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Fターム[5F140CC02]の内容

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | 層間膜、保護膜 (4,863) | 材料 (2,741)

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SiN (860)
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Fターム[5F140CC02]に分類される特許

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【課題】ゲート高さが低いため製造容易で、ゲート−コンタクト間の容量を抑制し、ゲート−コンタクト間の短絡を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は基板上にFin型半導体層を形成する。Fin型半導体層に交差するダミーゲートが形成される。Fin型半導体層にソースおよびドレインが形成される。ダミーゲート上に層間絶縁膜を堆積した後、ダミーゲートの上面を露出させる。ダミーゲートを除去してゲートトレンチを形成する。ゲートトレンチ内のFin型半導体層の上部をリセスする。ゲートトレンチ内のFin型半導体層の表面にゲート絶縁膜を形成する。ゲート電極をゲートトレンチ内に充填する。ゲート電極をエッチングバックすることによってゲート電極を形成する。ゲート電極の上面の高さはソースおよびドレインにおけるFin型半導体層の上面の高さ以下かつゲートトレンチ内のFin型半導体層の上面の高さ以上である。 (もっと読む)


【課題】基板電位を安定化させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置に含まれるFET素子1は、N角形をなす外周端部30pと貫通孔を形作る内周端部30iとを有する環状のゲート電極30を備える。またFET素子1は、貫通孔の直下方に形成された内側不純物拡散領域21と、ゲート電極30のN角形の辺の外側に形成された外側不純物拡散領域22A〜22Dと、ゲート電極30の頂点の外側に形成されたバックゲート領域23A〜23Dとを備える。バックゲート領域23A〜23Dは、ゲート電極30のN角形の辺のうちゲート電極30の頂点をなす2辺の延長線Ex,Eyの少なくとも一方を跨るように形成されている。 (もっと読む)


【課題】電極構造体、それを備える窒化ガリウム系の半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】GaN系の半導体層GL10と、GaN系の半導体層上に備えられた電極構造体500A,500Bと、を備え、電極構造体500A,500Bは、導電物質を含む電極要素50A、50Bと、電極要素50A,50BとGaN系の半導体層200との間に備えられた拡散層5A、5Bと、を備え、拡散層5A,5Bは、n型ドーパントを含み、n型ドーパントは、4族元素を含み、拡散層と接触したGaN系の半導体層200の領域は、n型ドーパント(例えば、4族元素)でドーピングされる窒化ガリウム系の半導体素子である。 (もっと読む)


【課題】電界が局所的に集中することを抑制して、高耐圧化した半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース領域110は、溝部300側面の第2面32に面し、一部が面31と面32の交線と平行な方向に延在する。ドリフト領域140は、溝部300のうち面32と反対の面33に面し、一部が面31および面33の交線と平行な方向に延在して設けられ、ソース領域110よりも低濃度に形成される。ドレイン領域120は、ドリフト領域140を介し溝部300の反対側に位置し、ドリフト領域140と接するように設けられ、ドリフト領域140よりも高濃度に形成される。第1ゲート絶縁層200は、溝部300の側面のうち面32と面33に交わる方向の面である面34と接するとともに、面31上のうち少なくともチャネル領域130と接する。ゲート電極400は、第1ゲート絶縁層200上に設けられ。溝部300はドリフト領域140よりも深い。 (もっと読む)


【課題】電界が局所的に集中することを抑制して、高耐圧化した半導体装置を提供する。
【解決手段】第1導電型の第1ドリフト領域140は、平面視でソース領域110から離間して設けられている。第1導電型の第2ドリフト領域150は、平面視で第1ドリフト領域140のうちソース領域110と反対側の領域に接している。第1導電型のドレイン領域120は、平面視で第1ドリフト領域140から離間しているとともに、平面視で第2ドリフト領域150のうち第1ドリフト領域140と反対側の領域に接している。チャネル領域130上には、ゲート絶縁層200およびゲート電極400が設けられている。第1フィールドプレート絶縁層300は、半導体基板100上に設けられ、少なくとも平面視で第1ドリフト領域140と第2ドリフト領域150の一部と重なるように設けられている。第1フィールドプレート電極420は、第1フィールドプレート絶縁層300上に接している。 (もっと読む)


