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Fターム[5F140CE02]の内容

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | 製造工程一般 (2,583) | リフトオフ (193)

Fターム[5F140CE02]に分類される特許

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【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜20を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜18と上記コラプス抑制膜18上に形成されたSiO絶縁膜17とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ12によりSiC基板1の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部13によりSiC基板1からの発光を検出し、表示部14によりSiC基板1の発光強度の面内分布を得て、SiC基板1の窒素混入量を評価した後、SiC基板1の上方に化合物半導体積層構造2を形成する。 (もっと読む)


【課題】耐圧を向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】GaN系HFETは、ゲート絶縁膜17をなす半絶縁膜の抵抗率ρが、電流密度が6.25×10−4(A/cm)であるとき、3.9×10Ωcmであった。抵抗率ρ=3.9×10Ωcmの半絶縁膜によるゲート絶縁膜15を備えたことで、1000Vの耐圧が得られた。ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×1011Ωcmを超えると耐圧が急減し、ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×10Ωcmを下回るとゲートリーク電流が増大する。 (もっと読む)


【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaN・HEMTを実現する。
【解決手段】SiC基板1上に化合物半導体積層構造2を備えたAlGaN/GaN・HEMTにおいて、3層のキャップ層2eを用いることに加え、キャップ層2eのドレイン電極5の近傍(ゲート電極6とドレイン電極5との間で、ドレイン電極5の隣接箇所)に高濃度n型部位2eAを形成し、高濃度n型部位2eAでは、そのキャリア濃度が電子供給層2dのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。 (もっと読む)


【課題】ドーピング密度を増やすことなく、高濃度キャリア走行部を形成でき、高い移動度と低いオン抵抗を実現できる電界効果トランジスタの製造方法および電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタ1は、窒素ドープn型SiCドリフト層12のキャリア走行部14を挟むように形成されたソース13とドレイン15とを備える。ソース13とドレイン15は、エッチングによってキャリア走行部14に隣接して形成された段部16,17を有する。キャリア走行部14は、段部16,17の段差面16A,17Aに紫外光を照射することによって段部16,17から延びるように形成された積層欠陥部18を有する。積層欠陥部18は、3C‐SiCの結晶構造を持ち、量子井戸構造のようにふるまうことからキャリアがここに多数閉じ込められる。 (もっと読む)


【課題】オン時における電流の迅速な立ち上がりを実現し、複雑な工程を経ることなく、n型HEMTとモノリシックにインバータを構成可能な半導体装置を得る。
【解決手段】第1の極性の電荷(ホール)供給層22aと、電荷供給層22aの上方に形成されており、凹部22baを有する第2の極性の電荷(ホール)走行層22bと、電荷走行層22bの上方で凹部22baに形成されたゲート電極29とを含むp型GaNトランジスタを備える。 (もっと読む)


【課題】高電圧動作時においても電流コラプス現象を十分に抑制し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】HEMTは、化合物半導体層2と、開口を有し、化合物半導体層2上を覆う保護膜と、開口を埋め込み、化合物半導体層2上に乗り上げる形状のゲート電極7とを有しており、保護膜は、酸素非含有の下層絶縁膜5と、酸素含有の上層絶縁膜6との積層構造を有しており、開口は、下層絶縁膜5に形成された第1の開口5aと、上層絶縁膜6に形成された第1の開口5aよりも幅広の第2の開口6aとが連通してなる。 (もっと読む)


【課題】絶縁耐圧が高く、オン抵抗を増加させることなく、ノーマリーオフとなる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された第1の半導体層13と、前記第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層14と、前記第2の半導体層の上に形成された第3の半導体層15と、前記第3の半導体層の上に形成されたゲート電極21と、前記第2の半導体層に接して形成されたソース電極22及びドレイン電極23と、を有し、前記第3の半導体層には、半導体材料にp型不純物元素がドープされており、前記第3の半導体層は、前記ゲート電極の端部より、前記ドレイン電極が設けられている側に張出している張出領域を有していることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】オン抵抗を増加させることなく、ノーマリーオフとなる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された第1の半導体層13と、第1の半導体層13の上に形成された第2の半導体層14と、第2の半導体層14の上に形成された第3の半導体層15と、第3の半導体層15の上に形成されたゲート電極21と、第2の半導体層14の上に形成されたソース電極22及びドレイン電極23と、を有し、第3の半導体層15には、半導体材料にp型不純物元素がドープされており、第3の半導体層において、ゲート電極の直下にはp型領域15aが形成されており、p型領域15aを除く領域は、p型領域15aよりも抵抗の高い高抵抗領域15bが形成されている半導体装置。 (もっと読む)


