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Fターム[5F140CC09]の内容

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | 層間膜、保護膜 (4,863) | 材料 (2,741) | SiON (77)

Fターム[5F140CC09]に分類される特許

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【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜5およびゲート電極6n,6pの側面にサイドウォール9を形成した後、サイドウォール9の両側の半導体基板1に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14、第2絶縁膜15、および第3絶縁膜16を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第1絶縁膜14は、第2絶縁膜15よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第2絶縁膜15とエッチング選択比が異なる膜である。第2絶縁膜15は、第1絶縁膜14よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第3絶縁膜16は、第1絶縁膜14および第2絶縁膜15よりも内部応力の変化が大きい膜である。 (もっと読む)


【課題】電界が局所的に集中することを抑制して、高耐圧化した半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース領域110は、溝部300側面の第2面32に面し、一部が面31と面32の交線と平行な方向に延在する。ドリフト領域140は、溝部300のうち面32と反対の面33に面し、一部が面31および面33の交線と平行な方向に延在して設けられ、ソース領域110よりも低濃度に形成される。ドレイン領域120は、ドリフト領域140を介し溝部300の反対側に位置し、ドリフト領域140と接するように設けられ、ドリフト領域140よりも高濃度に形成される。第1ゲート絶縁層200は、溝部300の側面のうち面32と面33に交わる方向の面である面34と接するとともに、面31上のうち少なくともチャネル領域130と接する。ゲート電極400は、第1ゲート絶縁層200上に設けられ。溝部300はドリフト領域140よりも深い。 (もっと読む)


【課題】電界が局所的に集中することを抑制して、高耐圧化した半導体装置を提供する。
【解決手段】第1導電型の第1ドリフト領域140は、平面視でソース領域110から離間して設けられている。第1導電型の第2ドリフト領域150は、平面視で第1ドリフト領域140のうちソース領域110と反対側の領域に接している。第1導電型のドレイン領域120は、平面視で第1ドリフト領域140から離間しているとともに、平面視で第2ドリフト領域150のうち第1ドリフト領域140と反対側の領域に接している。チャネル領域130上には、ゲート絶縁層200およびゲート電極400が設けられている。第1フィールドプレート絶縁層300は、半導体基板100上に設けられ、少なくとも平面視で第1ドリフト領域140と第2ドリフト領域150の一部と重なるように設けられている。第1フィールドプレート電極420は、第1フィールドプレート絶縁層300上に接している。 (もっと読む)


【課題】新規な構造のコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成され、ソース/ドレイン領域及びゲート電極を有するトランジスタと、トランジスタのソース/ドレイン領域及びゲート電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、トランジスタのソース/ドレイン領域またはゲート電極に接されるコンタクトプラグとを有し、コンタクトプラグは、絶縁膜の厚さ方向に延在しトランジスタのソース/ドレイン領域またはゲート電極に接触する柱部と、柱部の上部から絶縁膜の表面と平行な方向に張り出し上面が平坦化された鍔部とを有する。 (もっと読む)


【課題】高電圧動作時においても電流コラプス現象を十分に抑制し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】HEMTは、化合物半導体層2と、開口を有し、化合物半導体層2上を覆う保護膜と、開口を埋め込み、化合物半導体層2上に乗り上げる形状のゲート電極7とを有しており、保護膜は、酸素非含有の下層絶縁膜5と、酸素含有の上層絶縁膜6との積層構造を有しており、開口は、下層絶縁膜5に形成された第1の開口5aと、上層絶縁膜6に形成された第1の開口5aよりも幅広の第2の開口6aとが連通してなる。 (もっと読む)


