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Fターム[5F152LN13]の内容

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【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第1下側層と、第1ドープ層と、第1上側層と、を含む。第1下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第1ドープ層は、第1下側層の上に設けられ第1下側層の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm−3以上1×1021cm−3未満の濃度であり第1下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第1上側層は、第1ドープ層の上に設けられ第1ドープ層の格子定数以上で第1下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 (もっと読む)


【課題】電流コラプスを抑制しながらノーマリオフ動作を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された化合物半導体積層構造7と、化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11dと、が設けられている。化合物半導体積層構造7には、電子走行層3と、電子走行層3上方に形成された電子供給層5を含む窒化物半導体層と、が設けられている。窒化物半導体層の表面のIn組成は、平面視でゲート電極11gとソース電極11sとの間に位置する領域及びゲート電極11gとドレイン電極11dとの間に位置する領域において、ゲート電極11gの下方よりも低くなっている。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板直上の窒化アルミニウム層の平坦性が低いことに起因する信頼性の低下が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板10と、シリコン基板上に配置された、不純物としてシリコンがドープされた領域を有する窒化アルミニウム層20と、窒化アルミニウム層上に配置された、複数の窒化物半導体膜が積層された構造のバッファ層30と、バッファ層上に配置された、窒化物半導体からなる半導体機能層40とを備える。 (もっと読む)


【課題】バウの制御のためだけでなく、SiGeエピタキシャル層の品質を改善するために、特にSi基板上に堆積されたSiGe層のクロスハッチ及び表面ラフネスを低減するために、背面層によって形成された応力を用いる適切な解決策を提供する。
【解決手段】第1の面及び第2の面を有する基板10、前記基板の第1の面に堆積された完全に又は部分的に緩和されたヘテロエピタキシャル層20、及び前記基板の第2の面に堆積された応力相殺層30を有する、半導体ウェハ。 (もっと読む)


【課題】転位密度を低減させるバッファ層を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上方に形成されたバッファ領域と、バッファ領域上に形成された活性層と、活性層上に形成された少なくとも2つの電極とを備え、バッファ領域は、第1の格子定数を有する第1半導体層と、第1の格子定数と異なる第2の格子定数を有する第2半導体層と、第1の格子定数と第2の格子定数との間の第3の格子定数を有する第3半導体層とが順に積層した複合層を少なくとも一層有する半導体素子。 (もっと読む)


【課題】歪み吸収III族窒化物中間層モジュールを有する種々の半導体構造を提供する。
【解決手段】基板および当該基板の上方の第一遷移本体を有する。前記第一遷移本体は、第一表面において第一の格子パラメータを有し、前記第一表面とは反対側の第二表面において第二の格子パラメータを有する。前記典型的な実施では、遷移モジュール等の第二遷移本体をさらに有し、この第二遷移本体は前記第一遷移本体の前記第二表面に重層する下表面においてより小さい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上表面においてより大きい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上方のIII族窒化物半導体層も同様である。前記第二遷移本体は2以上の遷移モジュールからなっていてもよく、各遷移モジュールは2以上の中間層を有していてもよい。前記第一遷移本体および前記第二遷移本体は前記半導体構造の歪みを減少させる。 (もっと読む)


【課題】ミスフィット転位や反りを低減できるシリコンウエハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板10と、ドナー濃度およびアクセプタ濃度間の差の絶対値が1×1018atoms/cm以上で、かつ前記基板10上に設けられた第一のエピタキシャル層11と、ドナー濃度およびアクセプタ濃度間の差の絶対値が5×1017atoms/cm以下で、かつ第一のエピタキシャル層11上に設けられ、該エピタキシャル層11と同じ導電型である第二のエピタキシャル層12と、を有し、第一のエピタキシャル層11に格子定数調整成分を添加して、シリコン単結晶の格子定数(aSi)に対する第一のエピタキシャル層11の格子定数(a)の変化量((a−aSi)/aSi)およびシリコン単結晶の格子定数に対する第二のエピタキシャル層12の格子定数(a)の変化量((a−aSi)/aSi)を臨界格子不整合度未満に調整する。 (もっと読む)


