【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン１２をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン１２を除去し、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐの側面に付着した反応生成物１４を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の所定領域に注入された、Ｎ型領域を形成する元素のイオンを、アニール処理の前後において被処理体の内部に維持し、所望のキャリア濃度のＮ型領域を形成することを可能とする、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気とした真空チャンバ内に、シリコンからなる被処理体１０１を配して、該真空チャンバ内に導入した、Ｎ型領域１０６Ｎを形成する元素Ｘを含むガスをプラズマ励起し、励起された該元素Ｘのイオンを、被処理体１０１の所定領域に注入する前工程と、該元素Ｘが注入された被処理体１０１をアニール処理する後工程と、を含み、該前工程と該後工程との間に、該真空チャンバ内に導入した酸素元素を含むガスをプラズマ励起し、励起された該酸素元素のラジカルに、該被処理体１０１の所定領域を曝露する工程を、さらに備えてなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜を用いたＣＭＩＳ型半導体集積回路において、短チャネル長、且つ狭チャネル幅のデバイス領域では、ソースドレイン領域の活性化アニールによって、高誘電率ゲート絶縁膜とシリコン系基板部との界面膜であるＩＬの膜厚が増加することによって、閾値電圧の絶対値が増加するという問題がある。
【解決手段】本願の一つの発明は、ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法において、ＭＩＳＦＥＴのゲートスタック及びその周辺構造を形成した後、半導体基板表面を酸素吸収膜で覆い、その状態でソースドレインの不純物を活性化するためのアニールを実行し、その後、当該酸素吸収膜を除去するものである。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜を用いたＣＭＩＳ型半導体集積回路において、短チャネル長、且つ狭チャネル幅のデバイス領域では、ソースドレイン領域の活性化アニールによって、高誘電率ゲート絶縁膜とシリコン系基板部との界面膜であるＩＬの膜厚が増加することによって、閾値電圧の絶対値が増加するという問題がある。
【解決手段】本願の一つの発明は、ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法において、ＭＩＳＦＥＴのゲートスタック及びその周辺構造を形成した後、半導体基板表面を酸素吸収膜で覆い、その状態でソースドレインの不純物を活性化するためのアニールを実行し、その後、当該酸素吸収膜を除去するものである。 （もっと読む）

【課題】正確、均一かつ再現可能な構造化を可能にする、シリコンカーバイドから半導体構造を製造する方法を提供すること
【解決手段】上記の課題は、ポリシリコン層を基板上に被着するステップと、マスキングの構造を、前記ポリシリコン層内に移し、トレンチとインプランテーション領域との間に、ポリシリコンから成るスペーサーを設け、マスキングを除去し、基板を熱によって酸化させ、ＳＩＯ_２ＨＴＯ層を析出し、インプランテーション領域をインプランテーションし、酸化物層を開放し、スペーサーを除去し、残余酸化物カバー並びに完全な酸化物を除去することを特徴とする方法 （もっと読む）

【課題】バラツキの小さな高特性、高信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極の側壁に窒化膜サイドウォールを形成し、ウエットエッチングにより、ソース・ドレイン形成予定領域上のゲート酸化膜を除去することにより、窒化膜サイドウォール下方にアンダーカットが入るが、ゲート電極下方にはアンダーカットは入らない。これにより、ソース・ドレインのシート抵抗ばらつき増大を抑制し、また、シリコン基板にダメージを導入してしまうこともないため、接合リーク、しきい値ばらつき等の不具合を引き起こすことがない。 （もっと読む）

【課題】不純物拡散領域の抵抗値のばらつきを抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層にドーパント不純物を添加し、０．１秒〜１０秒の活性化熱処理を行う。次いで、半導体層にイオン注入を行い、半導体層のドーパント不純物が添加された領域をアモルファス化する。次いで、０．１ミリ秒〜１００ミリ秒の活性化熱処理を行い、アモルファス化した半導体層を再結晶化することにより、半導体層にドーパント不純物の拡散領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐圧性の維持と低オン抵抗化との両立が可能なＬＤＭＯＳトランジスタを提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１導電型のドリフト拡散領域１０と、第２導電型のボディ拡散領域２と、第１導電型のソース拡散領域６と、ドリフト拡散領域１０の上部に形成されたトレンチ内に埋め込まれ、ボディ拡散領域２とは離間した位置に形成された絶縁膜１４と、ドリフト拡散領域１０の上部に形成され、絶縁膜１４から見てソース拡散領域６と逆の方向に隣接する第１導電型のドレイン拡散領域７と、ボディ拡散領域２上からドリフト拡散領域１０上を越えて絶縁膜１４上にまで形成されたゲート電極５とを備えている。また、ドリフト拡散領域１０は、基板内部領域１１と、基板内部領域１１よりも高濃度の第１導電型不純物を含む表面領域１２とを有している。 （もっと読む）

