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Fターム[5F152AA02]の内容

再結晶化技術 (53,633) | 目的、効果 (2,853) | 成長方向の制御 (553) | 横方向に成長(ラテラル) (489)

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【課題】プラスチック支持体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ
上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された発光素子とを有する。また
は、プラスチック支持体と、前記プラスチック支持体に対向する対向基板と、前記プラス
チック支持体と前記対向基板との間に保持された液晶とを有し、前記プラスチック支持体
上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接
着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタとを有する。 (もっと読む)


【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ(TFT)を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム(伸張又は非伸張)の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 (もっと読む)


【課題】薄膜フィルム試料を処理するシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。
【解決手段】フィルム試料170の一区画の特定部分の第1部分を融解させるべく照射ビームパルスの第1パルスの第1小ビームで照射して、この第1部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第1部分どうしの間に第1未照射部分が残る。特定部分の第1小ビームによる照射の後に、この特定部分を、この特定部分の第2部分を融解させるべく照射ビームパルスの第2パルスの第2小ビームで再び照射して、この第2部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第2部分どうしの間に第2未照射部分が残る。再凝固して結晶化した第1部分及び前記第2部分は、フィルム試料の領域内で互いに間に入り合う。これに加えて、第1部分が第1画素に対応し、第2部分が第2画素に対応する。 (もっと読む)


【課題】製造時間と製造価格を増加することなく多結晶シリコン粒径の微小化と均一化を
行なうための技術を提供する。
【解決手段】基板100上に形成したシリコン層104をレーザビーム106の照射によ
って結晶化して多結晶シリコン層108を得る半導体装置などに用いられ、基板100と
シリコン層104との間にバッファ層102が形成されている。バッファ層102を有す
るこのようなバッファ化基板において、該バッファ層102は、基板100の限界温度よ
りも高い融点を有し、さらに、シリコン層104の結晶化に際し、バッファ層102上に
均一なシリコン結晶粒子を形成するためシリコン層104の核生成密度を規定し、かつシ
リコン層104の結晶化過程における等方粒成長の基礎として機能する。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタの特性を均一に確保できる結晶化用光マスク及びそれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による結晶化用光マスクは、スリットが一定に配列されている一つ以上のスリット領域を含み、前記スリットはマスクの移動方向に対し一定角度で傾斜して設けられ、スリット領域は、第1の長さを有する第1部分と第1の長さよりも長い第2の長さを有する第2部分とを含む。 (もっと読む)


【課題】画素構造を最適化することにより、開口率を向上させたEL表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用TFTのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、電流制御用TFTのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、スイッチング用TFTのゲート電極および電流制御用TFTのゲート電極と同一面上に設けられたソース配線と、スイッチング用TFTのゲート電極、電流制御用TFTのゲート電極、およびソース配線を覆う絶縁膜と、ソース配線および前記スイッチング用TFTの半導体層に電気的に接続された第1の接続配線と、電流制御用TFTのゲート電極および前記スイッチング用TFTの半導体層に電気的に接続された第2の接続配線と、電流制御用TFTの半導体層と電気的に接続された画素電極と、発光層と、画素電極と対向する電極とを有するEL素子とを有するEL表示装置。 (もっと読む)


【課題】良好な性能の半導体装置を低コストで提供する。
【解決手段】実施形態による半導体装置の製造方法は、非晶質シリコン膜を成膜する工程と、該非晶質シリコン膜の側面に種結晶を作成する工程と、マイクロ波を用いたアニーリングにより上記非晶質シリコン膜の膜厚の方向に直交する方向で上記非晶質シリコン膜の内部へシリコンを結晶成長させる工程と、を持つ。 (もっと読む)


