【課題】簡便な方法で、結晶化部分を有する半導体基材を得る。
【解決手段】ベース基材と；該ベース基材上に配置された、アモルファス半導体材料由来の結晶性半導体層とを少なくとも含む半導体基材。結晶性半導体層の表面近傍において、ＳＩＭＳによりＧｅが検出可能である。 （もっと読む）

【課題】特性が安定した半導体膜を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体素子を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】具体的には、絶縁性の表面に一方の面を接する第１の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層（シード層）と、当該種結晶層（シード層）の他方の面に異方性の結晶が成長した酸化物半導体膜を有する構成とすれば良く、このようなヘテロ構造とすることにより、当該半導体膜の電気特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】ＲｅＲＡＭ用のダイオードを形成するために、アモルファス半導体膜の表面に酸化膜が形成された場合であっても、アモルファス半導体膜を結晶化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に、下部電極層１１１とアモルファス半導体膜１１２を形成し、アモルファス半導体膜１１２上の自然酸化膜１２１を介して、還元性のある金属層１１３Ａを含む上部電極層１１３を形成し、マイクロ波を用いたアニールにより、金属層１１３Ａと酸化膜１２１を反応させて、酸化膜１２１を半導体へと還元する。また、アニールにより更に、金属層１１３Ａと半導体１１２を反応させて、金属層１１３Ａの構成元素と半導体１１２の構成元素とを含む反応生成物１１３Ｃを生成する。また、反応生成物１１３Ｃを結晶成長のためのシードとして、アモルファス半導体膜１１２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】セレクターの形成にあたり、不純物の拡散を抑制しつつ、非晶質膜を結晶化させる方法を提供する。
【解決手段】第１の不純物が添加された第１の非晶質膜を堆積し、第１の非晶質膜の上に、第３の非晶質下層膜を堆積し、第３の非晶質下層膜の上に、微結晶を形成し、微結晶を覆うように、第３の非晶質下層膜の上に、第３の非晶質上層膜を堆積し、第３の非晶質上層膜の上に、第２の不純物が添加された第２の非晶質膜を堆積する。さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して、結晶粒径が大きな結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に第１多結晶シリコン層１ｘを形成した後、第１多結晶シリコン層１ｘ上に金属触媒層８を形成し、金属触媒層８上に非結晶シリコン層４ｘを形成する。そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを相互拡散させ、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。非結晶シリコン層４ｘは、第２多結晶シリコン層４ｙに変化する。かかる第２多結晶シリコン層４ｙでは、結晶粒径が大きい。従って、金属触媒層８を除去した後、熱処理を行なえば、第１多結晶シリコン層１ｘと第２多結晶シリコン層４ｙとが接している部分を起点に第１多結晶シリコン層１ｘが再結晶化する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多結晶シリコン層の製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る多結晶シリコン層（２２）の製造方法は、非晶質シリコン層（２０）と金属混入層（３０）とをコンタクトした後、非晶質シリコン層（２０）を結晶化熱処理して多結晶シリコン層（２２）を製造することを特徴とする。本発明によれば、金属触媒の量を少なく導入しながらも、結晶化温度を低くすることができる多結晶シリコン層の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

異なる構造の薄膜（１）に対するアモルファス又は結晶性構造の結晶（３）の転移は、結晶に薄膜を適用し、それを結晶化するためにそれを焼き鈍しするための加圧（６）及び加熱（７）の組合せによって達成され得る。特徴的に、ブロック（５）は、薄膜を屈曲させ、組立体のクラックを開始し、圧力が取り除かれた際に薄膜を開放するように端部に配置され、それによって結晶（３）を取り除き又はそれを破壊するための複雑な方法を取り除く。この方法は、いくつかの膜に使用される結晶（３）が結晶化されることを可能にし、達成される良好な製造率を可能にし、費用を削減する。