【課題】内蔵する環流ダイオードの順方向電圧が低く、高耐圧で、低オン抵抗の、ノーマリオフ型の窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板1、第1の窒化物半導体層3、第2の窒化物半導体層4、及び第2の窒化物半導体層上4に設けられた、ソース電極5、ドレイン電極6、第1のゲート電極9、ショットキー電極10、第2のゲート電極12、を備える。第2の窒化物半導体層4と第1の窒化物半導体層3との界面には、2次元電子ガスが形成される。第1のゲート電極9はノーマリオフ型FET20のゲート電極であり、ソース電極5とドレイン電極6との間に設けられる。ショットキー電極10は、第1のゲート電極9とドレイン電極6との間に設けられる。第2のゲート電極12はノーマリオン型FET21のゲート電極であり、ショットキー電極10とドレイン電極6との間に設けられる。 (もっと読む)


【課題】SOI基板のチャージ蓄積による不良を抑制する。
【解決手段】まず、シード基板100の一面に、シード基板100の表面と同一面を形成するように、開口部220を有する絶縁層200を形成する(絶縁層形成工程)。次いで、シード基板100の一面に接するように、支持基板300を貼り合せる(貼り合せ工程)。次いで、シード基板100または支持基板300の一方を薄板化することにより、当該薄板化基板からなる半導体層120を形成する(半導体層形成工程)。以上の工程により、SOI基板を準備する。次いで、半導体層120に半導体素子60を形成する(半導体素子形成工程)。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体装置の、ソース・ドレイン間のオン抵抗を低減する。
【解決手段】ソース・ドレイン間を走行する窒化物半導体層と下地となる窒化物半導体層の間に、両窒化物半導体層より電子親和力が大きく、下地となる窒化物半導体よりも格子定数の大きい材料を形成する。その結果、ゲート電圧の印加によりゲート絶縁膜の下方に形成されるチャネルと、ゲート部以外で形成される二次元電子ガスを、深さ方向において近づけることができ、オン抵抗の低減が可能となる。 (もっと読む)


【課題】相互接続構造の珪化物層と、ロープロファイルバンプを含む、バンプ間ショートを防止したパワーMOSFETからなる半導体デバイスおよび製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にソース領域160およびドレイン領域170を有し、珪化物層174が、ソース領域およびドレイン領域の上に配置されている。第1の相互接続層194が、珪化物層上に形成されており、ソース領域に接続される第1のランナー196と、ドレイン領域に接続される第2のランナー198とが配置される。第2の相互接続層214が、第1の相互接続層上に形成されており、第1のランナーに接続される第3のランナー216と、第2のランナーに接続される第4のランナー218とを含む。第3の相互接続層234が形成され、ソースパッド236、ソースバンプ240が電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】 信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板11上にスイッチング用FET201及び電流制御用FET202を形成し、電流制御用FET202にEL素子203が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用FET202は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現性の高い画像を得ることができる。電流制御用FET202にホットキャリア対策を施すことで信頼性の高い電子装置が得られる。 (もっと読む)