【課題】MOSトランジスタの特性のばらつきを低減するために有利な技術を提供する。
【解決手段】MOSトランジスタを含む半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に形成された第1絶縁膜の上にゲート電極材料層を形成する工程と、前記ゲート電極材料層の上にエッチングマスクを形成する工程と、前記ゲート電極材料層をパターニングすることによりゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極が形成された前記半導体基板の上に第2絶縁膜を形成する工程とを含み、前記ゲート電極を形成する工程では、前記ゲート電極材料層がパターニングされるとともに、少なくとも、前記ゲート電極の側面の下部と、前記第1絶縁膜のうち前記側面に隣接する部分とを保護する保護膜が形成され、前記第2絶縁膜を形成する工程では、前記保護膜を覆うように前記第2絶縁膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】柱状半導体層の幅を広く維持することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、一つの直線上に順に形成された、第1、第2及び第3の柱状半導体層と、第2及び第3の柱状半導体層の間の空間であって第2及び第3の柱状半導体層の側面に夫々設けられた第1及び第2のゲート電極と、第1及び第2の柱状半導体層の間の空間及び第2及び第3の柱状半導体層の空間に埋め込まれた層間絶縁膜とを有する。層間絶縁膜は、第1及び第2の柱状半導体層の間の空間内であってゲート電極を介することなく第1及び第2の柱状半導体層の側面に形成され、第2及び第3の柱状半導体層の間の空間内であって第1及び第2のゲート電極を介して第2及び第3の柱状半導体層の側面に形成されている。 (もっと読む)


【課題】注入した導電性不純物により形成される結晶欠陥の密度を低減し、歩留まり率が向上するような半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板を加熱することにより、半導体基板の基板温度を200から500℃の間の所望の温度に維持すると同時に、半導体基板に導電性不純物をイオン注入法もしくはプラズマドーピング法を用いてドーピングし、ドーピングした導電性不純物を活性化させるための活性化処理を行う。 (もっと読む)


【課題】内蔵する環流ダイオードの順方向電圧が低く、高耐圧で、低オン抵抗の、ノーマリオフ型の窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板1、第1の窒化物半導体層3、第2の窒化物半導体層4、及び第2の窒化物半導体層上4に設けられた、ソース電極5、ドレイン電極6、第1のゲート電極9、ショットキー電極10、第2のゲート電極12、を備える。第2の窒化物半導体層4と第1の窒化物半導体層3との界面には、2次元電子ガスが形成される。第1のゲート電極9はノーマリオフ型FET20のゲート電極であり、ソース電極5とドレイン電極6との間に設けられる。ショットキー電極10は、第1のゲート電極9とドレイン電極6との間に設けられる。第2のゲート電極12はノーマリオン型FET21のゲート電極であり、ショットキー電極10とドレイン電極6との間に設けられる。 (もっと読む)


【課題】特性の低下を抑制しながらノーマリオフ動作を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3及び電子供給層5と、電子供給層5上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11dと、電子供給層5とゲート電極11gとの間に形成されたp型半導体層8と、が含まれている。p型半導体層8に含まれるp型不純物として、少なくとも電子走行層3及び電子供給層5のいずれかを構成する元素と同種の元素が用いられている。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極とソース電極との間に印加される電圧がソース電極パッドの電気抵抗による電圧降下で低下することを防止でき、安定した動作を実現できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】このGaN HFETによれば、ボンディング部16Bの第2のパッド部16B‐2は、電極接続部16Aが含有する複数の接続部分19のうちの第2の方向(ソース電極12とドレイン電極11が対向している方向)の一端に配置された接続部分19の上記第2の方向の外端を電極延在方向へ延長した仮想延長線L1に関して第1のパッド部16B‐1とは反対側に位置している。第2のパッド部16B‐2に接続された第2のソース配線24のボンディング箇所の第2の方向の位置を電極接続部16Aのソース電極12との接続部分19の第2の方向の位置と重ならないようにして、ソース電極12からの電流が第2のソース配線24に流れにくくできる。 (もっと読む)


【課題】ゲートリーク電流が少なく、かつ電流コラプスが抑えられた半導体装置の提供。
【解決手段】第1の態様においては、窒化物系半導体で形成された半導体層110と、半導体層上に開口を有して設けられ、タンタル酸窒化物を含む第1絶縁膜120と、第1絶縁膜の開口において半導体層上に積層された第2絶縁膜130と、第2絶縁膜上に設けられたゲート電極140と、を備える半導体装置を提供する。ここで、第2絶縁膜は、第1絶縁膜より絶縁性が高い絶縁膜により構成される。 (もっと読む)


