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【課題】 高温中で緻密化を図りつつ、下部電極や金属基板が過剰にVI族化されることを抑制し、且つVI族欠陥の少ない高品質なIB−IIIA−VIA族系化合物半導体薄膜を製造することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜物質を形成する薄膜形成工程(S12)と、IB族−IIIA族金属間化合物を含む薄膜を形成する予備熱処理工程(S13)と、VI族物質を含む雰囲気中でIB族−IIIA族金属間化合物を含む薄膜を加熱し、CuxA(AはS、Seから選択される少なくとも一種、0.5≦x≦1)相を備える中間体を形成する第一熱処理工程(S14)と、VI族物質がない雰囲気下またはVI族濃度が薄い雰囲気下で中間体を熱処理する第二熱処理工程(S15)と、VI族物質を含む雰囲気中又はVI族濃度が濃い雰囲気中で、IB−IIIA−VIA族系化合物半導体を熱処理する第三熱処理工程(S16)とを含む。 (もっと読む)


【課題】特性が安定した半導体膜を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体素子を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】具体的には、絶縁性の表面に一方の面を接する第1の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層(シード層)と、当該種結晶層(シード層)の他方の面に異方性の結晶が成長した酸化物半導体膜を有する構成とすれば良く、このようなヘテロ構造とすることにより、当該半導体膜の電気特性を安定化することができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置は、可視光や紫外光を照射することで電気的特性が変化する。このような問題に鑑み、酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層上に膜厚が1nm以上10nm以下の第1の酸化物半導体層を形成し、加熱処理により結晶化させ、第1の結晶性酸化物半導体層を形成し、その上に第1の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第2の結晶性酸化物半導体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】分周回路の動作不良を抑制する。
【解決手段】第1又は第2のクロック信号に従って2×X個(Xは2以上の自然数)のパルス信号を生成して出力するシフトレジスタと、2×X個のパルス信号に従って、第1のクロック信号の周期のX倍の周期である第3のクロック信号となる信号を生成して出力する分周信号出力回路と、を具備し、分周信号出力回路は、ゲートのそれぞれに、2×X個のパルス信号における1個目乃至X個目のパルス信号のうち、互いに異なるパルス信号が入力され、第3のクロック信号となる信号の電圧を第1の電圧に設定するか否かを制御するX個の第1のトランジスタと、ゲートのそれぞれに、2×X個のパルス信号におけるX+1個目乃至2×X個目のパルス信号のうち、互いに異なるパルス信号が入力され、第3のクロック信号となる信号の電圧を第2の電圧に設定するか否かを制御するX個の第2のトランジスタと、を備える。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い酸化物半導体膜の作製方法を提供することを課題の一とする。また、高い電界効果移動度を有するトランジスタの作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に酸素を意図的に含ませない雰囲気で酸化物半導体膜を形成し、酸素を含む雰囲気で熱処理をして、酸化物半導体膜を結晶化させる酸化物半導体膜の作製方法である。また、基板上に、ゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸素を意図的に含ませない雰囲気で酸化物半導体膜を形成し、酸素を含む雰囲気での第1の熱処理をして、酸化物半導体を結晶化させ、結晶化した酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、結晶化した酸化物半導体膜、ソース電極およびドレイン電極上に酸素原子を含む絶縁膜を形成し、結晶化した酸化物半導体膜を第2の熱処理により酸化させるトランジスタの作製方法である。 (もっと読む)


【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】10−6Pa以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第1の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第2の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが10−8Pa以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、10−8Pa以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、10−6Pa以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上の第2の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、第2の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の、第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、第2の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第1の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第2の結晶性を有する酸化物半導体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードである。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれる電子供与体(ドナー)となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい。 (もっと読む)


