【課題】特性が安定した半導体膜を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体素子を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】具体的には、絶縁性の表面に一方の面を接する第１の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層（シード層）と、当該種結晶層（シード層）の他方の面に異方性の結晶が成長した酸化物半導体膜を有する構成とすれば良く、このようなヘテロ構造とすることにより、当該半導体膜の電気特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板等の単結晶半導体層を有する半導体基板において、該単結晶半導体層を厚膜化することを課題の一とする。また、半導体基板の量産性を向上させることを課題の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板上に非晶質半導体層を形成した後、絶縁層を介して支持基板と貼り合わせ、該単結晶半導体基板の一部を、非晶質半導体層とともに支持基板上に転載する。そして、非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させることで、支持基板上に厚い単結晶半導体層を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶の不均一性を緩和し、薄膜トランジスタの動作特性を向上させることが可能な半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上に非晶質シリコン膜１５Ａおよび光熱変換層１６をこの順に形成する。光熱変換層１６を介して非晶質シリコン膜１５Ａに第１ビームＬ１を照射することにより非晶質シリコン膜１５Ａに高温過熱領域１１を形成する。同時に、第２ビームＬ２を照射することにより高温過熱領域１１の走査方向の前後に低温過熱領域１２（昇温領域１２Ａおよび徐冷領域１２Ｂ）を形成する。非晶質シリコン１５Ａでは、第１レーザＬ１の照射により結晶成長が始まり、第２レーザＬ２の照射により昇温、徐冷されるため、非晶質シリコン１５Ａの結晶化が緩やかに進行し、結晶粒径の不均一性が緩和される。 （もっと読む）

異なる構造の薄膜（１）に対するアモルファス又は結晶性構造の結晶（３）の転移は、結晶に薄膜を適用し、それを結晶化するためにそれを焼き鈍しするための加圧（６）及び加熱（７）の組合せによって達成され得る。特徴的に、ブロック（５）は、薄膜を屈曲させ、組立体のクラックを開始し、圧力が取り除かれた際に薄膜を開放するように端部に配置され、それによって結晶（３）を取り除き又はそれを破壊するための複雑な方法を取り除く。この方法は、いくつかの膜に使用される結晶（３）が結晶化されることを可能にし、達成される良好な製造率を可能にし、費用を削減する。
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【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を含む半導体素子において品質低下を防止可能であり、かつ製造効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体およびＩＩＩ族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】
下地層の上面にＩＩＩ族窒化物の非結晶層を形成する非結晶層形成工程（Ａ）と、
前記非結晶層の上面に保護層を形成する保護層形成工程（Ｂ）と、
前記非結晶層の一部をエッチングにより除去するエッチング工程（Ｃ）と、
前記保護層が形成された状態で前記非結晶層を熱処理して結晶化することによりＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層に変換する半導体結晶層形成工程（Ｄ）と、を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳＢＳＩ法において第１半導体層及び第２半導体層の膜形成の所要時間を短縮で
きるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶の半導体基板１の表面領域２上にアモルファス又は多結晶構造の第１
半導体層１１を形成する工程と、第１半導体層１１上にアモルファス又は多結晶構造の第
２半導体層１２を形成する工程と、第２半導体層１２上から半導体基板１の表面領域２に
向けてＳｉ又はＡｒをイオン注入して、半導体基板１の表面領域２と、第１半導体層１１
及び第２半導体層１２をアモルファス化する工程と、イオン注入によるアモルファス化を
行った後で半導体基板１に熱処理を施して、半導体基板１の表面領域２と、第１半導体層
１１及び第２半導体層１２を単結晶化する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 比較的耐熱性の低いガラス基板上やプラスチック基板上に、可視光に対する透過性が高いｐ型の透明酸化物を成膜した半導体接合を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板またはプラスチック基板上にp型の透明酸化物薄膜としてCuCrO₂を400℃未満で成膜したことを特徴とする半導体接合であり、さらに、上記CuCrO₂のCrの一部を二価の陽イオンであるM=Mg、Ca、Be、Sr、Ba、Zn、Cd、Fe、Niのいずれか一種類以上と元素置換したCu(Cr,M)O₂を用いたことを特徴とする半導体接合である。 （もっと読む）

【課題】半導体もしくは半導体デバイスに対する瞬間的熱処理を可能にし、また光エネルギー損失によるエネルギー消費の改善を図る。
【解決手段】被熱処理体上に、カーボンもしくはカーボンを主体とする光吸収層５とに上記光に対して透明な光反射防止層６を形成し、光反射防止層側からパルス光照射を行なって、該光パルス光を上記光吸収層によって吸収させ、該光吸収によるパルス的光エネルギーをもって上記光吸収層を発熱させ、該光吸収層の発熱によって上記被熱処理体の加熱処理を行うことによって瞬時的に熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 低温で形成する場合であっても、高い電子移動度を得ることができる半導体薄膜の形成方法並びにその半導体薄膜を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 基板１上に島状の半導体膜３を形成する工程と、半導体膜を分離膜４で覆い、半導体膜の側面を分離膜を介して保温膜５で囲む工程と、半導体膜に対して上面からエネルギービームを照射して半導体膜を結晶化し、動作半導体膜１１を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】絶縁体上歪み半導体（ＳＳＯＩ）基板を作製する方法が提供される。
【解決手段】この方法で、歪み半導体は、あらかじめ形成された絶縁体上半導体基板の絶縁体層の上に直接配置された５０ｎｍ未満の厚さを有する薄い半導体層である。本発明のＳＳＯＩ基板を形成する際に、ウエハボンディングは使用されない。 （もっと読む）