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Fターム[5F140BJ07]の内容

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Fターム[5F140BJ07]に分類される特許

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【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜20を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜18と上記コラプス抑制膜18上に形成されたSiO絶縁膜17とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ12によりSiC基板1の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部13によりSiC基板1からの発光を検出し、表示部14によりSiC基板1の発光強度の面内分布を得て、SiC基板1の窒素混入量を評価した後、SiC基板1の上方に化合物半導体積層構造2を形成する。 (もっと読む)


【課題】耐圧を向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】GaN系HFETは、ゲート絶縁膜17をなす半絶縁膜の抵抗率ρが、電流密度が6.25×10−4(A/cm)であるとき、3.9×10Ωcmであった。抵抗率ρ=3.9×10Ωcmの半絶縁膜によるゲート絶縁膜15を備えたことで、1000Vの耐圧が得られた。ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×1011Ωcmを超えると耐圧が急減し、ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×10Ωcmを下回るとゲートリーク電流が増大する。 (もっと読む)


【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域30を含むFET34、活性領域30からなるスクライブライン36、FET34とスクライブライン36との間に位置する不活性領域32、及び不活性領域32を横断してFET34とスクライブライン36とを電気的に接続する接続領域38を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜20を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜20に選択的に開口部21を形成する工程と、を有する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】ヘテロ接合を利用した新規な保護素子を提供すること。
【解決手段】 半導体装置10の保護部36は、配線下層11Bと、配線下層11Bとは異なるバンドギャップを有する配線上層13を有している。配線上層13は、第1部位41と中間部位43と第2部位45を含んでいる。配線上層13と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガス層が、第1部位41と中間部位43の間で分離されており、第2部位45と中間部位43の間で分離されている。第1部位41と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ドレイン電極21に電気的に接続されている。第2部位45と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ソース電極28に電気的に接続されている。中間部位43と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ゲート電極25に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaN・HEMTを実現する。
【解決手段】SiC基板1上に化合物半導体積層構造2を備えたAlGaN/GaN・HEMTにおいて、3層のキャップ層2eを用いることに加え、キャップ層2eのドレイン電極5の近傍(ゲート電極6とドレイン電極5との間で、ドレイン電極5の隣接箇所)に高濃度n型部位2eAを形成し、高濃度n型部位2eAでは、そのキャリア濃度が電子供給層2dのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。 (もっと読む)


【課題】複数のチャネルを有する窒化物半導体装置において、ノーマリオフかつ低オン抵抗を実現する技術を提供する。
【解決手段】第1の窒化物半導体層3,5,7と、第1の窒化物半導体層よりも禁制帯幅が大きい第2の窒化物半導体層5,6,8とが積層されたヘテロ接合体を少なくとも2つ以上有する窒化物半導体積層体10を備え、窒化物半導体積層体10に設けられたドレイン電極14と、ソース電極13と、ドレイン電極14とソース電極13の両者に対向して設けられたゲート電極15,16とを有し、ドレイン電極14とソース電極13は、窒化物半導体積層体10の表面または側面に配置され、ゲート電極15,16は、窒化物半導体積層体10の深さ方向に設けられた第1ゲート電極15と、該第1ゲート電極15と窒化物半導体積層体10の深さ方向の配置深さが異なる第2ゲート電極16とを有する。 (もっと読む)


【課題】電極構造体、それを備える窒化ガリウム系の半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】GaN系の半導体層GL10と、GaN系の半導体層上に備えられた電極構造体500A,500Bと、を備え、電極構造体500A,500Bは、導電物質を含む電極要素50A、50Bと、電極要素50A,50BとGaN系の半導体層200との間に備えられた拡散層5A、5Bと、を備え、拡散層5A,5Bは、n型ドーパントを含み、n型ドーパントは、4族元素を含み、拡散層と接触したGaN系の半導体層200の領域は、n型ドーパント(例えば、4族元素)でドーピングされる窒化ガリウム系の半導体素子である。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム(GaN)系のHEMTを保護するダイオード構造を備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10のうちGaN層13に2次元電子ガスが生成される領域が活性層領域40とされ、基板10のうち活性層領域40を除いた領域にイオン注入が施されていることにより活性層領域40とは電気的に分離された領域が素子分離領域50とされている。そして、ダイオード60は素子分離領域50の層間絶縁膜20の上に配置されている。このように、基板10のうちHEMTが動作する活性層領域40とは異なる素子分離領域50を設けているので、1つの基板10にGaN−HEMTとダイオード60の両方を備えた構造とすることができる。 (もっと読む)


