【課題】ソース領域に３Ｃ−ＳｉＣ構造のＳｉＣを用いて低い寄生抵抗を実現し、高い性能を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、第１のｎ型炭化珪素層と、第１のｎ型炭化珪素層よりもｎ型不物濃度の低い第２のｎ型炭化珪素層を有する半導体基板と、第２のｎ型炭化珪素層に形成される第１のｐ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層に形成される４Ｈ−ＳｉＣ構造の第１のｎ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層に形成され、第１のｎ型不純物領域よりも深さの浅い３Ｃ−ＳｉＣ構造の第２のｎ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層、第１のｐ型不純物領域、第１のｎ型不純物領域の表面にまたがるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、第１のｎ型不純物領域上に形成され、底面部と側面部を備え、少なくとも側面部で第１のｎ型不純物領域との間に第２のｎ型不純物領域を挟む金属シリサイド層と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】 液体を噴射する噴射孔１２ａを細長く形成して、被加工物２に向けてライン状に液体を噴射し、
一部のレーザ光Ｌを上記噴射孔から噴射される液体へと透過させ、残部のレーザ光Ｌを反射させる第１ミラー２３と、該第１ミラーに対向する位置に設けられてレーザ光Ｌを第１ミラーに全反射させる第２ミラー２４とを設け、
さらに、上記第１ミラーにおけるレーザ光の透過率を、レーザ光を入射させる側の一端を該第１ミラーにおける他端より低くなるように設定し、
レーザ光を第１ミラーと第２ミラーとの間に入射させるとともに複数回反射させ、上記第１ミラーを透過したレーザ光が上記噴射孔より噴射された液体の内部に導光されてライン状に被加工物に照射されるようにした。
【効果】 広範囲にレーザ光を照射することが可能である。 （もっと読む）

【課題】レーザ処理装置における被処理体へのレーザ照射部のガス雰囲気を良好に形成する。
【解決手段】被処理体にラインビーム形状のレーザ光６を照射して被処理体の処理を行うレーザ処理装置に備えられ、照射雰囲気を形成するガスを被処理体のレーザ光照射部分近傍に噴射するガス噴射手段であって、噴射手段は、ガスの導入部と、ガスが被処理体に向けて噴射されるガス噴射口１５と、ガス導入部からガス噴射口に至るガス流路１３を有しており、ガス流路１３に、ガスの流れ方向に対面してガス流を乱すことでガスの流れ方向と交差する方向のガス流を均す均流面がガスの流れ方向において少なくとも２度以上繰り返し現れるように設けられ、噴射口はレーザ光が通過する長尺な形状を有しているので、被処理体のレーザ光照射部付近に均等な照射雰囲気を形成でき、レーザ光の照射による処理を均等かつ良質に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ処理装置における被処理体へのレーザ照射部のガス雰囲気を良好に形成する。
【解決手段】被処理体（非晶質半導体薄膜１０）の外形寸法と略同じ外形寸法を有し前記被処理体全体が載置される試料台１２上の前記被処理体にレーザ光３を相対的に走査しつつ照射して前記被処理体の処理を行うレーザ処理装置において、照射雰囲気を形成するガスを前記被処理体の照射部分近傍に噴射するガス噴射部（レーザ光照射口兼ガス噴射口８）と、前記試料台１２の走査方向端部に設けられ、前記走査方向に沿って伸張する端部整流面（端部整流板１７ａ、１７ｂ）とを有している。試料台端部側でのガス雰囲気を走査方向内側、外側ともに良好に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層のテーパー形状を有する端部の特性を良好にすることを課題とする。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁膜を介して第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層に対してドライエッチングを行って、端部の形状がテーパー形状である第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層の端部に対して、ベース基板側の電位を接地電位としたエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】レーザ処理装置にロードロック室などを設置することなく被処理体の搬出、搬入を迅速に行うことができ、しかも処理室内の雰囲気安定化を短時間で行うことができるレーザ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体１００を収容して調整された雰囲気下で該被処理体にレーザ光を照射する処理室２と、処理室２内に外部からレーザ光３ａを導く光学系４を備え、処理室２は、処理室２外部から処理室２内部に被処理体１００を装入する開閉可能な装入口７と、装入口７から被処理体を装入するべく処理室２内部に設けたロードロックエリアＡと、ロードロックエリアＡと別に処理室２内部に設けたレーザ光照射エリアＢを備え、両エリアを被処理体１００の移動を可能にして仕切手段で区画する。 （もっと読む）

【課題】基板をレーザ処理装置に搬入した後、基板を９０°回転させる際に、回転途中でガス雰囲気が乱れるのを防止する。
【解決手段】ガス噴射口（６）が基板（Ｐ）の第１辺（ｐ１）の中央部の近傍に位置するように基板（Ｐ）を搬入し（二点鎖線）、次に基板（Ｐ）の中心がガス噴射口（６）に近づくように基板（Ｐ）を直線移動し（実線）、次に基板（Ｐ）の中心を回転軸として基板（Ｐ）を９０°水平回転する。
【効果】回転途中にガス噴射口（６）の端部がシールカバー（８）の外へ出てしまうことがないから、ガスが逃げてガス雰囲気が乱れることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】大型の重たい基板を大気から遮断して加熱処理またはその上に膜を形成したい製造工程がある。そのためには、大型の真空装置を必要とし、基板の搬送移動は大掛かりになり、デバイス製造のコストを押し上げていた。
【解決手段】加熱した高温の加圧ガスを加熱したプレートから基板に向けて吹き付けて基板を支持しながら加熱する。基板とプレートの隙間を流れる当該ガスは大気進入を阻止する。この構造は１ｍを超える重たい基板であっても、それを１）浮上させて支持し、２）気体断熱し、３）ガスで加熱し、４）大気から遮断して熱処理または成膜処理を真空ではなく常圧で行うことを可能にし、製造コストを押し下げる。 （もっと読む）

