【課題】一定のドレイン電圧及びゲート電圧に対して得られるドレイン電流を増大することの出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル領域と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する合計二つの第１の電極と、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられた第２の電極とを備えた半導体装置の製造に際し、前記ゲート絶縁膜を、酸素の含有量を１ｐｐｂ以下にした水素添加超純水にＩＰＡを添加した洗浄液を用いて、酸素含有量１ｐｐｂ以下の窒素雰囲気でしかも遮光した状態で表面の洗浄を行ない、かつ等方性酸化または窒化で形成することにより、前記チャンネル領域と前記ゲート絶縁膜との界面の平坦度を、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向での長さ２ｎｍにおけるピーク・トゥ・バレイ値が０．３ｎｍ以下となるようにするとともに、前記第１の電極から前記チャンネル領域までの抵抗率を４Ω・μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】下地絶縁膜の膜厚精度の向上とトランジスタ特性の変動抑制との両立が図られたＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１００における活性領域１０３ａ上に形成されたゲート絶縁膜１０８ａと、ゲート絶縁膜１０８ａ上に形成されたゲート電極１１１ａとを有するＭＩＳトランジスタ１７０を備えている。ゲート絶縁膜１０８ａは、活性領域１０３ａ上に形成された板状の下層ゲート絶縁膜２１０ａと、下層ゲート絶縁膜２１０ａ上に形成された断面形状が凹状の上層ゲート絶縁膜２１１ａとを有する。下層ゲート絶縁膜２１０ａは、活性領域１０３ａ上に形成された下地絶縁膜１０４ａと、第１の高誘電率絶縁膜１０６ａとで構成され、上層ゲート絶縁膜２１１ａは、第１の高誘電率絶縁膜１０６ａ上に形成された第２の高誘電率絶縁膜１０７ａで構成される。 （もっと読む）

【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上を実現する。
【解決手段】第１導電型の第１電界効果トランジスタを第１基板に設ける。そして、第１導電型と異なる第２導電型の第２電界効果トランジスタを第２基板に設ける。そして、第１基板と第２基板とのそれぞれを対面させて貼り合わせる。そして、第１電界効果トランジスタと第２電界効果トランジスタとの間を電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】パターンの微細化、特に、ＳＲＡＭのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、２８ｎｍテクノロジノードにおいては、ＡｒＦによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、最初に、第１のレジスト膜を用いて、隣接ゲート電極間切断領域のエッチングを実行し不要になった第１のレジスト膜を除去した後、第２のレジスト膜を用いて、ライン＆スペースパターンのエッチングを実行するものである。 （もっと読む）

【課題】 ＴｉＣ膜を含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】 高誘電率（ｋ）の誘電体１４および界面層１２を含む積層体を基板１０の表面上に設けるステップと、Ｈｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気において、Ｔｉターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にＴｉＣ膜１６を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、上面にトレンチが形成された半導体基板と、前記トレンチ内に設けられた絶縁部材と、を備える。そして、前記半導体基板と前記絶縁部材との間には、空隙が形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】安定した静電気保護機能を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、シリコン柱を有するシリコン基板、シリコン柱の側壁に沿って形成されたゲート電極、ゲート電極とシリコン柱との間に形成されたゲート絶縁膜シリコン柱の上部に形成された上部拡散層、及びシリコン基板において上部拡散層より下方に形成された下部拡散層、を有する縦型ＭＯＳトランジスタと、下部拡散層と電気的に接続されたパッドと、を備える。サージ電圧が印加された際に下部拡散層と基板との間においてブレイクダウンが発生する。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＭＯＳトランジスタに係る半導体装置の高速動作を可能とする。
【解決手段】Ｐ型ウエル層３の表面に形成された複数の素子分離膜４の中央部に開口溝５を形成する。開口溝５の側壁から開口溝５の内側に向かってゲート絶縁膜６を介して延在するゲート電極７を形成する。ゲート電極７をマスクにしてセルフアラインでボロンの斜めイオン注入により開口溝５内のＰ型ウエル層３にＰ型ボディ層８を形成する。
ゲート電極７をマスクに砒素のイオン注入によりＰ型ボディ層８にＮ＋型ソース層９を、同時に２つの素子分離膜４間のＰ型ウエル層３にＮ＋型ドレイン層１０を形成する。素子分離膜４の下方のＰ型ウエル層３にＰ型ボディ層８の端部からＮ＋型ドレイン層１０に延在するＮ−型ドリフト層を形成する。この際、Ｐ型ボディ層８の端部から開口溝５の側壁下部までの領域ＡのＮ−型ドレイン層１１の幅をできるだけ小さくなるよう制御する。 （もっと読む）

