Fターム[5F140BJ27]の内容
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Fターム[5F140BJ27]に分類される特許
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半導体装置及びその製造方法
【課題】柱状半導体層の幅を広く維持することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、一つの直線上に順に形成された、第1、第2及び第3の柱状半導体層と、第2及び第3の柱状半導体層の間の空間であって第2及び第3の柱状半導体層の側面に夫々設けられた第1及び第2のゲート電極と、第1及び第2の柱状半導体層の間の空間及び第2及び第3の柱状半導体層の空間に埋め込まれた層間絶縁膜とを有する。層間絶縁膜は、第1及び第2の柱状半導体層の間の空間内であってゲート電極を介することなく第1及び第2の柱状半導体層の側面に形成され、第2及び第3の柱状半導体層の間の空間内であって第1及び第2のゲート電極を介して第2及び第3の柱状半導体層の側面に形成されている。
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半導体装置の製造方法
【課題】金属シリサイド層の異常成長を防止する。
【解決手段】半導体基板1にゲート絶縁膜5、ゲート電極6a,6b、ソース・ドレイン用のn+型半導体領域7bおよびp+型半導体領域8bを形成する。それから、サリサイド技術によりゲート電極6a,6bおよびソース・ドレイン領域上に金属シリサイド層13を形成する。そして、金属シリサイド層13の表面を還元性ガスのプラズマで処理してから、半導体基板1を大気中にさらすことなく、金属シリサイド層13上を含む半導体基板1上に窒化シリコンからなる絶縁膜21をプラズマCVD法で堆積させる。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】ゲート電極膜に注入したイオンがチャネル領域に達してMISFETの電気特性に影響を与えていた。
【解決手段】半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を介して形成されるとともに、第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第1ゲート電極膜と、前記第1ゲート電極膜上に形成されるとともに、酸素及び窒素のうち一方又は両方を含んだシリコンを主体とする介在層と、前記第1ゲート電極膜上に前記介在層を介して形成されるとともに、前記第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第2ゲート電極膜と、を含む電界効果トランジスタを有する。
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半導体装置
【課題】バルク半導体基板上に形成されるトンネルトランジスタ同士を電気的に分離することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成された第1および第2の素子分離絶縁膜とを備える。さらに、前記装置は、前記第1および第2の素子分離絶縁膜間の前記半導体基板上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を備える。さらに、前記装置は、前記半導体基板内に前記ゲート電極を挟むように形成された、第1導電型の第1の主端子領域および前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型の第2の主端子領域を備える。さらに、前記装置は、前記半導体基板内に前記第1および第2の素子分離絶縁膜に接するように形成され、前記第1および第2の主端子領域の下面よりも深い位置に上面を有する、前記第2導電型の第1の拡散層を備える。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】動作速度を向上し消費電力を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に第1の領域を画定する第1の素子分離絶縁膜と、半導体基板の第1の領域に形成された第1導電型の第1の導電層と、半導体基板上に形成され、第1の領域の一部である第2の領域に第1の導電層に接続して形成された第1導電型の第2の導電層と、第1の領域の他の一部である第3の領域に第1の導電層に接続して形成された第1導電型の第3の導電層とを有する半導体層と、半導体層内に設けられ、第2の導電層と第3の導電層とを分離する第2の素子分離絶縁膜と、第2の導電層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、第3の導電層を介して第1の導電層に電気的に接続されたゲート電極とを有する。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】プロセス条件の見直しを最小限に抑制しつつ電気的特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、半導体構造11の上面領域に形成された島状の絶縁膜20と、絶縁膜20の上面領域に配列された複数の凸状絶縁部23と、これら凸状絶縁部23と絶縁膜20とを被覆する層間絶縁膜26とを備える。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】半導体装置のトランジスタのシリコンピラー上部に活性領域を設ける際に、エピタキシャル成長により前記シリコンピラー上部に形成されるシリコン膜の高さが、前記トランジスタ毎にばらつくことを防ぎ、前記シリコン膜への導電型ドーパントの注入深さを均一にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の主面に柱状のシリコンピラーを形成するシリコンピラー形成工程と、前記シリコンピラーを覆うように第1の絶縁膜を形成する第1絶縁膜形成工程と、前記第1の絶縁膜を上面から除去し、前記シリコンピラー上部の上面及び側面を露出させる第1絶縁膜除去工程と、前記シリコンピラー上部の上面及び側面にエピタキシャル成長法によりシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程とを有する。
