【課題】フラッシュ加熱処理時における薄膜の過度の加熱を抑制することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】表面に二酸化ケイ素の基材を形成し、さらにその上にアモルファスシリコンの薄膜を形成した半導体ウェハーＷをチャンバー６内に搬入する。フラッシュランプＦＬへの電力供給回路には絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）が接続されており、そのＩＧＢＴによってフラッシュランプＦＬへの通電時間を０．０１ミリ秒以上１ミリ秒以下とすることにより、フラッシュ光照射時間を０．０１ミリ秒以上１ミリ秒以下としている。顕著に短いフラッシュ光照射時間にてフラッシュ加熱処理を行うため、アモルファスシリコンの薄膜が過度に加熱されることは抑制され、当該薄膜が剥離するなどの弊害が防止される。 （もっと読む）

【課題】
エリプソメトリの技法を用いて結晶状態を迅速に判定することを可能にする。
【解決手段】
表面に多結晶シリコン薄膜が形成された試料を一方向に連続的に移動させながら試料に照明光を照射し、照明光が照射された試料からの反射光をｓ偏光成分とｐ偏光成分とに分離し、分離したｓ偏光の一部を偏光状態を変化させてｐ偏光を生成し、偏光状態を変化させて生成したｐ偏光と反射光から分離したｐ偏光の一部とを合成して合成光を作成し、作成した合成光を検出して第一の信号を得、反射光から分離したｐ偏光のうち一部を除いた残りのｐ偏光を検出して第二の信号を得、第一の信号と第二の信号とを処理して得た情報に基づいて試料の表面に形成された多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を判定するようにした。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体薄膜を製造する薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法は、ａ−Ｓｉ膜等の半導体薄膜を第１の基板上に堆積する工程Ｓ１と、第１の基板をエッチングして第１の基板と半導体薄膜との間に中空部を形成する工程Ｓ２と、半導体薄膜に第２の基板を接触させる工程Ｓ３と、半導体薄膜に第２の基板を押し付け、または半導体薄膜が溶融する強度を有するレーザ光を半導体薄膜に照射する工程Ｓ４と、第１の基板を半導体薄膜から引き離す工程Ｓ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域３０８と、前記島状の半導体領域３０８の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜３１０と、前記ゲート絶縁膜３１０を介して前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜（１６０）は、複数の細長シリコン粒子（２２）が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子（２２）は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜（１６０）を製造する本発明の方法は、第１のシリコン粒子分散体を、基材（１００）上に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射して、第１の半導体シリコン膜（１３０）を形成する工程、第２のシリコン粒子分散体を、第１の半導体シリコン膜（１３０）に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第１のシリコン粒子分散体の第１のシリコン粒子の分散が５ｎｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】高性能でかつばらつきの少ないナノワイヤトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜上に設けられ、第１領域と第１領域よりも幅の広い第２および第３領域とを有しこれらの第２および第３領域の少なくとも一方が第１領域に接続するように構成された第１半導体層と、第１半導体層の上面に設けられるマスクと、を形成する工程と、マスクを用いて、前記第１半導体層の第１領域の側面にイオン注入を行う第１イオン注入を行う工程と、イオン注入を行った後に、第１熱処理を行う工程と、マスクを除去した後、第１半導体層の前記第１領域の少なくとも側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の、第２および第３領域側の側面に絶縁体のゲート側壁を形成する工程と、少なくとも第１半導体層の第２および第３領域に第２イオン注入を行う工程と、とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 光学系を複雑化させることなく、均一なエネルギー密度のレーザ光を被照射体
に照射することができる、レーザ照射装置の提案を課題とする。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、レーザ発振器と、被照射体の表面における一軸方向に、前記レーザ発振器から発振されたレーザ光によって形成されるビームスポットを繰り返し走査するための光学系と、前記表面において前記一軸方向と交差する方向に向かって、前記レーザ光に対する前記被照射体の相対的な位置を移動させるための位置制御手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない半導体層を得ること、及び信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】半導体基板中に、Ｈ_２Ｏ^＋が水素イオン（Ｈ_３^＋）に対して３％以下、好ましくは０．３％以下であるイオンビームを照射することにより、前記半導体基板中に脆化領域を形成し、前記半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、前記半導体基板及び前記ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた前記半導体基板及び前記ベース基板を加熱し、前記脆化領域において分離させることにより、前記ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製に関する。 （もっと読む）

【課題】照射された水素イオンの単結晶半導体基板からの脱離を抑制する。
【解決手段】半導体基板中に炭素イオンを照射し、当該炭素イオンが照射された半導体基板中に、水素イオンを照射することにより、当該半導体基板中に脆化領域を形成し、当該半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、当該半導体基板及び当該ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた当該半導体基板及び当該ベース基板を加熱し、当該脆化領域において分離させることにより、当該ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製に関する。 （もっと読む）

