【課題】アモルファス半導体膜の結晶化を低温で短時間に行うことができ、大粒径の結晶粒を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態による半導体装置の製造方法では、基板上にアモルファス半導体膜を形成する。さらに、前記方法では、前記基板上にマイクロ波を照射することにより、前記アモルファス半導体膜をアニールして、前記アモルファス半導体膜から多結晶半導体膜を形成する。さらに、前記方法では、前記多結晶半導体膜をチャネルとするトランジスタを形成する。 （もっと読む）

ＭＯＳトランジスタなどの半導体デバイスを製造する方法。本デバイスは、ポリシリコンのゲート（１０）および、半導体基板（１２）内に形成されチャネル領域（２６）で分離されたドーピング領域（２２，２４）を備える。後の熱アニールの間にドーパント・イオンが拡散することを阻害するために、半導体基板の露出面を、例えばイオン衝撃によって、アモルファス化する。活性化およびポリシリコン再成長のためのサーマルバジェットが低いことは、ソース／ドレイン領域における急峻なドーピングプロファイルを確実にするために好ましい。結果として、ゲート電極の上部（１０ｂ）は、アモルファスのままである。ポリシリコンの下部を用いて低抵抗の接点を作成するために、ゲート電極の上部を除去する。
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【課題】 本発明は、液体状の高次シランまたは高次シラン溶液によって作製された前駆体膜を、加熱または光照射によりシリコン膜に変換する際、不活性ガス雰囲気中から酸素を除去することによって、シリコン膜中に酸素が取り込まれることを防ぐ方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、液体状の高次シランまたは高次シラン溶液を基板に塗布し、シリコン膜の前駆体膜（１４）を形成する第一工程と、シリコン膜の前駆体膜（１４）を、加熱処理または紫外線照射処理によって、シリコン膜（１４’）に変換する第二工程と、を含み、前記第一および第二工程を不活性ガス雰囲気中で行い、該不活性ガス雰囲気には酸素と反応し高次シランとは反応しない酸素除去用ガスが添加されていることを特徴とする、シリコン膜の形成方法を提供するものである。 （もっと読む）