段】ゲート電極をシリサイドで構成する半導体装置の製造方法であって、第1のゲート電極、および第2のゲート電極が形成されるポリシリコン膜上に、ニッケル膜を前記ポリシリコン膜に対して所定の膜厚比で堆積して、前記ポリシリコン膜をニッケルシリサイド化する第1の工程と、前記第1のゲート電極を、さらにニッケルシリサイド化する第2の工程とを用いる。 (もっと読む)


ゲート電圧VGSの印加によって、強磁性ソースにおける金属的スピンバンドによるショットキー障壁幅が減少し、この金属的スピンバンドからのアップスピン電子がチャネル領域にトンネル注入される。このとき強磁性ソース3aの半導体的スピンバンドによるエネルギー障壁により非磁性コンタクト3bからダウンスピン電子は注入されない。すなわち、強磁性ソース3aからはチャネル層へアップスピン電子のみが注入される。強磁性ソース3aと強磁性ドレイン5aとが平行磁化の場合では、アップスピン電子は強磁性ドレインの金属的スピンバンドを伝導してドレイン電流となるが、反平行磁化を持つ場合では、アップスピン電子は強磁性ドレイン5aにおける半導体的スピンバンドによる高さΔEcのエネルギー障壁よって強磁性ドレイン5aを伝導することができない。 上記動作原理のMISFETに基づき、高性能・高集積密度の不揮発性メモリを構成することができる。
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