【課題】半導体基板の主面に形成した溝部表面へのイオン注入量やイオン注入深さのバラつきを抑え、イオンが注入されたドーパンド領域を活性化して、厚み、イオンドープ量、活性化状態がほぼ均一なドーパンド層を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面に溝部を形成し、該溝部を形成した半導体基板の主面側にイオンを注入した後、イオンが注入されたドーパンド領域にレーザを照射してアニール処理を行う半導体装置の製造方法であって、前記ドーパンド領域にイオンを注入する前に、前記溝部の側面にレーザを照射して、該溝部の側面の表面段差を平滑化する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック支持体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ
上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された発光素子とを有する。また
は、プラスチック支持体と、前記プラスチック支持体に対向する対向基板と、前記プラス
チック支持体と前記対向基板との間に保持された液晶とを有し、前記プラスチック支持体
上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接
着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の結晶化工程において、非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なった、レーザアニールを行って得られた多結晶半導体膜を基に作製された薄膜トランジスタの電気的特性は非常に高いものとなるが、ばらつきが顕著になる場合がある。
【解決手段】非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第１の多結晶半導体膜１０３ｂを得る。このとき、非晶質領域を所定の範囲に収めておく。そして、結晶化領域より非晶質領域にエネルギーを加えることができる波長域にあるレーザビームを第１の多結晶半導体膜１０３ｂに照射すると、結晶化領域を崩すことなく非晶質領域を結晶化させることができる。以上の結晶化工程を経て得られた第２の多結晶半導体膜を基にＴＦＴを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。 （もっと読む）

【課題】電流型アクティブマトリックスOLEDを改良すること。
【解決手段】電流型アクティブ・マトリックスOLEDデバイスの製造方法は、基板の上方に、半導体層と、導電層と、その半導体層と導電層の間に挟まれた絶縁層を設け；上記半導体層または上記導電層の上方に有機発光ダイオードを画素ごとに設け；第1の電流としてのデータ信号を受け取って対応する画素から出る光の明るさを調節するため、上記半導体層の中に形成されたチャネル領域と、上記導電層の中に形成されたゲートとを備える第1のトランジスタを画素ごとに形成する操作を含んでいる。この方法は、第1の電流に応答して上記有機発光ダイオードの中を流れる電流を調節するため、上記導電層の中に形成されたゲートと、上記半導体層の中に形成されたチャネル領域とを備える第2のトランジスタを画素ごとに形成し；パルス式レーザーを用いて半導体層の特定の領域をアニーリングする操作も含んでいる。 （もっと読む）

【課題】薄膜フィルム試料を処理するシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。
【解決手段】フィルム試料１７０の一区画の特定部分の第１部分を融解させるべく照射ビームパルスの第１パルスの第１小ビームで照射して、この第１部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第１部分どうしの間に第１未照射部分が残る。特定部分の第１小ビームによる照射の後に、この特定部分を、この特定部分の第２部分を融解させるべく照射ビームパルスの第２パルスの第２小ビームで再び照射して、この第２部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第２部分どうしの間に第２未照射部分が残る。再凝固して結晶化した第１部分及び前記第２部分は、フィルム試料の領域内で互いに間に入り合う。これに加えて、第１部分が第１画素に対応し、第２部分が第２画素に対応する。 （もっと読む）

【課題】工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適した複数の異なる
ゲート絶縁膜厚を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を同一基板に形成することができる
薄膜半導体装置とその製造方法を提供。
【解決手段】ガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜に駆動電圧が異なるＴＦＴを混載
する際に、低電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をアクセプタがより多くなるよう
にしあるいはドナーがより少なくなるようにし、高電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不
純物をドナーがより多くなるようにしあるいはアクセプタがより少なくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 光学系を複雑化させることなく、均一なエネルギー密度のレーザ光を被照射体
に照射することができる、レーザ照射装置の提案を課題とする。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、レーザ発振器と、被照射体の表面における一軸方向に、前記レーザ発振器から発振されたレーザ光によって形成されるビームスポットを繰り返し走査するための光学系と、前記表面において前記一軸方向と交差する方向に向かって、前記レーザ光に対する前記被照射体の相対的な位置を移動させるための位置制御手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でニッケル含有シリサイドを形成する。
【解決手段】シリコン基板を用いた場合であって、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ゲート電極側面のサイドウォールを形成し、不純物イオンをドープしてソース領域及びドレイン領域を形成し、表面酸化膜を除去し、シリコン基板を４５０℃以上に加熱しながら、ニッケル含有膜を１０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で形成することにより、ソース領域、ドレイン領域、及びゲート電極上にニッケル含有シリサイドを形成することができる。その後、未反応のニッケルを除去する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性を均一に確保できる結晶化用光マスク及びそれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による結晶化用光マスクは、スリットが一定に配列されている一つ以上のスリット領域を含み、前記スリットはマスクの移動方向に対し一定角度で傾斜して設けられ、スリット領域は、第１の長さを有する第１部分と第１の長さよりも長い第２の長さを有する第２部分とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。
【解決手段】
本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有
用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を
形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製
する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、
プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／
ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴの耐圧及びリーク電流を改善する。
【解決手段】半導体装置７０では、Ｎ^＋バッファ層２上のＮ⁻高抵抗層３の表面領域にＰベース層４、Ｐ^＋コンタクト層５、Ｎ^＋ソース層６を形成し、Ｎ⁻高抵抗層３上にゲート絶縁膜７及びゲート電極８を積層形成する。ゲート電極８上に絶縁膜９を形成後、Ｎ^＋バッファ層２の裏面に第１のレーザを照射して裏面を平坦化する。次に、Ｎ^＋バッファ層２の裏面にイオン注入と第２のレーザ照射によりＰ^＋ドレイン層１を形成する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

