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Fターム[5F152BB09]の内容

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Fターム[5F152BB09]に分類される特許

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【課題】本発明では、高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせずに、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を製造する方法を提供する。また、本発明では、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を提供する。
【解決手段】半導体積層体を製造する本発明の方法は、基材の表面上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結シリコン膜120を形成する工程、及び未焼結シリコン膜に光200を照射して、半導体シリコン膜130aを形成する工程を含み、かつ基材の表面100aに対する溶融シリコンの接触角が70度以下である。本発明の半導体積層体は、この半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、かつ基材の表面に対する溶融シリコンの接触角が70度以下である。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、ソレノイドコイル3が、第一石英板4、第二石英板5、及び、複数の石英管6によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。石英管6の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一石英板4、第二石英板5、及び、冷媒ケース16によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5と冷媒ケース16とは、ボルト19をタップ18にねじ込むことにより、固定される。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】
エリプソメトリの技法を用いて結晶状態を迅速に判定することを可能にする。
【解決手段】
表面に多結晶シリコン薄膜が形成された試料を一方向に連続的に移動させながら試料に照明光を照射し、照明光が照射された試料からの反射光をs偏光成分とp偏光成分とに分離し、分離したs偏光の一部を偏光状態を変化させてp偏光を生成し、偏光状態を変化させて生成したp偏光と反射光から分離したp偏光の一部とを合成して合成光を作成し、作成した合成光を検出して第一の信号を得、反射光から分離したp偏光のうち一部を除いた残りのp偏光を検出して第二の信号を得、第一の信号と第二の信号とを処理して得た情報に基づいて試料の表面に形成された多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を判定するようにした。 (もっと読む)


【課題】高品質な半導体薄膜を製造する薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法は、a−Si膜等の半導体薄膜を第1の基板上に堆積する工程S1と、第1の基板をエッチングして第1の基板と半導体薄膜との間に中空部を形成する工程S2と、半導体薄膜に第2の基板を接触させる工程S3と、半導体薄膜に第2の基板を押し付け、または半導体薄膜が溶融する強度を有するレーザ光を半導体薄膜に照射する工程S4と、第1の基板を半導体薄膜から引き離す工程S5とを備える。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法で、結晶化部分を有する半導体基材を得る。
【解決手段】ベース基材と;該ベース基材上に配置された、アモルファス半導体材料由来の結晶性半導体層とを少なくとも含む半導体基材。結晶性半導体層の表面近傍において、SIMSによりGeが検出可能である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、新規な未焼結シリコン粒子膜及び半導体シリコン膜、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の未焼結シリコン粒子膜130は、互いに未焼結のシリコン粒子からなり、且つ不活性ガス雰囲気中において1気圧の圧力及び600℃の温度で加熱したときに脱離する脱離性ガスの量が、未焼結シリコン粒子膜の質量に基づいて、500質量ppm以下である。未焼結シリコン粒子膜を製造する本発明の方法は、(a)シリコン粒子分散体を、基材上100に塗布して、シリコン粒子分散体膜110を形成する工程、(b)シリコン粒子分散体膜110を乾燥して、乾燥シリコン粒子膜120を形成する工程、及び(c)乾燥シリコン粒子膜120を焼成することによって、未焼結シリコン粒子膜130を形成する工程を含む。本発明の半導体シリコン膜140は、互いに焼結されているシリコン粒子からなり、且つ炭素原子を実質的に含有していない。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜(160)は、複数の細長シリコン粒子(22)が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子(22)は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜(160)を製造する本発明の方法は、第1のシリコン粒子分散体を、基材(100)上に塗布し、乾燥し、光(200)を照射して、第1の半導体シリコン膜(130)を形成する工程、第2のシリコン粒子分散体を、第1の半導体シリコン膜(130)に塗布し、乾燥し、光(200)を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第1のシリコン粒子分散体の第1のシリコン粒子の分散が5nm以上である。 (もっと読む)


