【課題】層間絶縁膜を厚くしなくてもソース配線の外にドレイン配線を引き出せ、かつ、ＬＯＣＯＳ酸化膜や層間絶縁膜などの絶縁膜の絶縁破壊を防止できるようにする。
【解決手段】素子部８から配線引出し部９に延設されるようにｎ^-型ドリフト層４の裏面に裏面電極１９を備え、この裏面電極１９とソース配線１８との間に電流が流れるような構造、つまりｎ^-型ドリフト層４の表裏を貫通して縦方向に電流を流す構造にする。そして、裏面電極１９を配線引出し部９まで延設し、ｎ⁺型コンタクト領域２１、配線引出し部９のｎ^-型ドリフト層４、ｎウェル領域２０およびｎ⁺型コンタクト領域２１を通じてドレイン配線２３と接続する。すなわち、裏面電極１９を通じて電流が流れるようにすることにより、ドレイン配線２３を素子部８の外に引き出した構造とする。 （もっと読む）

【課題】所望の厚さで制御良くエピタキシャル成長され、良好な特性を示すシリコン混晶層を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０内に形成された素子分離領域１１ａと、素子分離領域１１ａに囲まれた半導体基板１０からなり、トレンチ部を有する活性領域と、活性領域上に形成されたゲート電極１３、ゲート電極１３の側面上であって、平面的に見てゲート電極１３とトレンチ部との間に形成された第１のサイドウォール１９、及びトレンチ部内に充填された第１導電型のシリコン混晶層２１を有する第１導電型のＭＩＳトランジスタと、トレンチ部と素子分離領域１１ａ、１１ｂとの間に設けられ、半導体基板１０からなる基板領域と、基板領域に形成された第１導電型の不純物領域２２とを備えている。シリコン混晶層２１は、活性領域のチャネル領域に対して応力を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】 消費エネルギー・製造コストを低減したパターン形成方法、半導体装置の製造方法、半導体装置を提供する。
【解決手段】 酸化膜形成面１２ａに吸着水を吸着した吸着層１２ｂを形成し、シリコン基板１１の標準単極電位よりも大きい標準単極電位を有して酸化膜形成面１２ａに相対する形状に形成した電極部材３３を、その酸化膜形成面１２ａ（吸着層１２ｂ）に接触させ、シリコン基板１１の標準単極電位と電極部材３３の標準単極電位の電位差に基づいてゲート形成膜（ゲート酸化膜）を形成するようにした。 （もっと読む）