【課題】高誘電率ゲート絶縁膜を用いたCMIS型半導体集積回路において、短チャネル長、且つ狭チャネル幅のデバイス領域では、ソースドレイン領域の活性化アニールによって、高誘電率ゲート絶縁膜とシリコン系基板部との界面膜であるILの膜厚が増加することによって、閾値電圧の絶対値が増加するという問題がある。
【解決手段】本願の一つの発明は、MISFETを有する半導体集積回路装置の製造方法において、MISFETのゲートスタック及びその周辺構造を形成した後、半導体基板表面を酸素吸収膜で覆い、その状態でソースドレインの不純物を活性化するためのアニールを実行し、その後、当該酸素吸収膜を除去するものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ゲート電極の幅を十分に確保して、ゲート電極の抵抗値を小さくすることが可能で、かつゲート電極間の容量を小さくすることの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板に設けられ、Y方向に延在する第1の溝15と、半導体基板に設けられ、第1の溝15と交差するXの方向に延在する第2の溝25と、第1及び第2の溝15,25に囲まれ、第2の溝25に露出された対向する第1及び第2の側面26a,26bを有するピラー26と、ゲート絶縁膜28を介して、ピラー26の第2の側面26bに接触するように、第2の溝25の下部に設けられた1つのゲート電極29と、ゲート電極29の側面とピラーの第1の側面26aとの間に配置された空隙と、を有する。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜上に保護膜を形成した構造において、絶縁耐圧の低下を防ぐ。
【解決手段】基板上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第2の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記絶縁膜を覆うように形成された保護膜と、を有し、前記保護膜は、熱CVD、熱ALD、真空蒸着のいずれかにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】ゲート誘電体の上に複数のシリサイド金属ゲートが作製される相補型金属酸化物半導体集積化プロセスを提供する。
【解決手段】形成されるシリサイド金属ゲート相の変化を生じさせるポリSiゲートスタック高さの変化という欠点のないCMOSシリサイド金属ゲート集積化手法が提供される。集積化手法は、プロセスの複雑さ最小限に保ち、それによって、CMOSトランジスタの製造コストを増加させない。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を提供すること。
【解決手段】半導体素子であって、基板と、該基板内に形成された井戸領域と、該基板の表面の上方に形成されたゲート構造と、該ゲート構造に隣接して基板内に形成されたソース領域と、該ソース領域の反対側に該ゲート構造に隣接して該基板内に形成されたドレイン領域と、該ソース領域を通して形成されたトレンチと、該トレンチを通して形成されたプラグと、該トレンチを通して該プラグの上方に形成されたソースタイと、該ソース領域、該ドレイン領域、および該ゲート構造の上方に形成された相互接続構造とを備える、半導体素子。 (もっと読む)


【課題】高度な集積化を実現した、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層と、チャネル形成領域と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、チャネル形成領域と重畳するゲート電極と、チャネル形成領域とゲート電極との間のゲート絶縁層と、を含み、チャネル形成領域を含む半導体層の側面の一部と、ソース電極またはドレイン電極の側面の一部と、は、平面方向から見て概略一致している半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】マイクロローディング効果を防止しながら、上層配線となる金属配線のレイアウト制約のない構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1上に形成されたゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3の上に形成されたゲート電極4と、半導体基板1に形成された拡散層5と、半導体基板1の上に形成された絶縁膜7及び絶縁膜8と、絶縁膜及び絶縁膜8を貫通するホール9Dに埋め込まれ、側面を絶縁膜11で覆われた金属材料からなるプラグ12と、絶縁膜8を貫通しないホール10Bに埋め込まれ、絶縁膜11からなる絶縁体10Cと、絶縁膜8の上に形成され、プラグ12と電気的に接続する金属配線13Bとを備えている。 (もっと読む)


【課題】DRAM素子のような半導体装置において、半導体基板の溝部におけるゲート電極の埋設状態が良好となり、配線抵抗が低減され、素子特性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板1の表面にゲート電極溝13を形成する工程と、ゲート電極溝13の内面に第1のバリア膜16aを形成する工程と、第1のバリア膜16aをエッチバックして、ゲート電極溝13の底面に第1のバリア膜16aの一部を残存させながら除去する工程と、ゲート電極溝13の内面と残存した第1のバリア膜16aの表面に第2のバリア膜16bを形成する工程と、第2のバリア膜16aの表面にタングステン膜を形成する工程と、このタングステン膜及び第2のバリア膜16bをエッチバックしてゲート電極溝13内にそれぞれ一部を残存させながら各膜を一括除去する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた1または2種類以上の元素と、Ga、Sc、Y、及びCeを除くランタノイドの中から選ばれた1または2種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 コンタクト構造体を有する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 この製造方法は半導体基板上に絶縁膜を形成する第1工程と、前記絶縁膜の所定領域内に選択的に不純物イオンを注入して前記絶縁膜の前記所定領域内に格子欠陥(lattice defects)を生成する第2工程とを含む。さらに、格子欠陥を有する絶縁膜を熱処理して前記所定領域内の格子欠陥の生成を加速する第3工程を含む。その結果、前記所定領域内に電流通路(current paths)を有する導電性の領域が形成される。前記第3工程は前記絶縁膜を少なくとも20℃/min以上の温度変化率で急冷する段階を含む。 (もっと読む)


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