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【課題】 単結晶構造の柱状構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に単結晶の柱状構造を形成する方法であって、前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を形成し、前記溝の底部に少なくとも前記半導体基板の一部を露出させる工程と、前記溝内部に少なくともゲルマニウムを含む埋め込み膜を形成する工程と、熱処理により前記埋め込み膜を溶融させる工程と、溶融した前記埋め込み膜を、前記半導体基板をシードとして単結晶化する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。または、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタに最適な結晶面をチャネル形成領域とすることにより、性能向上を図ることを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に（２１１）面から±１０°以内の面を上面とする島状の単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の上面及び側面に接して形成し、且つ絶縁表面上に非単結晶半導体層を形成し、非単結晶半導体層にレーザー光を照射して非単結晶半導体層を溶融し、且つ、単結晶半導体層を種結晶として絶縁表面上に形成された非単結晶半導体層を結晶化して結晶性半導体層を形成し、結晶性半導体層を用いて、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】非晶質の絶縁層上に任意の位置に単結晶半導体層を成長させることにより高性能半導体素子の積層化あるいは３次元化を可能にし、高機能な半導体集積システムを実現する。
【解決手段】絶縁層上に非晶質半導体薄膜を堆積し、その一部に単結晶半導体層を接触させ、熱処理によって単結晶半導体層の結晶性を反映させ非晶質半導体薄膜を単結晶化する半導体薄膜の結晶化方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで単結晶薄膜を形成することができる薄膜形成方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に薄膜前駆体１３を堆積させる堆積ステップと、テンプレート２０の単結晶部分２２を前記薄膜前駆体１３に対して接触状態とする接触ステップと、前記薄膜前駆体１３のうち前記接触状態にある部分を結晶成長させる成長ステップと、前記テンプレート２０を前記薄膜前駆体１３から剥離させる剥離ステップとを備える。成長ステップでは、接触状態を保持しつつ薄膜前駆体１３を加熱することにより、薄膜前駆体１３のうちテンプレート２０側から基板１１側へと結晶成長を進行させる。剥離ステップにおいては、薄膜前駆体１３に負担を掛けないよう、例えばケミカルリフトオフ法又はレーザリフトオフ法を用いる。以上の方法により、結晶成長用の単結晶基板や複雑な装置を用いることなく、低コストで単結晶薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶核形成を促進する触媒物質をα−Ｓｉに点状に付着させるための結晶核マスクを形成する場合に、単結晶シリコン基板を用いて、結晶面に沿って突起状の構造を形成し、その先端に触媒物質を付着させる工程を用いて製造した場合、直径３０ｃｍ程度が限度の単結晶シリコン基板以上の面積を有する、α−Ｓｉ層に、この転写用基板を用いて押圧転写することは困難であるという課題がある。
【解決手段】ガラス基板１０上のα−Ｓｉ層にエキシマレーザー光を照射して、規則的配列を備える突起部１３を配置し、突起部１３を覆うように触媒金属層を配置して結晶核マスク１を構成する。ガラス基板１０は対角１ｍ以上の基板が容易に入手できることから、大型（対角１ｍ程度）の被転写基板２１に対しても結晶核形成を促進する触媒物質をα−Ｓｉに点状に付着させることが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、次の工程を含むハイブリッド基板を製造する方法に関する：第１の単結晶領域（１２Ａ）およびアモルファス材料の第２の隣接領域（１２Ｂ）から構成された下位電気絶縁連続層（１１）によって延在された混合層を含み、上記第２の領域は、上記第１の基板の自由表面の少なくとも一部を構成する第１の基板（１０）が準備され；その表面で、所定の結晶配向を備えた基準層を含む第２の基板（２０）が、少なくとも上記アモルファス領域上に、疎水性分子結合によって上記第１の基板に結合され；固相へのアモルファス領域の少なくとも一部の再結晶が、基準層の結晶配向に従って実行され、２つの基板は結合界面で分離される。
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所定の材料の薄膜を形成する方法は次の工程を含む：表面上に上記所定の材料のアモルファスおよび／または多結晶膜１２を有する第１の基板１０が準備される；この第１の基板に疎水性直接結合（分子付着）によって、第２の基板２０が結合され、上記第２の基板は、その表面上に所定の結晶配向の単結晶参照膜２１を有する；少なくとも、アモルファスおよび／または多結晶膜に熱処理が適用され、上記熱処理は、このアモルファスおよび／または多結晶膜１２の少なくとも一部に参照膜２１の結晶配向に沿って固相再結晶を受けさせるように設計され、この参照膜は再結晶種として機能を果たす；少なくとも部分的に再結晶された膜は、参照膜の少なくとも一部から分離される。
