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Fターム[5F152LL01]の内容

再結晶化技術 (53,633) | 半導体膜成長技術(半導体層) (1,668) | 成長技術 (1,654)

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Fターム[5F152LL01]に分類される特許

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【課題】 半導体基板の埋設分離領域を形成する改善された方法と、埋設分離領域を有する半導体デバイスを形成し、なおかつデバイスの冷却及び本体電位制御を与える方法を提供する。
【解決手段】 半導体構造を形成する半導体構造及び方法である。半導体構造は、ナノ構造を含むか、又はナノ構造を用いて製造される。半導体構造を形成する方法は、ナノマスクを用いてナノ構造を生じさせ、生じさせられたナノ構造を用いて付加的な半導体加工ステップを行うことを含む。 (もっと読む)


本発明は、複合マイクロエレクトロニック構造体の作製方法に関し、2つの基本マイクロエレクトロニック構造体1、3が、その2つの結合面で組み立てられる。本発明は、組立前に、接線応力状態における差が組み立てられる2つの面間で引き起こされ、この差が、組立条件に対する所与の条件下で、組立構造体内で所定の応力状態を得るように選択されることを特徴とする。
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