【課題】 高温中で緻密化を図りつつ、下部電極や金属基板が過剰にVI族化されることを抑制し、且つVI族欠陥の少ない高品質なIB−IIIA−VIA族系化合物半導体薄膜を製造することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜物質を形成する薄膜形成工程(S12)と、IB族−IIIA族金属間化合物を含む薄膜を形成する予備熱処理工程(S13)と、VI族物質を含む雰囲気中でIB族−IIIA族金属間化合物を含む薄膜を加熱し、CuxA(AはS、Seから選択される少なくとも一種、0.5≦x≦1)相を備える中間体を形成する第一熱処理工程(S14)と、VI族物質がない雰囲気下またはVI族濃度が薄い雰囲気下で中間体を熱処理する第二熱処理工程(S15)と、VI族物質を含む雰囲気中又はVI族濃度が濃い雰囲気中で、IB−IIIA−VIA族系化合物半導体を熱処理する第三熱処理工程(S16)とを含む。 (もっと読む)


【課題】高周波スパッタリング法等により一括して製造することができ、半導体ナノスケール粒子がNb単相マトリクスに均一に分散した構造の半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料(1)は、一般式Ge100−x−yNb(ただし、70≦x+y≦98、20≦x≦28、50≦y≦70であり、各元素の添字は原子比率を示す)で表され、その結晶構造が、半導体ナノスケール粒子(2)としてのGe相がマトリクス(3)としてのNb相中に分散した複合構造を有する。この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において500〜800℃で熱処理して結晶化することにより製造される。 (もっと読む)


【課題】ドーパント含有シリコンインゴットを材料効率よく提供することで、より低コストな多結晶型シリコン太陽電池を提供する。
【解決手段】P型またはN型のドーパントを含有したシリコンターゲットを用意する工程Aと、P型またはN型のドーパントを含有したシリコンターゲットを利用して、基板表面にP型またはN型アモルファスシリコン膜をスパッタ成膜する工程Bと、P型またはN型アモルファスシリコン膜にプラズマを走査させて溶融後、再結晶化させてP型またはN型多結晶シリコン膜を形成する工程Cと、工程Cで形成されたP型多結晶シリコン膜に、N型のドーパントを含むガスによるプラズマに曝してPN接合を形成する、または工程Cで形成されたN型多結晶シリコン膜に、P型のドーパントを含むガスによるプラズマに曝してPN接合を形成する工程Dとを含む多結晶型太陽電池パネルの製造方法。 (もっと読む)


【課題】特別な装置或いは部材を新たに設けることなく、再アニールによる基板のクラック発生を防止するレーザーアニール装置を提供する。
【解決手段】レーザーアニール装置は、基板を載置するステージと、レーザー光を発振するレーザーヘッドと、発振されたレーザー光を基板の半導体層の上面に対して概ね垂直な主光軸に沿って集光させるfθレンズとを備え、ステージには載置された基板の半導体層の平均膜厚に対して所定量だけ異なる膜厚を有して半導体層の端部に所定の幅を有して延在する領域に相当する部分に所定の断面形状を有する凹部が形成されている。 (もっと読む)


【課題】基板上にガリュウムを堆積する方法を提供する。
【解決手段】ガリウムを含むガリウム成分;1,3−プロパンジチオール、ベータ−メルカプトエタノール、これらの類似体およびこれらの混合物から選択される安定化成分、および1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エンからなる群から選択される添加剤、並びに液体キャリアを当初成分として含み、安定な分散物であるガリウムインクを用い基板に堆積し加熱処理する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットTにおいて、弧状の銅管3からなるコイルが、石英ブロック4の周囲に配置され、弧状の銅管3の弧が途切れた部分にプラズマ噴出口8が設けられる。筒状チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、銅管3に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】エキシマレーザを光源として用いることなく、アモルファスシリコンの膜をムラ無くかつ安価に結晶化させることのできる光照射装置を提供する。
【解決手段】光照射装置100は、複数の光源部14と、複数の光源部14から出射された光を集光して被照射物に向けて線状に照射するための板状のプリズム20とを備えている。複数の光源部14は、それぞれ、発光部10及び発光部10から発せられる光を反射する楕円鏡12によって構成されている。楕円鏡12の第1焦点もしくはその近傍に発光部10が配置されており、楕円鏡12の第2焦点もしくはその近傍にプリズム20の光の入射面22が配置されている。 (もっと読む)


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