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Fターム[5F152FG18]の内容

再結晶化技術 (53,633) | 照射方法 (3,274) | エネルギー密度、強度、分布が規定 (788)

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【課題】絶縁表面に形成される酸化物半導体膜は、下地界面近傍に非晶質領域が残存してしまい、これがトランジスタなどの特性に影響を与える要因の一つと考えられている。
【解決手段】酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点を、酸化物半導体を構成する材料の融点よりも高くする。これにより、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍まで結晶領域が存在することを可能とする。当該材料として絶縁性の金属酸化物を用いる。金属酸化物として、酸化物半導体膜を構成する材料と同族の材料である酸化アルミニウム、酸化ガリウムなどを用いる。 (もっと読む)


【課題】本発明では、高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせずに、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を製造する方法を提供する。また、本発明では、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を提供する。
【解決手段】半導体積層体を製造する本発明の方法は、基材の表面上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結シリコン膜120を形成する工程、及び未焼結シリコン膜に光200を照射して、半導体シリコン膜130aを形成する工程を含み、かつ基材の表面100aに対する溶融シリコンの接触角が70度以下である。本発明の半導体積層体は、この半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、かつ基材の表面に対する溶融シリコンの接触角が70度以下である。 (もっと読む)


【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜56の下方に加熱促進層30を形成した領域と、加熱促進層30を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜56にレーザビーム18を照射する。このとき、加熱促進層30によってレーザビーム18が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜56は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層30が形成された領域には結晶の配向が揃った第1の結晶性半導体膜54が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第2の結晶性半導体膜55が形成される。 (もっと読む)


【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第1の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第1の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第1の基板より剥離する。 (もっと読む)


【課題】高品質な半導体薄膜を製造する薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法は、a−Si膜等の半導体薄膜を第1の基板上に堆積する工程S1と、第1の基板をエッチングして第1の基板と半導体薄膜との間に中空部を形成する工程S2と、半導体薄膜に第2の基板を接触させる工程S3と、半導体薄膜に第2の基板を押し付け、または半導体薄膜が溶融する強度を有するレーザ光を半導体薄膜に照射する工程S4と、第1の基板を半導体薄膜から引き離す工程S5とを備える。 (もっと読む)


【解決手段】 液体を噴射する噴射孔12aを細長く形成して、被加工物2に向けてライン状に液体を噴射し、
一部のレーザ光Lを上記噴射孔から噴射される液体へと透過させ、残部のレーザ光Lを反射させる第1ミラー23と、該第1ミラーに対向する位置に設けられてレーザ光Lを第1ミラーに全反射させる第2ミラー24とを設け、
さらに、上記第1ミラーにおけるレーザ光の透過率を、レーザ光を入射させる側の一端を該第1ミラーにおける他端より低くなるように設定し、
レーザ光を第1ミラーと第2ミラーとの間に入射させるとともに複数回反射させ、上記第1ミラーを透過したレーザ光が上記噴射孔より噴射された液体の内部に導光されてライン状に被加工物に照射されるようにした。
【効果】 広範囲にレーザ光を照射することが可能である。 (もっと読む)


【課題】寄生抵抗が低く、接合リーク電流が抑制されたトランジスタを容易に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、シリコン基板中のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、シリコン基板に所望の不純物を注入することにより、チャネル方向に沿ってチャネル領域を挟むようにシリコン基板中にソース領域とドレイン領域とを形成し、ソース領域及びドレイン領域の表面をアモルファス化することにより、それぞれの表面に不純物を含むアモルファス領域を形成し、アモルファス領域の上にニッケル膜を形成し、マイクロ波を照射して、アモルファス領域とニッケル膜とを反応させてニッケルシリサイド膜を形成しつつ、アモルファス領域を固相成長させてアモルファス領域に含まれる不純物を活性化し、未反応のニッケル膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ(TFT)を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム(伸張又は非伸張)の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 (もっと読む)


【課題】プラスチック支持体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ
上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された発光素子とを有する。また
は、プラスチック支持体と、前記プラスチック支持体に対向する対向基板と、前記プラス
チック支持体と前記対向基板との間に保持された液晶とを有し、前記プラスチック支持体
上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接
着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタとを有する。 (もっと読む)


【課題】非晶質半導体膜の結晶化工程において、非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なった、レーザアニールを行って得られた多結晶半導体膜を基に作製された薄膜トランジスタの電気的特性は非常に高いものとなるが、ばらつきが顕著になる場合がある。
【解決手段】非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第1の多結晶半導体膜103bを得る。このとき、非晶質領域を所定の範囲に収めておく。そして、結晶化領域より非晶質領域にエネルギーを加えることができる波長域にあるレーザビームを第1の多結晶半導体膜103bに照射すると、結晶化領域を崩すことなく非晶質領域を結晶化させることができる。以上の結晶化工程を経て得られた第2の多結晶半導体膜を基にTFTを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、新規な未焼結シリコン粒子膜及び半導体シリコン膜、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の未焼結シリコン粒子膜130は、互いに未焼結のシリコン粒子からなり、且つ不活性ガス雰囲気中において1気圧の圧力及び600℃の温度で加熱したときに脱離する脱離性ガスの量が、未焼結シリコン粒子膜の質量に基づいて、500質量ppm以下である。未焼結シリコン粒子膜を製造する本発明の方法は、(a)シリコン粒子分散体を、基材上100に塗布して、シリコン粒子分散体膜110を形成する工程、(b)シリコン粒子分散体膜110を乾燥して、乾燥シリコン粒子膜120を形成する工程、及び(c)乾燥シリコン粒子膜120を焼成することによって、未焼結シリコン粒子膜130を形成する工程を含む。本発明の半導体シリコン膜140は、互いに焼結されているシリコン粒子からなり、且つ炭素原子を実質的に含有していない。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜(160)は、複数の細長シリコン粒子(22)が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子(22)は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜(160)を製造する本発明の方法は、第1のシリコン粒子分散体を、基材(100)上に塗布し、乾燥し、光(200)を照射して、第1の半導体シリコン膜(130)を形成する工程、第2のシリコン粒子分散体を、第1の半導体シリコン膜(130)に塗布し、乾燥し、光(200)を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第1のシリコン粒子分散体の第1のシリコン粒子の分散が5nm以上である。 (もっと読む)


