【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ｎ，６ｐの側面にサイドウォール９を形成した後、サイドウォール９の両側の半導体基板１に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板１の主面上に第１絶縁膜１４、第２絶縁膜１５、および第３絶縁膜１６を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第１絶縁膜１４は、第２絶縁膜１５よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第２絶縁膜１５とエッチング選択比が異なる膜である。第２絶縁膜１５は、第１絶縁膜１４よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第３絶縁膜１６は、第１絶縁膜１４および第２絶縁膜１５よりも内部応力の変化が大きい膜である。 （もっと読む）

【課題】縦型トランジスタのソース又はドレイン用の拡散層を形成するにあたって形成されるシリコン膜に表面凹凸を発生させない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ピラーを形成する工程と、隣り合う前記半導体ピラーで挟まれた溝の側面を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の前記溝の底部に近い領域に側面開口を形成する工程と、前記溝の内部を覆うようにシリコン膜からなる被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜上に前記半導体ピラー内へ拡散させる不純物で構成された不純物層を形成する工程と、前記不純物を、前記側面開口を塞ぐように形成されている前記被覆膜を通して前記半導体ピラー内に熱拡散させてソース又はドレイン用の拡散層を形成する工程と、を含む。前記被覆膜の成膜温度を５１０℃より高く度５５０℃未満の範囲とすることにより、非晶質状態のシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電界が局所的に集中することを抑制して、高耐圧化した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１ドリフト領域１４０は、平面視でソース領域１１０から離間して設けられている。第１導電型の第２ドリフト領域１５０は、平面視で第１ドリフト領域１４０のうちソース領域１１０と反対側の領域に接している。第１導電型のドレイン領域１２０は、平面視で第１ドリフト領域１４０から離間しているとともに、平面視で第２ドリフト領域１５０のうち第１ドリフト領域１４０と反対側の領域に接している。チャネル領域１３０上には、ゲート絶縁層２００およびゲート電極４００が設けられている。第１フィールドプレート絶縁層３００は、半導体基板１００上に設けられ、少なくとも平面視で第１ドリフト領域１４０と第２ドリフト領域１５０の一部と重なるように設けられている。第１フィールドプレート電極４２０は、第１フィールドプレート絶縁層３００上に接している。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成され、ソース／ドレイン領域及びゲート電極を有するトランジスタと、トランジスタのソース／ドレイン領域及びゲート電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、トランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接されるコンタクトプラグとを有し、コンタクトプラグは、絶縁膜の厚さ方向に延在しトランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接触する柱部と、柱部の上部から絶縁膜の表面と平行な方向に張り出し上面が平坦化された鍔部とを有する。 （もっと読む）

【課題】注入した導電性不純物により形成される結晶欠陥の密度を低減し、歩留まり率が向上するような半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板を加熱することにより、半導体基板の基板温度を２００から５００℃の間の所望の温度に維持すると同時に、半導体基板に導電性不純物をイオン注入法もしくはプラズマドーピング法を用いてドーピングし、ドーピングした導電性不純物を活性化させるための活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】動作速度を向上し消費電力を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に第１の領域を画定する第１の素子分離絶縁膜と、半導体基板の第１の領域に形成された第１導電型の第１の導電層と、半導体基板上に形成され、第１の領域の一部である第２の領域に第１の導電層に接続して形成された第１導電型の第２の導電層と、第１の領域の他の一部である第３の領域に第１の導電層に接続して形成された第１導電型の第３の導電層とを有する半導体層と、半導体層内に設けられ、第２の導電層と第３の導電層とを分離する第２の素子分離絶縁膜と、第２の導電層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、第３の導電層を介して第１の導電層に電気的に接続されたゲート電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極膜に注入したイオンがチャネル領域に達してＭＩＳＦＥＴの電気特性に影響を与えていた。
【解決手段】半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を介して形成されるとともに、第１導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第１ゲート電極膜と、前記第１ゲート電極膜上に形成されるとともに、酸素及び窒素のうち一方又は両方を含んだシリコンを主体とする介在層と、前記第１ゲート電極膜上に前記介在層を介して形成されるとともに、前記第１導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第２ゲート電極膜と、を含む電界効果トランジスタを有する。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件の見直しを最小限に抑制しつつ電気的特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体構造１１の上面領域に形成された島状の絶縁膜２０と、絶縁膜２０の上面領域に配列された複数の凸状絶縁部２３と、これら凸状絶縁部２３と絶縁膜２０とを被覆する層間絶縁膜２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 寄生ダイオードの逆回復時間を短縮でき、スイッチング損失の低減が図れるＬＤＭＯＳトランジスタを低コストで提供する。
【解決手段】 ＬＤＭＯＳトランジスタＴ１が、ｐ型半導体基板１内にｐ型ボディ領域２とｐ型埋め込み拡散領域３とｎ型ドリフト領域６を、ボディ領域２内にｎ型ソースコンタクト領域４とｐ型ボディコンタクト領域５を、ドリフト領域６内にｎ型ドレインコンタクト領域７を、ソースコンタクト領域７とドリフト領域６間のボディ領域２の上方にゲート絶縁膜８を、ゲート絶縁膜８上にゲート電極９を夫々備えて形成され、ドリフト領域６とボディ領域２は相互に接触し、埋め込み拡散領域３が、ボディ領域２の底面と接触するボディ領域２よりも深い位置に、半導体基板１の表面に平行な方向に、少なくともボディ領域２からドレインコンタクト領域７のボディ領域２から最も離間した遠方端の下方まで延在している。 （もっと読む）