【課題】耐電圧、耐熱性、耐放射線性、及び高速性が優れ、かつ、チャネル領域を短くでき、素子の応答性が高いダイヤモンド半導体素子を高精度で製造できる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のダイヤモンド半導体領域１の表面上に、絶縁膜２と多層金属電極層３と犠牲層４とを積層し、犠牲層４上に、局所的にレジスト５をパターン形成する。多層金属電極層３の最上層は、Ｐｔ又はＰｔ合金により形成する。そして、レジスト５をマスクとして第１の犠牲層、多層金属電極層及び絶縁膜をエッチングした後、レジスト５を除去して、第１のダイヤモンド半導体領域１上に絶縁膜２と金属電極層３と第１の犠牲層４との積層体をパターン形成する。その後、第１のダイヤモンド半導体領域１上に、不純物の高濃度ドープ層７を形成する。その後、犠牲層４をエッチング除去し、高濃度ドープ層７上に金属電極８を形成する。 （もっと読む）

【課題】特性を十分に向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ膜１１を形成する工程と、このＳｉＣ膜１１の表面にＳｉを供給した状態で、このＳｉＣ膜１１を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程によってＳｉＣ膜１１の表面に得られたファセットをチャネル１６とする工程とを備えている。このようにすれば、Ｓｉを供給した状態でＳｉＣ膜１１を熱処理することにより、ＳｉＣ膜１１をエネルギ的に安定な表面状態に再構成させることができる。その結果、一周期が１００ｎｍ以上のファセットが得られ、ファセットの平坦部分の長さを従来に比べて長くすることができる。したがって、界面準位の密度を減少することによりキャリアの移動度を向上することができ、半導体装置の特性を十分に向上することができる。 （もっと読む）

【解決課題】 自己整合損傷層を有するデバイス構造体の形成方法を提供すること。
【解決手段】デバイス構造体は、基板の半導体材料内部に画定された第１導電型の第１及び第２ドープ領域を有する。逆の導電型の第３ドープ領域が、横方向に第１ドープ領域を第２ドープ領域から分離する。ゲート構造部が基板の上表面に配置され、第３ドープ領域と垂直方向で重なる関係を有する。第１結晶損傷層は基板の半導体材料の内部に画定される。第１結晶損傷層は、基板の半導体材料によって取り囲まれた第１の複数のボイドを有する。第１ドープ領域は、第１結晶損傷層と基板の上表面との垂直方向の間に配置される。第１結晶損傷層は横方向に第３ドープ領域内には延びない。 （もっと読む）

【課題】逆短チャネル効果を抑制し、かつトランジスタのしきい値電圧を低下させることが可能な半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法は、窒素が上面内に注入されたｐ型の半導体領域２を有する下地１を準備し、この下地１上にゲート絶縁膜５およびゲート電極６をこの順で積層して形成する。次に、ゲート電極６をマスクとして、ｐ型の一対のポケット注入領域７および当該ポケット注入領域７の外方にｎ型の一対のソース・ドレイン領域１０を下地１の上面内に形成する。次に、下地１上を被覆してゲート絶縁膜５下の下地１に応力を印加する応力膜１１を積層する。次に、下地１に熱処理を行い前記ソース・ドレイン領域１０を活性化した後、積層した応力膜１１を除去する。 （もっと読む）