【課題】半導体層と電極との間に絶縁膜を介するMIS構造を採用するも、オン抵抗の上昇及び閾値の変動を抑止し、信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】AlGaN/GaN・HEMTは、化合物半導体積層構造2と、化合物半導体積層構造2の表面と接触する挿入金属層4と、挿入金属層4上に形成されたゲート絶縁膜7と、挿入金属層4の上方でゲート絶縁膜7を介して形成されたゲート電極8とを含み構成される。 (もっと読む)


【課題】電流コラプスを抑制しながらノーマリオフ動作を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された化合物半導体積層構造7と、化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11dと、が設けられている。化合物半導体積層構造7には、電子走行層3と、電子走行層3上方に形成された電子供給層5を含む窒化物半導体層と、が設けられている。窒化物半導体層の表面のIn組成は、平面視でゲート電極11gとソース電極11sとの間に位置する領域及びゲート電極11gとドレイン電極11dとの間に位置する領域において、ゲート電極11gの下方よりも低くなっている。 (もっと読む)


【課題】長期にわたって安定した動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3及び電子供給層5と、電子供給層5上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11daと、電子供給層5とゲート電極11gとの間に形成された第1のp型半導体層7aと、ソース電極11sと電子供給層5との間に形成されたp型半導体層7と、が設けられている。第2のp型半導体層7上のソース電極11sには、第1の金属膜11saと、第1の金属膜11saにゲート電極11g側で接し、第1の金属膜11saよりも抵抗が大きい第2の金属膜11sbと、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ゲートリーク電流が低減され、かつ、ノーマリーオフ動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された第1の半導体層12と、第1の半導体層12の上に形成された第2の半導体層13と、第2の半導体層13の上に形成された下部絶縁膜31と、下部絶縁膜31の上に、p型の導電性を有する酸化物により形成された酸化物膜33と、酸化物膜33の上に形成された上部絶縁膜34と、上部絶縁膜34の上に形成されたゲート電極41と、を有し、ゲート電極41の直下において、下部絶縁膜31の表面には凹部が形成されている半導体装置。 (もっと読む)


【課題】耐圧をより向上することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された化合物半導体積層構造8と、基板1と化合物半導体積層構造8との間に形成された非晶質性絶縁膜2と、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ドレイン−ソース間のリーク電流が少なく、かつ、ノーマリーオフの半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された不純物元素を含む第1の半導体層13と、第1の半導体層13の上に形成された第2の半導体層16と、第2の半導体層16の上に形成された第3の半導体層17と、第3の半導体層17の上に形成されたゲート電極21、ソース電極22及びドレイン電極23と、を有し、第2の半導体層16において、ゲート電極21の直下には、第1の半導体層13と接し、第1の半導体層13に含まれる不純物元素が拡散している不純物拡散領域15が形成されており、不純物元素は、不純物拡散領域がp型となる元素であることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】ノーマリオフ動作を実現しながら良好な伝導性能を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3及び電子供給層5と、電子供給層5上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11dと、電子供給層5とゲート電極11gとの間に形成されたp型半導体層8と、電子供給層5とp型半導体層8との間に形成され、電子供給層5よりもバンドギャップが大きい正孔障壁層6と、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】特性の低下を抑制しながらノーマリオフ動作を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3及び電子供給層5と、電子供給層5上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11dと、電子供給層5とゲート電極11gとの間に形成されたp型半導体層8と、が含まれている。p型半導体層8に含まれるp型不純物として、少なくとも電子走行層3及び電子供給層5のいずれかを構成する元素と同種の元素が用いられている。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高いヘテロ接合を有するノーマリオフ型の半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置1は金属膜22を備えている。金属膜22は、ゲート部30とドレイン電極24及び/又はソース電極26の間の半導体積層体10の表面の少なくとも一部に設けられている。金属膜22は、半導体積層体10の表面部に窒素空孔を形成することが可能な材料である。 (もっと読む)


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