【課題】回路素子の素子特性の変動を抑制すること。
【解決手段】半導体基板110には、拡散領域111を有する抵抗素子(回路素子)R1が形成されている。拡散領域111を含む半導体基板110の上には、層間絶縁膜161が形成される。拡散領域111のシリサイド層(コンタクト部)111aは、コンタクトプラグ162を介して層間絶縁膜161上の配線と接続される。拡散領域111の上には、コンタクトホール163を形成するためのエッチングストッパ膜152が形成されている。このエッチングストッパ膜152は、拡散領域111上の保護絶縁膜131に対応する部分が除去され、開口が形成されている。 (もっと読む)


【課題】長さ方向がゲート長方向と平行なトレンチに形成されたゲート電極を有し、単位平面積当たり大きなゲート幅を有する高駆動能力横型のMOSトランジスタの駆動能力を、平面的な素子面積を増加させずに向上させる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に長さ方向がゲート長方向と平行なトレンチが形成された第1トレンチ領域013と、前記第1トレンチ領域の凹部底面と同一平面に前記第1トレンチ領域の長さ方向の両端に接して設けられた第2トレンチ領域014および第3トレンチ領域015と、トレンチ領域に形成された第2導電型のウェル領域005と、前記第1トレンチ領域に設けられたゲート絶縁膜004と、前記ゲート絶縁膜上に接して設けられたゲート電極003と、前記第1トレンチと前記第2トレンチ領域と前記第3トレンチ領域に前記ウェル領域より浅く設けられた第1導電型のソース領域とドレイン領域を有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】第1の領域のゲート絶縁膜への酸化剤の進入を防止しつつ、第2の領域の複数の第1の配線間に設けられた酸化アルミニウム膜を選択的に除去する。
【解決手段】第1の領域において第1の積層体の側壁を覆い、第2の領域において複数の第1の配線を覆うように形成した第1の絶縁膜をマスクとして、第1の領域に第1のイオン注入を施す。その後、第1の領域において第1の積層体の側壁を覆い、第2の領域において複数の第1の配線間を埋設するように形成した、酸化アルミニウムを主体とする第2の絶縁膜をマスクとして、第1の領域に第2のイオン注入を施す。第2の絶縁膜を、第1の絶縁膜に対して選択的に除去する。 (もっと読む)


【課題】SOI基板に形成されるMOSトランジスタの特性を向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1上に埋込絶縁層2を介して形成される第1半導体層3と、前記第1半導体層3及び前記絶縁層2内に形成され、前記第1半導体層3に接する第2半導体層12と、前記第2半導体層12の上に形成されるゲート絶縁膜13と、前記ゲート絶縁膜13上に形成されるゲート電極14gと、前記ゲート電極14gの側壁に形成されるサイドウォール7とを有する。 (もっと読む)


【課題】SOI基板のチャージ蓄積による不良を抑制する。
【解決手段】まず、シード基板100の一面に、シード基板100の表面と同一面を形成するように、開口部220を有する絶縁層200を形成する(絶縁層形成工程)。次いで、シード基板100の一面に接するように、支持基板300を貼り合せる(貼り合せ工程)。次いで、シード基板100または支持基板300の一方を薄板化することにより、当該薄板化基板からなる半導体層120を形成する(半導体層形成工程)。以上の工程により、SOI基板を準備する。次いで、半導体層120に半導体素子60を形成する(半導体素子形成工程)。 (もっと読む)


【課題】リセスの下部に形成され不純物の注入量が異なる複数の領域を備える電界緩和層(リサーフ層)を備える半導体装置において、製造工程数の増加を抑えつつ、ディッシングの発生を防止する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子の外周領域であるPウェル2の外縁部に形成されたP型のリサーフ層10を備える。リサーフ層10は、P型不純物が第1面密度で注入された第1リサーフ領域11と、第1リサーフ領域11の外側に配設され、P型不純物が第1面密度よりも小さい第2面密度で注入された第2リサーフ領域12と、第2リサーフ領域12の外側に配設され、P型不純物が第2面密度よりも小さい第3面密度で注入された第3リサーフ領域13とを含む。このうち第1リサーフ領域11および第3リサーフ領域13は、半導体層の上面に形成されたリセス11r,13rの下に形成される。 (もっと読む)


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