【課題】本発明は、新規な未焼結シリコン粒子膜及び半導体シリコン膜、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の未焼結シリコン粒子膜１３０は、互いに未焼結のシリコン粒子からなり、且つ不活性ガス雰囲気中において１気圧の圧力及び６００℃の温度で加熱したときに脱離する脱離性ガスの量が、未焼結シリコン粒子膜の質量に基づいて、５００質量ｐｐｍ以下である。未焼結シリコン粒子膜を製造する本発明の方法は、（ａ）シリコン粒子分散体を、基材上１００に塗布して、シリコン粒子分散体膜１１０を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜１１０を乾燥して、乾燥シリコン粒子膜１２０を形成する工程、及び（ｃ）乾燥シリコン粒子膜１２０を焼成することによって、未焼結シリコン粒子膜１３０を形成する工程を含む。本発明の半導体シリコン膜１４０は、互いに焼結されているシリコン粒子からなり、且つ炭素原子を実質的に含有していない。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安全な工程で、水素が注入された結晶質半導体粒子を製造することができる結晶質半導体粒子の製造方法、および該製造方法により製造された結晶質半導体粒子が使用され、高い光電変換効率を有する光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】結晶質シリコン粒子３の材料であるシリコン融液１１を粒状に排出して、落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させることにより結晶質シリコン粒子３を製造する。この際、シリコン融液１１を、水素化合物を含有する雰囲気中で落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させる。従って、簡素かつ安全な工程で、結晶中のダングリングボンドに水素が結合され、結晶欠陥が不活性化された結晶質シリコン粒子３を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤタグおよびＲＦＩＤタグ製造方法を提供する。
【解決手段】ＲＦＩＤ装置は、（１）金属アンテナおよび／またはインダクタ、（２）集積回路を支持し、前記金属アンテナおよび／またはインダクタから前記集積回路を絶縁する、前記金属アンテナおよび／またはインダクタ上に形成された誘電体層、（３）前記誘電体層上に形成された、同じ層を少なくとも１つ有する複数のダイオードおよび複数のトランジスタ、（４）前記金属アンテナおよび／またはインダクタおよび前記複数のダイオードの少なくとも一部と電気的に接続されている複数のコンデンサであって、前記複数のダイオード、および／または、前記複数のダイオードおよび前記複数のトランジスタとのコンタクトと同じ層を少なくとも１つ有する複数のコンデンサを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能の均一性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、ガラス基板１上に非晶質シリコン膜４を形成する工程と、非晶質シリコン膜４上に吸収膜６を形成する工程と、吸収膜６の所定領域上に反射抑制膜７を形成する工程と、反射抑制膜７および吸収膜６にレーザーを照射することにより吸収膜６を発熱させ、その熱を利用して非晶質シリコン膜４を結晶化することによって、複数の柱状結晶が会合することにより形成される連続した結晶粒界帯８の位置が制御された結晶シリコン膜４ａを形成する工程とを備えている。 （もっと読む）