【課題】膜厚の均一な半導体層を有するＳＯＩ基板を得る。
【解決手段】半導体基板の第１の面を研磨して、当該第１の面を平坦化し、当該半導体基板の当該第１の面と反対側の面である第２の面にイオンを照射することにより、当該半導体基板中に脆化領域を形成し、当該半導体基板の第２の面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、当該半導体基板及び当該ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた当該半導体基板及び当該ベース基板を加熱し、当該脆化領域において分離させることにより、当該ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製に関する。当該ＳＯＩ基板の作製においては、当該半導体層の膜厚の標準偏差をσとし、３σが１．５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でニッケル含有シリサイドを形成する。
【解決手段】シリコン基板を用いた場合であって、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ゲート電極側面のサイドウォールを形成し、不純物イオンをドープしてソース領域及びドレイン領域を形成し、表面酸化膜を除去し、シリコン基板を４５０℃以上に加熱しながら、ニッケル含有膜を１０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で形成することにより、ソース領域、ドレイン領域、及びゲート電極上にニッケル含有シリサイドを形成することができる。その後、未反応のニッケルを除去する。 （もっと読む）

【課題】焼成時における膜中の異常結晶成長を防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】表面に薄膜が形成された半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されて保持プレート７に保持される。半導体ウェハーＷは保持プレート７に内蔵されたヒータなどによって所定温度に温調される。その後、フラッシュ照射部５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに向けてフラッシュ光が照射され、薄膜の焼成処理が行われる。発光時間が極めて短く強度の強いフラッシュ光であれば、薄膜の表面温度を瞬間的に昇温させてすぐに降温させることができる。このため、膜中に長時間焼成に起因した異常結晶成長が生じるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびこれの製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 （もっと読む）

【課題】従来のＩＧＢＴの製造方法によって製造されるＩＧＢＴよりもオン抵抗の低いＩＧＢＴを、安価な製造コストで製造することが可能なＩＧＢＴの製造方法を提供する。
【解決手段】パンチスルー型のＩＧＢＴを製造するためのＩＧＢＴの製造方法。ｎ⁻型シリコン基板１１２を準備する第１工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第１主面側表面にＭＯＳ構造１２０を形成する第２工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２を研削・研磨してｎ⁻型シリコン基板１１２を薄くする第３工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側からｎ⁻型シリコン基板１１２の内部にｎ型不純物を導入する第４工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側の表面上にｐ型不純物を含有する多結晶シリコン層１１６”を形成する第５工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側からレーザー光を照射して多結晶シリコン層１１６”を溶融させる第６工程とをこの順序で含む。 （もっと読む）

【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第１のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第２のレーザ光を照射する。具体的に第１のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長（８９０ｎｍ以下程度）を有する。第１のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第２のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第２のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン抵抗の特性バラツキを抑制する。
【解決手段】結晶粒を有する多結晶シリコン膜（２）と、多結晶シリコン膜（２）の上に設けられ、多結晶シリコン膜（２）の第１端部から第１距離（ｄ１）の位置に配置された第１接続領域（３）と、多結晶シリコン膜（２）の上に設けられ、第１端部と異なる第２端部から第２距離（ｄ２）の位置に設けられた第２接続領域（３）とを具備する多結晶シリコン抵抗（１）を構成する。その多結晶シリコン抵抗（１）おいて、多結晶シリコン膜（２）は、第１端部と第１接続領域（３）との間の第１部分（６）と、第２端部と第２接続領域（３）との間の第２部分（７）と、第１接続領域（３）と第２接続領域（３）との間の第３部分（８）とを具備するものとする。そして、第３部分（８）に含まれる結晶粒の結晶粒径は、第１部分（６）または第２部分（７）に含まれる結晶粒の結晶粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を半導体膜に照射する半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】発振器からレーザー光を発振させ、シリンドリカル凹レンズ及び第一のシリ
ンドリカル凸レンズを通過させることにより、レーザー光の断面の第一の方向に伸長させ
、第一のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向におけるエネルギー密度の分
布を均一にし、第二のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向と直交する第二
の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、且つ第二の方向に伸長させ、第二のシ
リンドリカル凸レンズを通過させることにより、第一の方向に収束させ、第二のシリンド
リカル凸レンズを通過したレーザー光を、半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して、結晶粒径が大きな結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に第１多結晶シリコン層１ｘを形成した後、第１多結晶シリコン層１ｘ上に金属触媒層８を形成し、金属触媒層８上に非結晶シリコン層４ｘを形成する。そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを相互拡散させ、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。非結晶シリコン層４ｘは、第２多結晶シリコン層４ｙに変化する。かかる第２多結晶シリコン層４ｙでは、結晶粒径が大きい。従って、金属触媒層８を除去した後、熱処理を行なえば、第１多結晶シリコン層１ｘと第２多結晶シリコン層４ｙとが接している部分を起点に第１多結晶シリコン層１ｘが再結晶化する。 （もっと読む）

【課題】不純物拡散領域の抵抗値のばらつきを抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層にドーパント不純物を添加し、０．１秒〜１０秒の活性化熱処理を行う。次いで、半導体層にイオン注入を行い、半導体層のドーパント不純物が添加された領域をアモルファス化する。次いで、０．１ミリ秒〜１００ミリ秒の活性化熱処理を行い、アモルファス化した半導体層を再結晶化することにより、半導体層にドーパント不純物の拡散領域を形成する。 （もっと読む）