【課題】基板上に塗布されたシリコン粉末に対して短時間かつ容易に不純物を導入して、ヘテロ接合を有した多結晶シリコン膜を形成する技術を提供すること。
【解決手段】基板上にリン又は砒素の不純物を含むシリコン粉末を塗布した後、シリコン粉末の表面に、プラズマ処理を施すことで前記シリコン粉末の表面を溶融させて、再結晶化することでＮ型の多結晶シリコン膜を形成し、ノンドープのアモルファスシリコンとホウ素を含むアモルファスシリコンとを形成する工程を含み、ヘテロ接合を有した多結晶型太陽電池パネルを製造する方法を提供することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスにおいて重複走査領域が発生する場合であっても、デバイス特性にばらつきの少ないＴＦＴパネルを提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタが列状に配列され、かつ互いに平行な複数の制御領域が連続して並んだ基板と、前記基板上に配置された平坦化膜とを有するＴＦＴパネルであって、前記制御領域には、最大結晶粒径が大きい半導体層からなるチャネルを有する薄膜トランジスタＸが列状に配列された制御領域Ｘと、最大結晶粒径が小さい半導体層からなるチャネルを有する薄膜トランジスタＹが列状に配列された制御領域Ｙと、が含まれ、前記制御領域Ｘ同士の中心間距離は、前記制御領域の短軸の３ｎ［ｎは１以上の整数］倍である、カラーディスプレイ用ＴＦＴパネル。 （もっと読む）

【課題】半導体膜への不純物の拡散を抑えつつ、歩留まりの低下を抑えることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面を熱酸化させることで、酸化膜が形成された半導体基板を形成する。そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。そして、窒素原子を含む絶縁膜とガラス基板を接合させた後、半導体基板を分離することで、ガラス基板上に窒素原子を含む絶縁膜、酸化膜、薄膜の半導体膜が順に積層されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することのできる熱プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部に不活性ガス５を流す熱プラズマノズル１と基材２との間に配置されたノズルカバー７に線状スリット９が設けられ、熱プラズマノズルに電力を供給して、噴出口Ｆから熱プラズマジェット１０を発生させ、線状スリット９を通過したエネルギー束が基材２の表面に作用し、基材２の表面近傍１１を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】製造工数を増やすことなく、大粒径の多結晶シリコン膜を有する半導体装置を製造可能な製造装置、および、製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置１００は、反応室１と、ヒータ２と、圧力計３と、複数のガス導入管４ａ〜４ｇと、ＭＦＣ５ａ〜５ｇと、ニッケル導入部６と、バルブ７ａ，７ｂと、ＩＣＰ−ＭＳ８と、ガス排出管９と、ＡＰＣ１０と、ポンプ１１ａ，１１ｂと、を備えている。製造装置１００にニッケル導入部６を設けるため、製造工数を抑えて製造装置１００内で大粒径の多結晶シリコン膜３４の形成を行うことができ、製造コストを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）とボンド基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に、ボンド基板とベース基板とが貼り合わない領域であってボンド基板とベース基板によって閉じられた領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、一つのチップに炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスを容易に混載させ、かつ、炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスが電気的に絶縁された構造とすることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上に下地層１２を形成する工程と、下地層１２上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後にシリコン膜を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、炭化シリコン膜１３をマスクに用いて、マスクが形成されていない領域の下地層１２をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】緻密で均一な膜厚であり、しかも所望の膜厚の炭化シリコン膜を得ることができ、かつ低コストや大口径化が可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜１４を形成する工程と、シリコン膜１４を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質であり所望の導電型や導電性に制御された炭化シリコン膜を低コストで効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜の製造方法は、不純物領域を有する炭化シリコン膜の製造方法である。表層にシリコン膜１６ａを有する基板１１のシリコン膜１６ａを炭化処理して、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程を有する。不純物領域になる部分のシリコン膜を炭化処理する前に、この部分に不純物を注入する。 （もっと読む）

【課題】エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、パターニングされた炭化シリコン膜を得ることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜１４を形成する工程と、シリコン膜１４をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後にシリコン膜１４を炭化処理し炭化シリコン膜１３を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた結晶質半導体層を有するＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】支持基板上に、バッファ層を介して単結晶半導体基板から分離させた単結晶半導体を部分的に形成する。単結晶半導体基板は、加速されたイオンの照射とそれに伴う脆化層の形成、及び熱処理により、単結晶半導体を分離する。単結晶半導体上に非単結晶半導体層を形成し、レーザビームを照射することにより、非単結晶半導体層を結晶化させて、ＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）