【課題】サリサイド構造を有するＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極とソース・ドレインコンタクトとの間の短絡を防止する。
【解決手段】ゲート電極１７５上にはシリサイド層２３０が形成されている。シリサイド層２３０の上面は、シリサイド層２３０の中央から両端に向けて低くなっており、当該両端におけるシリサイド層２３０の上面の高さは、オフセットスペーサ１８０の高さ以下である。 （もっと読む）

【課題】工程数が多く、煩雑になる問題を解決する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に第１絶縁膜２を形成し、第１領域Ａに第１導電型の第１ウエル層３１を形成し、第１領域Ａ以外の第１絶縁膜２上に第１半導体膜３を形成し、第１ウエル層３１にトランジスタを形成し、第１半導体膜３及び第１領域Ａの第１絶縁膜２の上に、トランジスタのビットコンタクトを兼ねる第２半導体膜７を形成する工程、第２半導体膜７上に、第２領域用Ｂ１のマスク８を積層してから、第１または第２導電型ドーパントを注入して第２ウエル層３２を形成し、次いで、第２領域Ｂ１の少なくとも第２半導体膜７に、ドーパントを注入する工程、第２半導体膜７上に導電膜を積層してから、第１、第２半導体膜３，７及び導電膜を部分的にエッチングして、第１領域Ａにトランジスタのビット配線層を、第２領域Ｂ１，Ｂ２に別の配線層を形成する工程、を具備する。 （もっと読む）

【課題】配線の信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板４２上に台形状の凸部領域と台形状の凹部領域を設け、凹部領域のシリコン表面にはゲート酸化膜４５が設けられ、ゲート酸化膜上にはゲート電極４６が形成されている。凹部領域に設けられたゲート電極４６の両側の凸部領域にはソース・ドレイン高濃度領域４８が位置し、ソース・ドレイン高濃度領域４８とゲート電極４６の間にはソース・ドレイン低濃度領域４７が形成されている。ソース・ドレイン高濃度領域４８の上表面には第１層目の金属配線４９と第２層目の金属配線５０と第３層目の金属配線５２が積層され、ソース・ドレイン高濃度領域４８から第３金属配線までの接続にコンタクトホールやビアホールなどを利用していない。このように本発明の半導体装置は、コンタクトホールやビアホールなどの接続孔を形成しないで素子と配線との接続や配線間接続を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度のような電気的特性の優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、＜０１−１０＞方向における（０−３３−８）面に対するオフ角が−３°以上＋５°以下である主表面２Ａを有し、炭化珪素からなる基板２と、基板２の主表面２Ａ上にエピタキシャル成長により形成され、炭化珪素からなるｐ型層４と、ｐ型層４の表面に接触するように形成された酸化膜８とを備えている。そして、ｐ型層４と酸化膜８との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値は１×１０^２１ｃｍ^−３以上となっている。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の端部にトラップされるホットキャリアの数を抑制し、且つ、面積拡大を抑制しつつ高耐圧のＭＯＳトランジスタを作製する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板１上に形成したマスクパターン９をマスクとして、第２導電型の一対の第１低濃度拡散領域４と、第１低濃度拡散領域４よりも深くかつ高濃度の第２導電型の一対の第２低濃度拡散領域３と、を形成する。そして、一対の第１低濃度拡散領域４のうちの一方の第１低濃度拡散領域４上から他方の第１低濃度拡散領域４上に亘ってゲート絶縁膜５を形成し、このゲート絶縁膜５上にゲート電極６を形成する。そして、ゲート電極６をマスクとして、第２低濃度拡散領域３よりも高濃度の第２導電型の一対の高濃度拡散領域８を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子面積の増大を抑制しつつ、ハンプ特性を改善できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一導電型半導体基板１００の一主面１０１にＳＴＩ構造の素子分離領域３０を形成し、素子分離領域３０上の端部に凹部１３、１４を有するゲート電極１０を形成し、ゲート電極１０をマスクにして一導電型不純物を斜めにイオン注入して、凹部１３、１４を介して素子領域５０の端部領域５３、５４に不純物注入領域７１、７２を形成し、ゲート電極１０をマスクにしてソース、ドレイン領域８１、８２を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子面積が小さくしかも素子の耐圧の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板上に設けられた一導電型の第１の半導体層１３と、第１の半導体層上に設けられた一導電型で低不純物濃度の第２の半導体層１５と、アイソレーション領域５０によって分離された素子領域７１内に形成されたＭＯＳトランジスタ７５と、素子領域内に一主面から第１の半導体層に達して設けられた一導電型で高不純物濃度の領域１７と、領域１７とＭＯＳトランジスタのドレイン領域３５との間に設けられた絶縁領域６０であって、一主面１０から第１の半導体層１３に達し、基板１１に達していない絶縁領域６０とを備える。 （もっと読む）