【課題】基板を貫通するバイアホールを与える。
【解決手段】半導体デバイス構造は、第1の濃度および第1の導電型のバックグラウンドドーピングを有する基板を含んでなる。基板貫通バイアは基板を貫通している。デバイスは基板の第1の面上に第2の導電型の第1のドープ領域を有する。第2のドープ領域が基板貫通バイアの周りにある。第2のドープ領域は、第1の濃度よりも大きい第2の濃度にドーピングされており、第1の導電型を有する。 (もっと読む)


【課題】ヘテロ構造電界効果トランジスタに関して、電流崩壊、ゲートリークおよび高温信頼性などの課題を解消する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ(HEMT)、金属−絶縁半導体電界効果トランジスタ(MISFET)あるいはこれらの組み合わせなどの集積回路(IC)デバイスの装置、方法およびシステムであって、該ICデバイスは、基板102上で形成されたバッファ層104と、アルミニウム(Al)と窒素(N)とインジウム(In)またはガリウム(Ga)の少なくとも1つを含み、バッファ層104上に形成されたバリア層106と、窒素(N)とインジウム(In)またはガリウム(Ga)の少なくとも1つとを含み、バリア層106上に形成されたキャップ108層と、キャップ層108に直接連結され、その層上に形成されたゲート118と、を含む。 (もっと読む)


【課題】しきい電圧の変動を減らした高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体を含む基板上に形成され、二次元電子ガスチャネルとデプリーション領域とを備えるチャネル層と、二次元電子ガスチャネルに対応するように、チャネル層上に形成された第1チャネル供給層と、チャネル層のデプリーション領域及び第1チャネル供給層の一部の領域上に形成されたデプリーション層と、第1チャネル供給層上に形成され、デプリーション領域を挟んで対向するソース及びドレイン電極と、デプリーション層上に形成されたゲート電極と、を備え、第1チャネル供給層より分極率が小さい第2チャネル供給層を、チャネル層のデプリーション領域及び第1チャネル供給層の一部の領域上に備え、デプリーション層が第2チャネル供給層上に備えられる、高電子移動度トランジスタである。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の発生を抑え、デバイスのリーク電流の発生、耐圧低下、しきい値電圧の継時変化、およびショートチャネル効果を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】単結晶AlNからなる基板を準備するステップと、前記単結晶AlNからなる基板の表面を酸素プラズマによって酸化し、単結晶AlNからなる基板上に酸化アルミニウムまたはアルミニウムオキシナイトライドからなる絶縁膜を形成するステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高電圧動作時においても電流コラプス現象を十分に抑制し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】HEMTは、化合物半導体層2と、開口を有し、化合物半導体層2上を覆う保護膜と、開口を埋め込み、化合物半導体層2上に乗り上げる形状のゲート電極7とを有しており、保護膜は、酸素非含有の下層絶縁膜5と、酸素含有の上層絶縁膜6との積層構造を有しており、開口は、下層絶縁膜5に形成された第1の開口5aと、上層絶縁膜6に形成された第1の開口5aよりも幅広の第2の開口6aとが連通してなる。 (もっと読む)


【課題】ゲートリーク電流が低減され、かつ、ノーマリーオフ動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された第1の半導体層12と、第1の半導体層12の上に形成された第2の半導体層13と、第2の半導体層13の上に形成された下部絶縁膜31と、下部絶縁膜31の上に、p型の導電性を有する酸化物により形成された酸化物膜33と、酸化物膜33の上に形成された上部絶縁膜34と、上部絶縁膜34の上に形成されたゲート電極41と、を有し、ゲート電極41の直下において、下部絶縁膜31の表面には凹部が形成されている半導体装置。 (もっと読む)


【課題】耐圧をより向上することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された化合物半導体積層構造8と、基板1と化合物半導体積層構造8との間に形成された非晶質性絶縁膜2と、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】半導体層と電極との間に絶縁膜を介するMIS構造を採用するも、オン抵抗の上昇及び閾値の変動を抑止し、信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】AlGaN/GaN・HEMTは、化合物半導体積層構造2と、化合物半導体積層構造2の表面と接触する挿入金属層4と、挿入金属層4上に形成されたゲート絶縁膜7と、挿入金属層4の上方でゲート絶縁膜7を介して形成されたゲート電極8とを含み構成される。 (もっと読む)


【課題】ノーマリオフ動作を実現しながら良好な伝導性能を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3及び電子供給層5と、電子供給層5上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11dと、電子供給層5とゲート電極11gとの間に形成されたp型半導体層8と、電子供給層5とp型半導体層8との間に形成され、電子供給層5よりもバンドギャップが大きい正孔障壁層6と、が設けられている。 (もっと読む)


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