【課題】特性の低下を抑制しながらノーマリオフ動作を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板１と、基板１上方に形成された電子走行層３及び電子供給層５と、電子供給層５上方に形成されたゲート電極１１ｇ、ソース電極１１ｓ及びドレイン電極１１ｄと、電子供給層５とゲート電極１１ｇとの間に形成されたｐ型半導体層８と、が含まれている。ｐ型半導体層８に含まれるｐ型不純物として、少なくとも電子走行層３及び電子供給層５のいずれかを構成する元素と同種の元素が用いられている。 （もっと読む）

【課題】トレンチ分離構造の上面の周縁部にディボットが形成されても、このディボットに起因するゲート絶縁膜の破壊を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、トレンチ分離構造２０Ｂと、トレンチ分離構造２０Ｂで区画される活性領域上に形成されたゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０の上面からトレンチ分離構造２０Ｂの上面まで延在するゲート電極層３１と、ゲート電極層３１の両側に形成された第１及び第２の不純物拡散領域１３Ｄ，１３Ｓとを備える。ゲート電極層３１は、ゲート絶縁膜３０と第１の不純物拡散領域１３Ｄとの間の領域に貫通孔３１ｈを有し、貫通孔３１ｈは、トレンチ分離構造２０Ｂの上面の周縁部の直上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ型のＨＥＭＴ構造を有し、かつ優れたデバイス特性を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、窒化物半導体からなる電子走行層３と、電子走行層３に積層され、電子走行層３とはＡｌ組成が異なり、Ａｌを含む窒化物半導体からなる電子供給層４と、電子供給層４と電子走行層３との界面に連続する界面を有し、電子走行層３上に形成された酸化膜１１と、酸化膜１１を挟んで電子走行層３に対向するゲート電極８とを含む。 （もっと読む）