低寄生抵抗であるチャネル歪みされたマルチゲートトランジスタとその製造方法に係る。ゲートを連結したチャネル側壁の高さがＨ_ｓｉである半導体フィンのチャネル領域の上にゲートスタックを形成されてよく、ゲートスタックに隣接する半導体フィンのソース／ドレイン領域内に、エッチングレートを制御するドーパントを注入してよい。ドーピングされたフィン領域をエッチングして、半導体フィンの、略Ｈ_ｓｉに等しい厚みを除去して、ゲートスタックの一部の下にある半導体基板の部分を露呈させるソース／ドレイン延長キャビティを形成してよい。露呈した半導体基板の上に材料を成長させて、再成長したソース／ドレイン・フィン領域を形成して、ソース／ドレイン延長キャビティを充填して、ゲートスタックからの長さを、チャネルの長さに実質的に平行な方向に離れる方向に延ばしてよい。 （もっと読む）

【課題】例えば大きな電荷キャリア移動度を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、複数の積層された層群を有する超格子を有する。また装置は、電荷キャリアが積層された層群と平行な方向に超格子を通って輸送される領域を有する。超格子の各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。さらにエネルギーバンド調整層は、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、この層は、連接する基本半導体部分の結晶格子内に閉じ込められる。従って超格子は、平行な方向において、エネルギーバンド調整層がない場合に比べて大きな電荷キャリア移動度を有する。 （もっと読む）

【課題】例えば大きな電荷キャリア移動度を有する半導体装置を製作する方法を提供する。
【解決手段】複数の積層された層群を有する超格子を形成するステップによって、半導体装置を製作する方法である。また当該方法は、前記超格子を通って、前記積層された層群と平行な方向に、電荷キャリアの輸送が生じる領域を形成するステップを有する。超格子の各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。前記エネルギーバンド調整層は、基本半導体部分に隣接する結晶格子内に取りこまれた、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、前記超格子は、超格子が存在しない場合に比べて、前記平行な方向において大きな電荷キャリア移動度を有する。また前記超格子は、共通のエネルギーバンド構造を有しても良い。 （もっと読む）

【解決手段】
洗練された半導体デバイスにおいて、非対称ウエル注入に基いて非対称トランジスタ構造が得られる一方で傾斜注入プロセスは回避し得る。この目的のために、段階的なレジストマスクのような段階的な注入マスクが形成されてよく、段階的な注入マスクは、非対称トランジスタのソース側と比較してドレイン側で高いイオン遮断能力を有していてよい。例えば、非対称構造は、高度な性能向上を伴う非傾斜注入プロセスに基いて得ことができ、また考慮されている技術標準にかかわりなく完成され得る。 （もっと読む）