【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置し、結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層からなり、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層と、前記半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極を含み、前記半導体層は前記半導体層の両端部に位置する第１ゲッタリングサイト及び前記第１ゲッタリングサイトと離隔されて前記半導体層のドレイン領域のみに位置する第２ゲッタリングサイトを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、結晶化部分を有する半導体基材を得る。
【解決手段】ベース基材と；該ベース基材上に配置された、アモルファス半導体材料由来の結晶性半導体層とを少なくとも含む半導体基材。結晶性半導体層の表面近傍において、ＳＩＭＳによりＧｅが検出可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し
、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形
成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことによ
り、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成
し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面
に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、非晶質酸化物半導体膜を形成し、該非晶質酸化物半導体膜に酸素を導入して酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、結晶性酸化物半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処
理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を
有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジ
スタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることが
できる。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを
目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第１の酸化物半導体層の表面から内部に向かっ
て成長させた結晶領域を有する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上の第２
の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層
と、第２の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上の、第２の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、
第２の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置であ
る。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン活性層を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】前記製造方法は、基板にアモルファスシリコン層を堆積するとともに、前記アモルファスシリコン層に対してパターニングを行うことで、ソース領域とドレイン領域とチャンネル領域とを含む活性層を形成するステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に誘起金属を堆積するステップと、前記誘起金属が堆積された前記活性層に対して第１の熱処理を行い、前記活性層が前記誘起金属の作用によって結晶化されるステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に、前記誘起金属を集めるための第１の不純物をドープするステップと、ドープされた前記活性層に対して第２の熱処理を行い、前記第１の不純物が前記チャンネル領域に残された誘起金属に対して吸収するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置、及び半導体装置の作製工程において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。また、上記半導体装置の作製工程において、不良を抑制し、歩留まりよく作製する技術を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチに設ける。トレンチは下端コーナ部及び曲率半径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の曲面状の上端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、上端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも上端コーナ部において表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の安定した酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供すること。また、結晶性の高い酸化物半導体膜を用いることにより、移動度の向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】表面粗さの低減された絶縁膜上に接して、結晶性を有する酸化物半導体膜を形成することにより、電気的特性の安定した酸化物半導体膜を形成することができる。これにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。さらに、移動度の向上した半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な半導体特性を有する酸化物半導体膜の形成方法を提供する。さらに、該酸化物半導体膜を適用し、良好な電気特性を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に接して設けられた水素透過膜を形成し、水素透過膜上に接して設けられた水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行うことで、前記酸化物半導体膜から水素を脱離させる酸化物半導体膜の形成方法である。また、該形成方法を用いて作製する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 光学系を複雑化させることなく、均一なエネルギー密度のレーザ光を被照射体
に照射することができる、レーザ照射装置の提案を課題とする。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、レーザ発振器と、被照射体の表面における一軸方向に、前記レーザ発振器から発振されたレーザ光によって形成されるビームスポットを繰り返し走査するための光学系と、前記表面において前記一軸方向と交差する方向に向かって、前記レーザ光に対する前記被照射体の相対的な位置を移動させるための位置制御手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が低減されて結晶性が良好な半導体膜の形成方法及びその成方法を用いて製造された半導体装置並びにディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に非晶質シリコン膜１２を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２の表面に、結晶化を促進する触媒物質であるニッケルを含むニッケル薄膜１３を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２を熱処理して、非晶質シリコン膜１２を結晶性シリコン膜１２に結晶化する工程と、結晶性シリコン膜１２に、隣接する各結晶粒の結晶方位角度差が、概略１０°以下あるいは５８°〜６２°を保持する最も高い値になるようなエネルギー密度を有するエキシマレーザーを照射して、結晶性シリコン膜１２の結晶性をさらに向上させて多結晶半導体膜とする工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】 結晶化に用いた触媒材料は結晶性珪素膜にとって好ましくない材料であるので、結晶化後はできるだけ濃度にしたい要求がある。珪素中に欠陥準位が多い場合、光生成キャリアは欠陥準位にトラップされ消滅し、光電変換特性が低下させる。本発明の目的は触媒材料による珪素の結晶化と、結晶化した後に不要となった触媒材料を除去して光電変換装置の特性向上を目的とする。
【解決手段】 結晶化した後に第１の半導体膜に残存する触媒元素は、その上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、第２の加熱処理を行うことで該第２の半導体膜に移動させ濃集させる。即ち、第２に半導体膜に希ガス元素を含ませることで歪み場を形成し、ゲッタリングサイトとする。希ガス元素は基本的に他の原子と結合を形成しないため、半導体膜中で格子間に挿入されて、それにより歪み場を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】特性が安定した半導体膜を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体素子を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】具体的には、絶縁性の表面に一方の面を接する第１の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層（シード層）と、当該種結晶層（シード層）の他方の面に異方性の結晶が成長した酸化物半導体膜を有する構成とすれば良く、このようなヘテロ構造とすることにより、当該半導体膜の電気特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体性酸化物を用いた半導体装置は、可視光や紫外光を照射することで電気的特性が変化する。このような問題に鑑み、半導体性酸化物膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、スパッタリング方法で成膜したものを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させ、かつ、その酸化物を結晶化させる。さらに、その上に半導体性酸化物膜を堆積し、熱処理することにより結晶化した酸化物の結晶構造を引き継いだ結晶を有する半導体性酸化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。
【解決手段】
本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。 （もっと読む）