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【課題】支持基板とIII族窒化物層との接合が良好なIII族窒化物複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物複合基板の製造方法は、目標とする基板径より大きい径の主面10mを有する支持基板10と、目標とする基板径より大きい径の主面30nを有しその主面30nから所定の深さの位置にイオン注入領域30iが形成されたIII族窒化物基板30とを、中間層20を介在させて貼り合わせ、III族窒化物基板30をイオン注入領域30iにおいてIII族窒化物層30aと残りのIII族窒化物基板30bとに分離することにより、支持基板10上に中間層20を介在させてIII族窒化物層30aが接合された第1のIII族窒化物複合基板1を形成し、第1のIII族窒化物複合基板1の外周部を除去することにより目標とする基板径に等しい径の主面を有する第2のIII族窒化物複合基板2を得る。 (もっと読む)


【課題】薄層化された自立性のシリコン単結晶膜を提供し、また、剥離時の熱処理温度を格段に低減することができる新たなシリコン単結晶膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶膜6は、Siの含有率が、90原子%以上であり、厚みが、50μm以下であり、自立性がある。 (もっと読む)


【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、SOI構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ1、電気絶縁性材料を含み、かつ2nm〜100nmの厚さを有する第一非晶質中間層2、立方晶系Ia−3結晶構造と、(Me123-1-x(Me223xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と0%〜5%異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層3を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 (もっと読む)


【課題】支持基板と酸化物膜との接合強度および酸化物膜とIII族窒化物層との接合強度が高いIII族窒化物複合基板を提供する。
【解決手段】本III族窒化物複合基板1は、支持基板10と酸化物膜20とIII族窒化物層30aとを含み、支持基板10は多結晶で形成され、III族窒化物層30aは少なくともc軸方向に配向しているIII族窒化物結晶で形成され、酸化物膜20は不純物が添加され、不純物の濃度は、酸化物膜20において支持基板10側の第1主面20sからIII族窒化物層30a側の第2主面20tにかけて膜厚方向で変化し、第1主面20sにおける不純物の濃度は第2主面20tにおける不純物の濃度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】基板の外周部においてクラックの発生が抑制される半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】半導体結晶基板110と、基板110の表面に窒化物により形成された保護層120と、を有し、保護層120は、基板110の外周部となる周辺領域120aはアモルファス状態であり、基板110の周辺領域よりも内側の内部領域120bは結晶化している。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスを効率よく製造するために、基体の種類の如何を問わずに効率よく半導体ウエハを製造することができる半導体ウエハの製造方法、ならびにかかる製造方法に好適に用いられる複合基体および複合基板を提供する。
【解決手段】本半導体ウエハの製造方法は、基体10上に、表面のRMS粗さが10nm以下の基体表面平坦化層12を形成して複合基体1を得る工程と、複合基体1の基体表面平坦化層12側に半導体結晶層20aを貼り合わせて複合基板3A,3B,3Cを得る工程と、複合基板3A,3B,3Cの半導体結晶層20a上に少なくとも1層の半導体層30を成長させる工程と、基体表面平坦化層12をウェットエッチングで除去することにより、基体10から半導体結晶層20aを分離して、半導体結晶層20aおよび半導体層30を含む半導体ウエハ5を得る工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 ELOを利用して単結晶シリコン薄膜を製造するに際し、犠牲層のエッチングを容易にする単結晶シリコン薄膜の製造方法、単結晶シリコン薄膜デバイスの製造方法及び太陽電池デバイスの製造方法並びに単結晶シリコン薄膜及びそれを用いた単結晶シリコン薄膜デバイス及び太陽電池デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板1の表面にシリコンに対してエッチング選択性を有し且つエピタキシャルな関係にある犠牲層2を設け、該犠牲層2上に単結晶シリコン薄膜40をエピタキシャル成長させ、該単結晶シリコン薄膜40に複数の貫通孔42を形成すると共に当該貫通孔42を介して前記犠牲層2をエッチングし、単結晶シリコン薄膜4を分離する。 (もっと読む)


【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、SOI構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ1、電気絶縁性材料を含み、かつ2nm〜100nmの厚さを有する第一非晶質中間層2、立方晶系Ia−3結晶構造と、(Me123-1-x(Me223xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と0%〜5%異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層3を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の5〜8倍と制御したシリコンウェーハ。 (もっと読む)


【課題】所望の反りを有する複合基板の製造方法および複合基板を提供する。
【解決手段】各々が表面および裏面を有する単結晶基板群10が準備される。単結晶基板群10の各々の表面が互いに傾くように単結晶基板群10が配置される。この配置は、単結晶基板10群の各々の表面が全体として凸面状および凹面状のいずれかの形状をなすように行われる。単結晶基板群10の各々の裏面とベース基板30とが対向させられる。単結晶基板群10の各々の裏面とベース基板30とが接合される。 (もっと読む)