基板上に結晶半導体層を形成するための方法および装置が提供される。半導体層は気相堆積によって形成される。パルスレーザ溶融/再結晶化プロセスが半導体層を結晶層に変換するために実行される。レーザまたは他の電磁放射のパルスがパルス列に形成され、処置ゾーンにわたって均一に分配され、連続する隣接した処置ゾーンがパルス列にさらされて、堆積された材料を結晶材料に漸進的に変換する。
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【課題】トランジスタ駆動に適した比抵抗をもつ良質な無機膜を提供する。
【解決手段】一般式Nabcd(式中NはZnまたはMg、MはTi、WまたはMo、QはInまたはFeであり、a,b,c,dは正の実数である)で表される無機膜を、Nの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも1つと、Mの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも1つと、Qの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも1つと、有機溶媒と、を含む原料液を基板上に塗布成膜し、加熱処理により製造する。 (もっと読む)


【課題】SOI技術を用いて半導体装置を作製する上で、パンチスルー電流を抑えるだけでなく、貼り合わせに用いるシリコンウエハーの再利用を実現できる構造を有する半導体装置、およびその作製方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハー101から分離された基板106に貼り合わせた半導体膜107に、ソース領域およびドレイン領域とは逆の導電型の不純物109、112を注入し、その上に単結晶半導体膜114を接合して得られる積層の半導体膜を用いてチャネル領域を形成する。 (もっと読む)


本発明は、結晶表面を有する結晶ベース基板の上に結晶ゲルマニウム層を形成する方法を提供する。この方法は、ベース基板を洗浄して表面から汚染物および/または自然酸化物を除去する工程と、水素プラズマ、Hフラックス、またはGeHの分解で得られる水素のような水素源および/またはN、He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn、またはそれらの混合物のような非反応性ガス源にベース基板を露出させながら、ベース基板の表面上にアモルファスゲルマニウム層を形成する工程と、ベース基板をアニールしてアモルファスゲルマニウム層を結晶化して、結晶ゲルマニウム層を形成する工程と、を含む。また、この方法は、本発明の具体例にかかる方法を用いて光起電セルまたは光分解セルを形成する方法、またはCMOSデバイスを形成する方法、および本発明の具体例にかかる方法で形成した結晶ゲルマニウム層を含む基板を提供する。
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【課題】SBSI法において第1半導体層及び第2半導体層の膜形成の所要時間を短縮で
きるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶の半導体基板1の表面領域2上にアモルファス又は多結晶構造の第1
半導体層11を形成する工程と、第1半導体層11上にアモルファス又は多結晶構造の第
2半導体層12を形成する工程と、第2半導体層12上から半導体基板1の表面領域2に
向けてSi又はArをイオン注入して、半導体基板1の表面領域2と、第1半導体層11
及び第2半導体層12をアモルファス化する工程と、イオン注入によるアモルファス化を
行った後で半導体基板1に熱処理を施して、半導体基板1の表面領域2と、第1半導体層
11及び第2半導体層12を単結晶化する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 単結晶半導体層の結晶品質を向上させつつ、単結晶半導体層を絶縁体上に安価に形成する。
【解決手段】 選択エピタキシャル成長を行うことにより、非晶質半導体層3と接触するように開口部5内に埋め込まれた単結晶半導体層6を形成した後、エッチングガスまたはエッチング液をシリコン酸化膜2、4に接触させることにより、シリコン酸化膜2、4をエッチング除去して、単結晶半導体基板1と非晶質半導体層3との間に空隙7を形成し、単結晶半導体層6を種として非晶質半導体層3の熱処理を行うことにより、非晶質半導体層3が単結晶化された単結晶化半導体層8を形成してから、単結晶半導体基板1と単結晶半導体層8との間の空隙7に埋め込み絶縁層9を形成する。 (もっと読む)


【課題】レーザビームが照射された領域全体に占める微結晶が形成される領域の割合を減らし、半導体膜に対して良好にレーザ照射を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】レーザ発振器101から出射したレーザ光104をスリット102を通過させることによって強度の弱い部分を遮断した後にミラー103で偏向させ、このレーザ光を凸型シリンドリカルレンズ105,106または凸型球面レンズを用いて任意の大きさにビームの整形をした後に照射面に照射する。 (もっと読む)


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