非周期パルス逐次的横方向結晶化のための開示されたシステムおよび方法は、薄膜を処理することに関する。（選択方向に薄膜を進行させながら）薄膜を処理する方法は、第１のレーザパルスおよび第２のレーザパルスにより薄膜の第１の領域を照射し、第３のレーザパルスおよび第４のレーザパルスにより薄膜の第２の領域を照射することを含み、第１のレーザパルスと第２のレーザパルスとの間の時間間隔は、第１のレーザパルスと第３のレーザパルスとの間の半分の時間間隔よりも短い。いくつかの実施形態において、各パルスは、形成されたビームを提供し、冷却の際横方向から結晶化する溶融区域を形成するために、その厚さの全体にわたって、薄膜を溶融させるのに十分な流束量を有する。いくつかの実施形態において、第１の領域および第２の領域は互いに隣接している。いくつかの実施形態において、第１の領域および第２の領域は、離間して配置される。 （もっと読む）

【課題】非単結晶半導体膜をレーザアニールする際に、適切な走査ピッチと照射回数によって前記半導体膜を結晶化することを可能にする。
【解決手段】非単結晶半導体膜上にラインビーム形状のパルスレーザを照射して結晶化を行う結晶半導体膜の製造方法において、パルスレーザは、走査方向のビーム断面形状に強度の均一な平坦部（ビーム幅ａ）を有し、パルスレーザ照射によって結晶化した半導体膜により形成されるトランジスタのチャンネル領域幅をｂとして、パルスレーザは、非単結晶半導体膜に微結晶化が生じる照射パルスエネルギ密度よりも低い照射パルスエネルギ密度Ｅを有し、パルスレーザの照射回数ｎは、照射パルスエネルギ密度Ｅのパルスレーザの照射によって結晶粒径成長が飽和する照射回数ｎ０として（ｎ０−１）以上とし、パルスレーザの走査方向における移動量ｃをｂ／２以下とする。 （もっと読む）

【課題】非晶質シリコンに結晶化差が発生することが抑制されるレーザマスク、及びこれを利用した逐次的横方向結晶化方法を提供する。
【解決手段】レーザマスクは、光透過部、及び光透過部を介在して相互離隔する光遮断部を含むマスク基板と、光遮断部に対応してマスク基板に位置し、凹凸形状を有する凹凸部とを含む。 （もっと読む）

【課題】強度分布の均一な矩形状の像を、結像光学系を用いて伝達するとき、収差が起こることで、強度分布の均一性に悪影響がでる。シリンドリカルレンズに代表される結像光学系による収差を低減し、照射面において強度分布の均一なビームスポットの面積を拡大し、照射面に均一なアニールを効率的に行うことができるレーザ照射装置並びに該レーザ照射装置を用いた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】軸外しシリンドリカルレンズアレイ１０１等の軸外しレンズアレイを用いることで、レーザビームの広がりを抑え、結像光学系のサイズを小型化する。小型化によってコストの削減、メンテナンス作業の煩雑さを低減し、さらには収差を低減させることができる。収差が低減されることによって、ビームスポットの強度分布の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

一態様において、本開示は薄膜処理方法に関する。本方法は、第１の選択された方向に薄膜を進める間、第１レーザパルスと第２レーザパルスで薄膜の第１領域を照射し、各レーザパルスは成形ビームを供給し、薄膜を部分的に溶解するのに十分なフルエンスを持ち、第１領域は再凝固および結晶化して第１の結晶化領域を形成する。更に本方法は、第３レーザパルスと第４レーザパルスで薄膜の第２領域を照射し、各レーザパルスは形成ビームを供給し、薄膜を部分的に溶解するのに十分なフルエンスを持ち、第２領域は再凝固および結晶化して第２の結晶化領域を形成する。第１レーザパルスと第２レーザパルス間の時間間隔は、第１レーザパルスと第３レーザパルス間の時間間隔の半分未満である。 （もっと読む）