【課題】オン抵抗の低減を図ることが可能な炭化珪素基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板10は、主表面を有する炭化珪素基板10であって、主表面の少なくとも一部に形成されたSiC単結晶基板1と、SiC単結晶基板1の周囲を囲むように配置されたベース部材20とを備える。ベース部材20は、境界領域11と下地領域12とを含む。境界領域11は、主表面に沿った方向においてSiC単結晶基板1に隣接し、内部に結晶粒界を有する。下地領域12は、主表面に対して垂直な方向においてSiC単結晶基板1に隣接し、SiC単結晶基板1における不純物濃度より高い不純物濃度を有する。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板1の製造方法は、単結晶炭化珪素からなるSiC基板20を準備する工程と、坩堝70内においてSiC基板20の一方の主面20Bに面するようにベース基板10を配置する工程と、坩堝70内において、ベース基板10を、ベース基板10を構成する炭化珪素の昇華温度以上の温度域に加熱することによりSiC基板20の一方の主面20Bに接触するように炭化珪素からなるベース層10を形成する工程とを備えている。そして、ベース層10を形成する工程では、坩堝70内に、SiC基板20およびベース基板10とは別の、珪素を含む物質からなる珪素発生源91が配置される。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物単結晶が積層された積層体を冷却したとしても、該積層体の反り(結晶軸の歪み)が低減できる製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板/第1のIII族窒化物単結晶層/第1の非単結晶層からなる積層基板を形成する工程、積層基板からベース基板を除去する工程、第1のIII族窒化物単結晶層上にIII族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させて第2のIII族窒化物単結晶層を形成する工程、第2のIII族窒化物単結晶層上に、第2の非単結晶層を形成する工程、を含む積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】シリコンデバイス等耐熱性の低い部位がSi基板に設けられた場合でも、Ge結晶に熱アニールを施し、十分な結晶品質のGe結晶薄膜を得る。
【解決手段】表面がSiであるベース基板と、前記ベース基板の上に形成され、組成がCSiGeSn1−x−y―z(0≦x<1、0≦y<1、0<z≦1、かつ、0<x+y+z≦1)である第1結晶層と、前記第1結晶層が形成された部分以外の前記ベース基板の上に形成された第1半導体素子と、を有する半導体基板の製造方法であって、前記第1半導体素子には電磁波を照射することがなく、前記第1結晶層の一部または全部に電磁波を照射する工程を有する半導体基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】基板の材質に関係なく半導体回路部分への高熱処理が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板2上にシリコーン樹脂で密度が0.7g/cm3以下の多孔質構造体層4を設ける。ここでシリコーン樹脂は95質量%以上がシルセスキオキサンまたはシロキサンからなり、シルセスキオキサンはメチルシルセスキオキサンまたはフェニルシルセスキオキサンであることが好ましい。この多孔質構造体層上に半導体素子層3を設け、この半導体素子層側からのみ間欠的に光または電子線により加熱する。 (もっと読む)


【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なIII族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶基板1は、III族窒化物結晶基板1の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面1sからのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmのX線侵入深さにおける面間隔d1と5μmのX線侵入深さにおける面間隔d2とから得られる|d1−d2|/d2の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが1.7×10-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のc軸を含む面から[0001]方向に−10°以上10°以下の傾斜角を有する。 (もっと読む)


【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の炭化珪素基板11の第1の側面S1と、第2の炭化珪素基板12の側面S2とが互いに面するように、処理室60内にベース部30および第1および第2の炭化珪素基板11、12が配置される。処理室60内に、炭素元素と化合することができる固体材料からなる吸収部51が設けられる。第1および第2の側面S1、S2を互いに接合するために、炭化珪素が昇華し得る温度以上に処理室60内の温度が高められる。温度を高める工程において吸収部51が炭化される。 (もっと読む)


【課題】窒化物層上にエピタキシャル層を形成したときにクラックが発生することを抑制でき、かつエピタキシャル層が半導体基板から剥がれることを抑制できる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板10aは、窒化物層12の主面12a上にエピタキシャル層を形成するための半導体基板であって、異種基板11と、異種基板11上に形成された窒化物層12とを備え、窒化物層12は応力緩和領域を有する。 (もっと読む)


【課題】セレン含有半導体物質及び相変化合金の製造に使用するためのヒドラジンを含まず、ヒドラジニウムを含まないセレン含有インクを提供する。
【解決手段】液体媒体中に安定に分散されたセレンを含むセレンインクであり、当該セレンインクはヒドラジンを含まず、ヒドラジニウムを含まない。このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)、発光ダイオード(LED);および、光応答デバイス(例えば、エレクトロフォトグラフィ(例えば、レーザープリンタおよびコピー機)、整流器、写真用露出計および太陽電池)、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリデバイスの製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。 (もっと読む)


【課題】GaN単結晶体を成長させる際および成長させたGaN単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のGaN単結晶体上に少なくとも1層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるGaN単結晶体およびその製造方法ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本GaN単結晶体10は、ウルツ型結晶構造を有し、30℃において、弾性定数C11が348GPa以上365GPa以下かつ弾性定数C13が90GPa以上98GPa以下、または、弾性定数C11が352GPa以上362GPa以下である。 (もっと読む)


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