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半導体装置の製造方法
【課題】良好な特性の確保、素子サイズの増加の回避、及び製造プロセスの簡素化を実現できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板111の主面に、LOCOS酸化膜112bを含む酸化膜112を形成する工程と、Si基板111の主面の側に、ソース・ゲート形成領域113aとドレイン形成領域113bとを形成する工程と、レジスト116をマスクとして、Si基板111の主面の側のLOCOS酸化膜112bで覆われていないトレンチ114を通してイオン117注入を行い、イオン注入層118を形成する工程と、LOCOS酸化膜112b上及びソース・ゲート形成領域113a上を部分的に覆うようにゲート電極119を形成する工程とを有し、イオン注入層118のゲート電極119側の端部とゲート電極119のイオン注入層118側の端部との間に間隔121が存在するように、各工程を行う。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】FinFETの隣接するフィン同士のショートを回避しつつ、エピタキシャル層の表面積を広く確保する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成され、(110)面である側面を有するフィンとを備える。さらに、前記装置は、前記フィンの側面に形成されたゲート絶縁膜と、前記フィンの側面および上面に、前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備える。さらに、前記装置は、前記フィンの側面に、フィン高さ方向に沿って順に形成された複数のエピタキシャル層を備える。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】トレンチ分離構造の上面の周縁部にディボットが形成されても、このディボットに起因するゲート絶縁膜の破壊を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、トレンチ分離構造20Bと、トレンチ分離構造20Bで区画される活性領域上に形成されたゲート絶縁膜30と、ゲート絶縁膜30の上面からトレンチ分離構造20Bの上面まで延在するゲート電極層31と、ゲート電極層31の両側に形成された第1及び第2の不純物拡散領域13D,13Sとを備える。ゲート電極層31は、ゲート絶縁膜30と第1の不純物拡散領域13Dとの間の領域に貫通孔31hを有し、貫通孔31hは、トレンチ分離構造20Bの上面の周縁部の直上に形成されている。
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半導体装置
【課題】短チャネル効果の抑制およびオフリーク電流の抑制が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、半導体基板において素子分離領域によって仕切られた素子領域と、前記素子領域を横切る所定の方向に沿って前記素子領域の表層に設けられたゲートトレンチにより分離されて前記素子領域の表層に形成されたソース領域およびドレイン領域とを備える。また、実施形態の半導体装置は、少なくとも一部が前記ゲートトレンチ内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれて前記ソース領域およびドレイン領域よりも深い位置まで形成されたゲート電極を備える。ドレイン領域における前記ゲート絶縁膜と接触する界面は、前記ゲート電極側に突出した凸部を有する。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】高耐圧MOSFETの耐圧を向上させる。
【解決手段】MOSFETのドレイン領域を構成するLDD層6内に、LDD層6よりも不純物濃度層が低いN−−層11を形成して、チャネル領域側のドレイン領域端部の不純物濃度を低下させる。また、ソース領域側のLDD層7をLDD層6よりも浅い接合深さで、且つLDD層6よりも低い不純物濃度で形成する。これにより、オン状態およびオフ状態のいずれの状態においてもドレイン領域の電界を緩和し、インパクトイオンおよびパンチスルーの発生を防ぐ。
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半導体装置の製造方法
【課題】レジストパターンの下地層への悪影響を及ぼすことなくスカムを最適に除去する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1の上に酸化膜5cを形成し、前記酸化膜5c上にフォトレジスト8を塗布し、前記フォトレジスト8を露光し、露光された前記フォトレジスト8を現像することにより前記フォトレジス8トに開口部8aを形成し、前記フォトレジスト8をマスクとして、前記酸化膜5cを酸素プラズマ処理し、前記酸素プラズマ処理の後、前記酸化膜5cと前記フォトレジスト8に希釈フッ酸を供給し、前記希釈フッ酸を供給する工程の後、前記フォトレジスト8をマスクとして前記酸化膜5cを通して記半導体基板1に一導電型不純物をイオン注入する工程を含む。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】論理素子のnチャネルMOSトランジスタに十分な膜厚の引張応力膜を形成し、メモリ素子がゲート電極間の層間絶縁膜の埋込不良を生じない製造方法の提供。