【課題】デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を熱処理することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層であるｐＧａＮ層１０３に形成された注入領域１０４’上に、ＧａＮのバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有する物質よりなる光吸収膜Ｔ１を形成し、この状態で基板１０１上面から赤外光や赤色光など、ｐＧａＮ層１０３のバンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーの所定光を用いてアニールを行う。ｐＧａＮ層１０３と比較して光吸収膜Ｔ１の方がアニールで使用される光の吸収係数が大きいため、光吸収膜Ｔ１直下もしくは近傍の領域（注入領域１０４’）を選択的に熱処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＭＯＳＦＥＴ領域とｎ型ＭＯＳＦＥＴ領域とで、選択的にシリコン・ゲルマニウム層を形成する。
【解決手段】シリコン層のｐウェル上に第１導電層が形成され、シリコン層のｎウェル上に第２導電層が形成される。ｐウェルおよびｎウェルの両方にフッ素イオンが注入される。ｐウェルおよびｎウェルの両方が水酸化アンモニウムおよび過酸化物に晒される。シリコン層上にボロン添加されたシリコン・ゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をアッシングにより除去する際に、イオン注入による変質層のポッピングを防止できるとともに、半導体基板の酸化や掘れを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に変質層が形成されたレジスト膜を有する半導体基板を、処理チャンバ内に搬入するステップと、半導体基板を加熱するとともに、処理チャンバ内に不活性ガスを導入して処理チャンバ内の圧力を上げるステップと、次いで、処理チャンバ内に酸素ガスを導入し、酸素ガスのプラズマによってレジスト膜をアッシングするステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 大幅なプロセスコスト増を伴うことなく、チャネルに歪を発生させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板の一部の表面上に、半導体膜と、該半導体膜よりも密度の高いブロック膜とがこの順番に積層されたゲートパターンを形成する。（ｂ）ゲートパターンをマスクとして、半導体基板の表層部に、ソース及びドレイン用の不純物を注入する。（ｃ）ゲートパターンをマスクとして、半導体基板内に、ソース及びドレイン用の不純物とは異なる歪形成用の不純物を注入する。（ｄ）半導体基板を熱処理し、歪形成用の不純物が注入された領域を再結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、光吸収膜を利用して実行する新たな製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に光吸収膜を堆積し、前記光吸収膜を加工して、第１の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第１領域と、前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第２領域と、前記第２の膜厚よりも薄い第３の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第３領域とを形成し、前記基板に光を照射することにより、前記基板をアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数のデバイスを含む基板に対し、電磁放射線によるアニール中に基板の表面全体に一様な加熱を実施する方法を提供する。
【解決手段】基板３００上にアモルファス炭素を含む層３１２を堆積させるステップと、その後、該層３１２を少なくとも約３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板３００を約６００ｎｍ〜約１０００ｎｍの波長を１つ以上もつ電磁放射線にさらすステップと、を含む前記方法が提供される。任意に、前記アモルファス炭素を含む層３１２は、窒素、ホウ素、リン、フッ素、及びそれらの組合わせからなる群より選ばれたドーパントを更に含んでいる。一態様においては、前記アモルファス炭素を含む層３１２は、反射防止コーティングと、電磁放射線を吸収し且つ基板３００の最上面をアニールする吸収層である。一態様においては、基板３００はレーザアニールプロセスにおいて電磁放射線にさらされる。 （もっと読む）

【課題】 接合深さに起因する特性のバラツキを抑制可能な、極浅不純物拡散領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板面１１にゲート酸化膜１２、ゲート電極１３、保護絶縁膜１４を順次形成した後、不純物注入を行い、極浅不純物拡散領域１８を形成後、極浅不純物拡散領域１８上に、半導体基板１１の不純物拡散係数以上の不純物拡散係数を有する半導体材料膜２１を成膜する。その後、アニール処理を行って、前記極浅不純物拡散領域を活性化して極浅接合を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ中のＳｉ欠損を発生させずにＳｉＣ基板の不純物層をアニールする技術を提供する。
【解決手段】本発明の処理装置１０は、搬送室１１と、高温熱処理室１２と、前処理装置１３を有している。処理対象物７０は前処理装置１３内の加熱装置２２により加熱され、ＳｉＣ基板７１表面に形成された有機膜７４は焼成され、ＳｉＣ基板７１表面には炭素皮膜７６が形成される。炭素皮膜７６が形成されたＳｉＣ基板７１は高温熱処理装置１２のアニール室４０内において高温に加熱され、アニールされる。ＳｉＣ基板７１表面には炭素皮膜７６が配置されているから、ＳｉＣ基板７１からのＳｉの欠損が生じない状態で不純物層をアニールすることが可能である。 （もっと読む）