【課題】 従来よりも総工程数を減少でき、且つ動作特性及び信頼性を改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 基板１０に直接または下地膜１２を介してアイランド状に形成された、活性層として機能する半導体膜４５と、この半導体膜４５内に形成された一対のソース・ドレイン領域２０ａ及び２０ｂとを備える。一対のソース・ドレイン領域２０ａ及び２０ｂは、半導体膜４５のソース・ドレイン領域２０ａ及び２０ｂ以外の部分よりも薄くされており、その厚さの差が１０オングストローム〜１００オングストロームの範囲内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に均一な領域を作製して、この領域内にＴＦＴデバイスを設けることを可能にするプロセス及びシステムを提供する。
【解決手段】薄膜フィルム試料（例えば半導体薄膜フィルム）を処理するプロセス及びシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。特に、ビーム発生器を制御して、少なくとも１本のビームパルスを放出することができる。このビームパルスで、フィルム試料の少なくとも一部分を十分な強度で照射して、試料のこうした部分を厚さ全体にわたって完全に融解させて、このビームパルスは所定形状を有する。フィルム試料のこの部分が再凝固して、再凝固した部分の少なくとも一部が、第１領域及び第２領域から成る。再凝固時に、第１領域は大粒子を含み、第２領域は核化によって形成された領域を有する。第１領域は第２領域を包囲し、第２領域の粒子構造とは異なる粒子構造を有する。第２領域は、この領域上に電子デバイスの活性領域を設けるように構成される。
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