【課題】論理素子のｎチャネルＭＯＳトランジスタに十分な膜厚の引張応力膜を形成し、メモリ素子がゲート電極間の層間絶縁膜の埋込不良を生じない製造方法の提供。
【解決手段】論理素子は、第１及び第２のｎチャネルＭＯＳトランジスタを含み、第１のゲート高さＧ_Ｈ１及び第１のゲート長を有するゲート電極を有し、ゲート電極は第１の間隔Ｄを有し、メモリ素子は、第３および第４のｎチャネルＭＯＳトランジスタを含み、ゲート高さＧ_Ｈ２および第２のゲート長を有するゲート電極を含み、論理素子及びメモリ素子は第１の引張応力膜６４で覆われ、論理素子は、さらに第２の引張応力膜６５で覆われ、論理素子及びメモリ素子のゲート間に形成された引張応力膜の最小距離は各々第１の距離Ｌ_Ｌ及び第１の距離Ｌ_Ｍで隔てられ、第１のアスペクト比（Ｇ_Ｈ１／Ｌ_Ｌ）と、第２のアスペクト比（Ｇ_Ｈ２／Ｌ_Ｍ）とは略等しい。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの下地層への悪影響を及ぼすことなくスカムを最適に除去する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上に酸化膜５ｃを形成し、前記酸化膜５ｃ上にフォトレジスト８を塗布し、前記フォトレジスト８を露光し、露光された前記フォトレジスト８を現像することにより前記フォトレジス８トに開口部８ａを形成し、前記フォトレジスト８をマスクとして、前記酸化膜５ｃを酸素プラズマ処理し、前記酸素プラズマ処理の後、前記酸化膜５ｃと前記フォトレジスト８に希釈フッ酸を供給し、前記希釈フッ酸を供給する工程の後、前記フォトレジスト８をマスクとして前記酸化膜５ｃを通して記半導体基板１に一導電型不純物をイオン注入する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とチャネル層との間の障壁層に低抵抗領域を備えた構成において、ゲートリーク電流を防止することによりドレイン電流の最大値の向上を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体で構成されたチャネル層１４と、チャネル層１４上に設けられた上部障壁層１５とを備え、上部障壁層１５における表面層には、不純物を含有することにより周囲よりも低抵抗に保たれた低抵抗領域１５ｇが設けられている。また、この低抵抗領域１５ｇを挟んだ位置において上部障壁層１５に接続されたソース電極１７ｓおよびドレイン電極１７ｄを備えている。さらに、低抵抗領域１５ｇ上に設けられたゲート絶縁膜１８と、このゲート絶縁膜１８を介して低抵抗領域１５ｇ上に設けられたゲート電極１９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】仕事関数の異なる複数の電極層を有し、ゲート抵抗が低く、作製が容易なゲート電極を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、基板と、前記基板上に形成されたゲート絶縁膜とを備える。さらに、前記装置は、前記ゲート絶縁膜の上面に形成され、第１の仕事関数を有する第１の電極層と、前記ゲート絶縁膜の上面と前記第１の電極層の上面に連続して形成され、前記第１の仕事関数と異なる第２の仕事関数を有する第２の電極層と、を有するゲート電極と、前記ゲート電極の側面に形成された側壁絶縁膜とを備える。さらに、前記装置では、前記第１の電極層の上面の高さは、前記側壁絶縁膜の上面の高さよりも低い。 （もっと読む）

【課題】同一平面上に形成された２つの配線が互いにショートするのを回避すること。
【解決手段】第１の方向（Ｘ）に複数本並べて配置された活性領域（５０）の各々は、第１の方向（Ｘ）と直交する第２の方向（Ｙ）に離間して配置された２つの縦型トランジスタ（５１）と、この２つの縦型トランジスタ（５１）の間に位置する縦型のゲート電極用ダミーピラー（１ａ）と、から成る。半導体装置（１００）は、複数本の活性領域（５０）の中央に位置するゲート電極用ダミーピラー（１ａ）へ給電するために第１の方向（Ｘ）へ延在して配置されたゲート給電配線（２３）と、２つの縦型トランジスタ（５１）間を接続するために、第２の方向（Ｙ）に延在し、かつゲート給電配線（２３）を迂回するように構成されたトランジスタ間接続配線（２１、１０Ａ、１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ間接続配線が吊りワード線と短絡してしまうのを回避すること。
【解決手段】第１の方向（Ｘ）に複数本並べて配置された活性領域（５０）の各々は、第１の方向（Ｘ）と直交する第２の方向（Ｙ）に離間して配置された２つの縦型トランジスタ（５１）と、この２つの縦型トランジスタ（５１）の間に位置するピラー（１ａ）と、から成る。半導体装置（１００）は、複数本の活性領域（５０）の中央の位置で、第１の方向（Ｘ）へ延在して配置された吊りワード線（２３）と、２つの縦型トランジスタ（５１）間を接続するために、第２の方向（Ｙ）に延在し、かつ吊りワード線（２３）を迂回するように構成されたトランジスタ間接続配線（２１、１０Ａ、１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域に対しトランジスタの電流駆動能力を向上させる方向に応力をかけ、さらに電流駆動能力が向上し、性能が向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１ａの活性領域１ｃが素子分離絶縁膜２で区画され、チャネル形成領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極８ａ、ソース・ドレイン領域及び被覆応力膜を有するＮＴｒを有し、ソース・ドレイン領域の両側部に位置する素子分離絶縁膜２ａの表面は、ソース・ドレイン領域の表面より低い位置に形成されており、ゲート電極８ａ、活性領域１ｃ、及び表面がソース・ドレイン領域の表面より低い位置に形成された素子分離絶縁膜２ａを被覆して、チャネル形成領域に対し引張応力を印加する被覆応力膜が形成されている構成とする。 （もっと読む）