【課題】10μmを超える長さをもつ直線状の結晶粒が整列した、結晶方位がほぼ2軸揃った結晶粒からなる半導体薄膜を形成し、高移動度でかつ特性の均一な半導体デバイスを提供することができる半導体薄膜の製造方法、半導体デバイスおよび半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】連続発振レーザー結晶化において、回折型レーザビームホモジナイザを用いることで、レーザースポットを直線状・矩形状にし、長い方向にほぼ均一なレーザー強度分布を形成する。このレーザースポットを、レーザースポットの短い方向に適切な間隔をおいて、2段以上並べる。この多段レーザースポットを、シリコン薄膜上に照射し、レーザースポットの短い方向に走査させて、シリコン薄膜を横方向結晶化(ラテラル結晶化)を行うことで、結晶方位がほぼ2軸揃った結晶粒からなる多結晶シリコン薄膜の形成を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】順次側面結晶化において形成される突起によるムラの発生を防止する。
【解決手段】レーザ光によって前記膜を溶融させない非完全溶融エネルギー領域を波形で振幅方向で間隔を置いて並列させ、該非完全溶融エネルギー領域間をレーザ光によって膜が溶融する溶融エネルギー領域にして、レーザ光を前記膜に照射して、膜の溶融部分を固相部分から順次側面結晶化し、さらに、前記固相部分が溶融部分となるように位置を変えて、前記非完全溶融エネルギー領域間を前記溶融エネルギー領域にして、前記レーザ光を前記膜に照射して順次側面結晶化する。非完全溶融エネルギー領域と前記溶融エネルギー領域とを有するレーザパターンでシリコン膜10に照射して結晶化する。 (もっと読む)


【課題】結晶化半導体薄膜に対して適正かつ効率的なフォトマスクの作成を可能にする。
【解決手段】1実施形態に係る設計ライブラリデータベースは、2次元的に区画して各々薄膜トランジスタのチャネル領域のサイズを超える複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化半導体薄膜を用いる薄膜トランジスタ回路の設計ライブラリデータベースであって、各々のチャネル領域が単一の前記結晶粒規定領域内の固定位置に配置される2個以上の薄膜トランジスタおよび前記2個以上の薄膜トランジスタを相互接続する配線を含む様々な論理ゲート回路をそれぞれ表す複数のスタンダードセル、並びに前記様々な論理ゲート回路の様々な組み合わせをそれぞれ表す複数のマクロセルの少なくとも一方のセルのライブラリ、および前記複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化アレイパターンのスタンダードセルのライブラリを含みハードディスクに登録される。 (もっと読む)


【課題】不完全結晶成長領域を含まない多結晶シリコンでゲート電極または遮光部材のような金属パターン上に位置する半導体層を形成することにより、駆動特性及び信頼性を向上させる薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む表示装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンで形成された半導体層142を含む薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層と基板110との間に前記半導体層と絶縁するように位置する金属パターンをさらに含み、前記半導体層の多結晶シリコンは、結晶成長方向と平行な結晶粒界を含み、表面における波状線の最大ピークと最小ピークとの間の距離として定義される表面粗度が15nm以下である。 (もっと読む)


【課題】金属触媒を利用して、結晶粒径が大きな結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体10d上に第1多結晶シリコン層1xを形成した後、第1多結晶シリコン層1x上に金属触媒層8を形成し、金属触媒層8上に非結晶シリコン層4xを形成する。そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層4xと金属触媒層8とを相互拡散させ、非結晶シリコン層4xと金属触媒層8とを入れ替える。非結晶シリコン層4xは、第2多結晶シリコン層4yに変化する。かかる第2多結晶シリコン層4yでは、結晶粒径が大きい。従って、金属触媒層8を除去した後、熱処理を行なえば、第1多結晶シリコン層1xと第2多結晶シリコン層4yとが接している部分を起点に第1多結晶シリコン層1xが再結晶化する。 (もっと読む)


【課題】レーザを照射して薄膜トランジスタに用いる微結晶薄膜を形成する工程において、結晶性の周期的な劣化を回避し、安定して均一性能の微結晶膜を形成することができる平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】連続発振レーザ光を非晶質シリコン膜表面に照射し、一定の速度でレーザを基板に対して相対的に走査しながら結晶化する際に、非晶質シリコン膜の一領域あたりへのレーザ照射時間が0.1ms以上となるように走査し、結晶化を行う。 (もっと読む)