【課題】アモルファス半導体膜の結晶化を低温で短時間に行うことができ、大粒径の結晶粒を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態による半導体装置の製造方法では、基板上にアモルファス半導体膜を形成する。さらに、前記方法では、前記基板上にマイクロ波を照射することにより、前記アモルファス半導体膜をアニールして、前記アモルファス半導体膜から多結晶半導体膜を形成する。さらに、前記方法では、前記多結晶半導体膜をチャネルとするトランジスタを形成する。 (もっと読む)


【課題】順次側面結晶化を行う際に、レーザ光にパターンイメージを与える光学部材の加熱昇温を抑える。
【解決手段】 アモルファス膜に照射するレーザ光10aを出力するレーザ光源10と、レーザ光をアモルファス膜に誘導する光学系15と、光学系15の一部を構成し、アモルファス膜に照射するレーザ光を集光する対物レンズ14と、光学系15のレーザ光光路上で対物レンズ14よりも前段側に配置され、レーザ光透過領域およびレーザ光遮蔽領域を有する光学部材20を備え、光学部材20は、レーザ光遮蔽領域に、対物レンズ14の解像度と倍率の逆数との積の値よりも小さく、かつレーザ光10aの波長よりも大きい規制寸法を有してレーザ光10の透過を可能にする昇温抑制用レーザ光透過部が設けられている。 (もっと読む)


【課題】薄膜フィルム試料を処理するシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。
【解決手段】フィルム試料170の一区画の特定部分の第1部分を融解させるべく照射ビームパルスの第1パルスの第1小ビームで照射して、この第1部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第1部分どうしの間に第1未照射部分が残る。特定部分の第1小ビームによる照射の後に、この特定部分を、この特定部分の第2部分を融解させるべく照射ビームパルスの第2パルスの第2小ビームで再び照射して、この第2部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第2部分どうしの間に第2未照射部分が残る。再凝固して結晶化した第1部分及び前記第2部分は、フィルム試料の領域内で互いに間に入り合う。これに加えて、第1部分が第1画素に対応し、第2部分が第2画素に対応する。 (もっと読む)


【課題】工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適した複数の異なる
ゲート絶縁膜厚を有する薄膜トランジスタ(TFT)を同一基板に形成することができる
薄膜半導体装置とその製造方法を提供。
【解決手段】ガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜に駆動電圧が異なるTFTを混載
する際に、低電圧駆動TFTではチャネル領域の不純物をアクセプタがより多くなるよう
にしあるいはドナーがより少なくなるようにし、高電圧駆動TFTではチャネル領域の不
純物をドナーがより多くなるようにしあるいはアクセプタがより少なくなるようにする。 (もっと読む)


【課題】広い区域にわたって高繰返し率のレーザ光を用いる表面及び/又は基板の処理を伴う製造工程で使用される高電力及び高安定性ガス放電レーザを提供する。
【解決手段】直列に接続した複数の一次巻線と複数の一次巻線の各々を通る単一の二次巻線とを有する多段分割ステップアップ変圧器と半導体トリガスイッチとを含むDC電源に接続されかつそれぞれの電極に接続した第1及び第2のパルス圧縮及び電圧ステップアップ回路を含む電源モジュールと、単一出力レーザ光パルスビームを生成するためにPOPA構成レーザシステム又はPOPO構成レーザシステムのいずれかとして第1及び第2のレーザユニットの作動を達成するように、それぞれの第1及び第2のパルス圧縮及び電圧ステップアップ回路の作動パラメータに基づいてそれぞれの半導体スイッチの閉成を計時するように作動するレーザタイミング及び制御モジュールとを含むマルチチャンバレーザシステム。 (もっと読む)


【課題】被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置を提供する。
【解決手段】レーザシステムはPOPAレーザシステムとして構成され、第1レーザPOユニットから第2レーザPAユニットに第1出力レーザ光パルスビームを方向付けるように動作されるリレー光学系と、第1レーザ出力光パルスビームの拡大として第2レーザ出力光パルスビームを発生するように、パルス又は−3nsec内で第1及び第2レーザユニットにおいてガス放電の発生のタイミングを合わせるタイミング及び制御モジュールとを更に有する。発信器レーザユニットにおいて発散制御部を有する。発散制御部は不安定発振制御部を有する。レーザと被加工物との中間にビームポインティング制御機構及びビーム位置制御機構を更に有する。 (もっと読む)


【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にLDD領域を少なくとも一つ備えたTFTを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なTFT、例えば、チャネル形成領域の片側にLDD領域を有するTFTと、チャネル形成領域の両側にLDD領域を有するTFTとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にLDD領域を形成する。 (もっと読む)


【課題】 光学系を複雑化させることなく、均一なエネルギー密度のレーザ光を被照射体
に照射することができる、レーザ照射装置の提案を課題とする。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、レーザ発振器と、被照射体の表面における一軸方向に、前記レーザ発振器から発振されたレーザ光によって形成されるビームスポットを繰り返し走査するための光学系と、前記表面において前記一軸方向と交差する方向に向かって、前記レーザ光に対する前記被照射体の相対的な位置を移動させるための位置制御手段とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


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