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【課題】比較的低温下で、結晶粒や成長方向の制御を確実に行うことができ、これにより半導体特性に優れたポリシリコン層を効率よく形成可能なシリコンの結晶化方法、熱処理を施すことにより良好な結晶化がなされる非晶質部を備える接合体、前記結晶化方法により形成された半導体部を備える半導体装置を製造する方法、および、この方法により製造された半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコンの結晶化方法は、ａ−Ｓｉ膜３０ａ（非晶質部）と、ｃ−Ｓｉの種結晶３０ｃとを用意する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａの表面と種結晶３０ｃの表面に、それぞれエネルギーを付与する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとを接合し接合体３０５を得る工程と、接合体３０５を加熱することにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａを結晶化する工程とを有する。これにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとの接合界面が成長核となって結晶化が進行する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶化プロセスにおいて均質な核を発生させることにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成する。
【解決手段】半導体膜５の下地層又はキャップ層として光触媒層４を形成する。光触媒層４に吸収される波長をもつ励起光８を光触媒層４に照射しながら、半導体膜５にレーザ光１を照射して、半導体膜５を溶融及び固化させることにより結晶化させる。この方法により、光触媒層４の超親水作用によって半導体融液の濡れ性が改善する。このため、半導体膜５の融点近傍で、半導体膜５と光触媒層４の界面に結晶核を発生させることができ、これにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ２枚のウェーハの接合により、ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合において、接合界面を半導体基板側に残さないことによって、接合界面のボイド発生に起因する素子の歩留まり低下を解消することを可能とする半導体基板の製造方法および半導体基板を提供する。
【解決手段】 第１の半導体ウェーハ１０２表面に非晶質（アモルファス）半導体層１２０を形成する工程と、第２の半導体ウェーハ１０４表面に多孔質半導体層１１８を形成する工程と、非晶質半導体層１２０と多孔質半導体層１１８を重ね合わせた状態で、第１の半導体ウェーハ１０２と第２の半導体ウェーハ１０４とを接合する工程と、非晶質半導体層１２０を単結晶化する熱処理工程と、接合する工程において形成された半導体基板１１４を、多孔質半導体層１１８において分離する工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法および半導体基板。 （もっと読む）

【課題】透明な絶縁基板上に結晶方位が制御された擬単結晶半導体薄膜を得るが可能となる半導体膜、半導体素子、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜の製造方法は、表面に配列された複数の突起部１０を設けた単結晶半導体基板（単結晶シリコン基板２）と表面に半導体薄膜を堆積した光透過性基板４とを互いの表面を向き合わせて結合する。半導体薄膜に熱処理を施して半導体薄膜を溶融結晶化させ、光透過性基板４上に、複数の突起部１０のそれぞれを起点として複数の略単結晶粒（結晶シリコン１６）から構成される擬単結晶半導体薄膜（擬単結晶シリコン薄膜２０）を形成する。擬単結晶半導体薄膜（擬単結晶シリコン薄膜２０）を含む光透過性基板４と単結晶半導体基板（単結晶シリコン基板２）とを分離する。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶方位が制御された擬単結晶半導体薄膜を得ることが可能となる半導
体薄膜およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜の製造方法は、表面に配列された複数の突起部１０を設けた単結
晶半導体基板（単結晶シリコン基板２）と表面に半導体薄膜を堆積した基板４とを互いの
表面を向き合わせて結合する。半導体薄膜に熱処理を施して半導体薄膜を固相成長により
結晶化させ、基板４上に、複数の突起部１０のそれぞれを起点として複数の略単結晶粒（
結晶シリコン１６）から構成される擬単結晶半導体薄膜（擬単結晶シリコン薄膜２０）を
形成する。擬単結晶半導体薄膜（擬単結晶シリコン薄膜２０）を含む基板４と単結晶半導
体基板（単結晶シリコン基板２）とを分離する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等の単結晶の支持基板に、直接単結晶シリコン層等の単結晶層を形成するときに、結晶欠陥の形成を防止する。
【解決手段】異種材料の積層基板の製造方法が、非晶質相構造をとることが可能な材料で形成された単結晶の種基板の一の面に親水化処理により第１の水酸基膜を形成する工程と、種基板とは異なる材料で形成された単結晶の支持基板の一の面に種基板と同一の材料で非晶質層を形成する工程と、この非晶質層上に親水化処理により第２の水酸基膜を形成する工程と、親水化処理をした前記非晶質層を形成した前記支持基板と、親水化処理をした前記種基板とを押圧して接合する工程と、固相エピタキシャル成長法により単結晶層を形成する工程と、種基板を接合界面を含めて除去し、単結晶層を露出させる工程とを備える。 （もっと読む）