【課題】半導体膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、アライメントマークとして利用可能なマーク構造を、同一の露光工程において半導体膜に形成する。
【解決手段】この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造SPと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造MKと、を有することを特徴とする光変調素子3に関する。この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークAMを、同一工程で形成できる。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成されたアモルファス膜の結晶化を、基板表面に対して垂直方向(即ち下から上方向)ではなく略平行方向(即ち横方向)に進行させる結晶化膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、基板上にアモルファス膜1を形成し、前記アモルファス膜1にレーザ光を照射してレーザ光照射領域1aを結晶化し、前記アモルファス膜1に熱処理を施すことにより、前記レーザ光照射領域以外のアモルファス膜1を結晶化することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体層における特性が更に向上した薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタを備える有機電界発光表示装置とこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置するソース/ドレイン領域及び1又は複数のチャンネル領域を有する半導体層と、前記基板全面にわたって設けられるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられるゲート電極と、前記基板全面にわたって設けられる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層と電気的に接触するソース/ドレイン電極とを含み、前記半導体層のチャンネル領域の多結晶シリコン層は、低角結晶粒界のみを含み、高角結晶粒界は、前記半導体層のチャンネル領域以外の領域に位置する。 (もっと読む)


一態様において、本開示は薄膜処理方法に関する。本方法は、第1の選択された方向に薄膜を進める間、第1レーザパルスと第2レーザパルスで薄膜の第1領域を照射し、各レーザパルスは成形ビームを供給し、薄膜を部分的に溶解するのに十分なフルエンスを持ち、第1領域は再凝固および結晶化して第1の結晶化領域を形成する。更に本方法は、第3レーザパルスと第4レーザパルスで薄膜の第2領域を照射し、各レーザパルスは形成ビームを供給し、薄膜を部分的に溶解するのに十分なフルエンスを持ち、第2領域は再凝固および結晶化して第2の結晶化領域を形成する。第1レーザパルスと第2レーザパルス間の時間間隔は、第1レーザパルスと第3レーザパルス間の時間間隔の半分未満である。 (もっと読む)


【課題】出力安定性、保守性に優れ、かつ、省スペース化、低ランニングコスト化が実現可能なレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ波長が390nm〜470nmのレーザ光を発光する単一のレーザ発光素子又は複数のレーザ発光素子を配置したレーザ発光素子群と、前記レーザ発光素子又は素子群から発光されるレーザ光を線状レーザスポットに集光する集光手段と、前記集光手段により集光された線状レーザスポットの総照射パワー値が6W〜200Wとなるよう前記レーザ発光素子の各々の発光量を調整するレーザ発光素子制御手段とを有するレーザ照射装置。 (もっと読む)


本発明の実施形態は、電磁エネルギーの複数のパルスを使用する薄膜の固相再結晶化の方法を提供する。一実施形態では、アモルファス層が、再結晶化すると下の結晶性のシード領域またはシード層と同じグレイン構造および結晶配向を有するように堆積されている、結晶性のシード領域またはシード層へ複数のエネルギーのパルスを供給することによって、基板表面全体または基板の表面の選択された領域をアニールするために本発明の方法を使用することができる。
(もっと読む)


【課題】熱プラズマジェットを用いて粒径の異なる結晶シリコンを製造する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】圧電素子2によって噴出口18と基板60との距離が1mmに設定されると、プラズマ源10は、熱プラズマジェットを発生し、直径が300μmφである噴出口18から熱プラズマジェットTPJをa−Si:H膜61に照射する。これによって、a−Si:H膜61の一部が溶融結晶化する。その後、圧電素子2によって噴出口18と基板60との距離が5mmに設定されると、プラズマ源10は、熱プラズマジェットを発生し、噴出口18から熱プラズマジェットTPJをa−Si:H膜61に照射する。これによって、a−Si:H膜61の一部が固相結晶化する。 (もっと読む)


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