【解決手段】論理素子は、第1及び第2のnチャネルMOSトランジスタを含み、第1のゲート高さGH1及び第1のゲート長を有するゲート電極を有し、ゲート電極は第1の間隔Dを有し、メモリ素子は、第3および第4のnチャネルMOSトランジスタを含み、ゲート高さGH2および第2のゲート長を有するゲート電極を含み、論理素子及びメモリ素子は第1の引張応力膜64で覆われ、論理素子は、さらに第2の引張応力膜65で覆われ、論理素子及びメモリ素子のゲート間に形成された引張応力膜の最小距離は各々第1の距離LL及び第1の距離LMで隔てられ、第1のアスペクト比(GH1/LL)と、第2のアスペクト比(GH2/LM)とは略等しい。
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窒化物半導体装置およびその製造方法
【課題】ノーマリオフ型のHEMT構造を有し、かつ優れたデバイス特性を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、窒化物半導体からなる電子走行層3と、電子走行層3に積層され、電子走行層3とはAl組成が異なり、Alを含む窒化物半導体からなる電子供給層4と、電子供給層4と電子走行層3との界面に連続する界面を有し、電子走行層3上に形成された酸化膜11と、酸化膜11を挟んで電子走行層3に対向するゲート電極8とを含む。
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半導体装置および半導体装置の製造方法
【課題】 寄生抵抗を低減可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、第1半導体層の表面に沿って延びる突起(2)を有する第1半導体層(1)を含む。ゲート電極(12)は、突起の表面をゲート絶縁膜を挟んで覆う。第2半導体層(28, 45)は、突起のゲート電極により覆われる部分と別の部分の側面上に形成され、溝(31, 52)を有する。ソース/ドレイン領域(30, 46)は、第2半導体層内に形成される。シリサイド膜(33)は、溝内の表面を含め第2半導体層の表面を覆う。導電性のプラグ(37)は、シリサイド膜と接する。
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窒化物半導体装置
【課題】スイッチングノイズ発生を抑制できるノーマリオフ形の窒化物半導体装置の提供。
【解決手段】本発明の実施形態の窒化物半導体装置は、AlxGa1−xN(0≦x<1)からなる第1の半導体層4と、AlyGa1−yN(0<y≦1、x<y)からなる第2の半導体層5と、導電性基板2と、第1の電極6と、第2の電極8と、制御電極7と、を備える。第2の半導体層は第1の半導体層に直接接合する。第1の半導体層は、導電性基板に電気的に接続される。第1の電極及び第2の電極は、第2の半導体層の表面に電気的に接続される。制御電極は、第1の電極と第2の電極との間の第2の半導体層の前記表面上に設けられる。第1の電極は、Si−MOSFET102のドレイン電極8aに電気的に接続される。制御電極は、前記MOSFETのソース電極6aに電気的に接続される。導電性基板は、前記MOSFETのゲート電極7aに電気的に接続される。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】隣接するトランジスタ間において、各々のゲート電極の電圧変化の影響が相互に及ばないようにする。
【解決手段】基板100内の素子分離領域220で囲まれた活性領域と、活性領域内に形成された埋め込みゲート電極410a、410bと、埋め込みゲート電極410a、410bの間に設けられ、かつ埋め込みゲート電極410a、410bの底部の深さまで形成された拡散層領域320を有する。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】ゲート電極に臨む領域の半導体層へのダメージ層の形成を抑制して、ノーマリオフ動作を実現することができるヘテロ接合電界効果型トランジスタを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル層23とヘテロ接合を形成するバリア層24のうち、ゲート電極29に臨む領域を除く他の領域に、バリア層24の伝導帯から、チャネル層23とバリア層24とのヘテロ界面のバンド不連続量ΔEcと、バリア層24に発生する分極によるバリア層24のゲート電極29側とヘテロ界面側とのエネルギー差ΔEpとを足し合わせたエネルギー(ΔEc+ΔEp)までのエネルギー深さのバンドギャップ中に準位を形成する不純物をドーピングして、不純物ドーピング領域26を形成する。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】通電領域表面の周辺の強電界の影響がナノワイヤに及び難くして、ホットキャリアの生成やオフリーク電流を低減する。半導体装置を高性能化する。
【解決手段】基板の表面よりも深い位置に配置され互いに対向する2つの側壁を有する導電膜と、導電膜の2つの側壁の側方に形成され互いに同じ導電型の半導体領域である第1及び第2の通電領域と、導電膜を貫通して2つの半導体領域どうしを接続し第1及び第2の通電領域の導電型とは逆導電型の半導体領域であるナノワイヤと、導電膜と前記ナノワイヤとの境界部に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
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