【課題】格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとする。
【解決手段】シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にＧｅを含むアモルファスの第１の半導体層を形成する工程と、前記第１の半導体層を第１の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第１の方向に延伸した第１の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってＳｉの濃度が減少する第１のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのシリコン層に残留する金属触媒の濃度を最小化して漏れ電流を最小化することのできるトランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のトランジスタは、基板１０１と、基板１０１上に形成されたソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域を含むアクティブ領域１１１と、アクティブ領域１１１上に形成されたゲート絶縁膜１１２と、ゲート絶縁膜１１２上に形成されたゲート電極１１３とを含み、アクティブ領域１１１は大型シリコン結晶化法を利用して結晶化され、結晶化された結晶粒は第１結晶化工程により形成された第１結晶化部分と第２結晶化工程により形成された第２結晶化部分が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子の信頼性及び特性を向上させることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供するステップと、前記基板上に非晶質シリコン層を形成するステップと、前記非晶質シリコン層上に除去可能な有機膜を形成するステップと、前記有機膜上にレーザーを照射して、非晶質シリコン層を結晶化して多結晶シリコン層を形成するステップと、前記有機膜を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板面内の結晶粒の位置や結晶粒径を容易に制御しつつ、製造工程数を削減することができる半導体薄膜、電子デバイス及び液晶表示デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体薄膜（又は電子デバイス若しくは液晶表示デバイス）の製造方法において、第１の透明基板２上に非晶質半導体薄膜５１５を形成する工程と、表面の一部（２１）に金属元素を含む転写体２０を形成する工程と、転写体２０の表面の一部を非晶質半導体薄膜５１５の表面に当接させ、金属元素を含む溶液２５を非晶質半導体薄膜５１５の表面上に転写する工程と、非晶質半導体薄膜５１５を溶融させ、金属元素を結晶生成核として非晶質半導体薄膜５１５を結晶化する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】移動度の向上したＭＯＳトランジスタを提供する。
【解決手段】半導体装置に伸張性のチャネル領域を形成する工程を包含する。一形態において、製造の中間段階において半導体装置のアモルファス部分を覆う応力層を歪ませる工程を包含する。上記半導体装置はマスクされており、応力層の一部における歪みは緩和される。製造途中の半導体装置のアモルファス部分を再結晶化することによって、応力層からの歪みを基板に伝達する。歪みの少なくとも一部は、装置の製造工程の間、基板に残存する。その結果、完成した装置の性能を向上させることができる。他の形態において、伸張性の応力層は、上記装置の第１部分を覆うよう形成され、圧縮性の応力層は、上記装置の第２部分を覆うよう形成される。伸張性の応力層は、ＰＭＯＳ装置において圧縮性のチャネルを形成し、圧縮性の応力層は、ＮＭＯＳ装置において伸張性のチャネルを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非晶質シリコーン層の界面に結晶化を誘導する第１金属の濃度を非常に低くでき、第１金属の濃度及び金属触媒層の厚さについて、均一で安定的な制御が可能な薄膜トランジスタ製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は第１金属と第１金属より原子量が大きい金属とが所定の組成比を有するように形成されたスパッタリング用ターゲットを利用して非晶質シリコーン層及びキャッピング層が形成された基板上に金属触媒層を形成し、基板を熱処理して非晶質シリコーン層を多結晶シリコーン層に結晶化する。 （もっと読む）