【課題】基板の反り量を大きくすることなく、III族窒化物半導体の結晶性を向上させることが可能なIII族窒化物エピタキシャル積層基板を提供する。
【解決手段】基板2上に形成されたバッファ3と、その上にIII族窒化物層4をエピタキシャル成長する積層基板1であって、バッファ3は、基板2と接する初期成長層5ならびに初期成長層上に形成された第1超格子積層体6および第1超格子積層体上に形成された第2超格子積層体7からなり、第1超格子積層体6は、AlN材料からなる第1AlN層6aおよびGaN材料からなる第2GaN層6bを交互に5〜20組積層してなり、かつ、第1AlN層6aおよび第2GaN層6bの1組の厚みが44nm未満であり、第2超格子積層体7は、AlN材料またはAlGaN材料からなる第1層7aおよび該第1層とはバンドギャップの異なるAlGaN材料からなる第2層7bを交互に複数組積層する。 (もっと読む)


【課題】支持基板に直接に接着することができない半導体材料によるSeOI構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】下部層1及び上部層2を備える半導体ドナー基板が使用され、上部層2の材料の元素の拡散を受け入れる材料のボンディング層3を上部層2上に形成する工程と、そのボンディング接着を確実に行うためにボンディング層3を洗浄する工程と、あらかじめ上部層2上に形成され、そして、洗浄されたボンディング層3の側から、支持基板20に対してドナー基板を接着する工程と、この上部層2から元素をボンディング層3中に拡散して、このボンディング層及び上部層中の上記元素の濃度を均一化し、均一な薄層を支持基板20の表面上に形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】キャリア密度の高い化合物半導体膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】第1及び第2のドーパント17a、19aと、III族窒化物半導体47の構成元素の原料とを供給して第1半導体層47bを形成する工程S103と、第2半導体層47aを形成する工程S101と、第1半導体層47bと、第2半導体層47aの形成を繰り返す工程S107とを備え、第2のドーパント19aは、第1のドーパント17aと同一の導電型のドーパントとして働き、第2半導体層47aは、アンドープ層、又は、低ドープ層であり、低ドープ層は、第1及び第2のドーパント17a、19aが第1半導体層47bにおける濃度よりも低濃度にドープされ、第1半導体層47bにおいて置換される構成元素の原子半径は、第1のドーパント17aの原子半径よりも大きく、第2のドーパント19aの原子半径よりも小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】優れた表面品質をGa側にて有するAlGaInN半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのGa側における10×10μm面積内で1nm未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、AlGaInN(式中、0<y≦1およびx+y+z=1)を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨(CMP)スラリーを用いて、そのGa側にてCMPに付される。このような高品質AlGaInNウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このCMP方法はAlGaInNウェーハのGa側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 (もっと読む)


【課題】ラマン分光法を用いた簡易な応力測定方法を見出し、これに基づいて、GaN活性層を有する化合物半導体基板において、バッファ層における応力を制御し、全体として応力フリーの化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】厚さ100〜1000μmの六方晶SiC、単結晶Si、単結晶Si上に立方晶SiC層が形成されたもののうちのいずれかからなる台基板1上に、バッファ層2、厚さ0.5〜5μmのGaN活性層3を順次積層し、前記バッファ層2を、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層(0.5<x≦1)2a‐1の上に、厚さ3〜250nmのAlyGa1-yN単結晶層(0.2≦y≦0.3)2b‐1が形成され、さらに、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層2a‐nおよび厚さ3〜250nmのAlzGa1-zN単結晶層(0≦z<0.5)2c‐nの2層を1組としたものが1〜500組積層されている構成とする。 (もっと読む)


予測臨界厚みを上回る歪みエピタキシャル層を有する半導体構造を製造する。 (もっと読む)


活性領域と、適合可能な誘電層を有する半導体構造を形成する方法を開示する。1つの実施形態においては、半導体構造は、第1の半導体材料の酸化物を含む誘電層を有しており、誘電層と第1の半導体材料との間に第2の(組成的に異なった)半導体材料が形成される。別の実施形態においては、第2の半導体材料の格子構造に一軸性ひずみを与える目的で、第2の半導体材料の一部は、第3の半導体材料に置き換えられる。 (もっと読む)


【課題】Si/Ge系構造のタンデム型光電変換素子の低コスト化を可能とする基板を提供すること。
【解決手段】シリコン基板100の表面にバルクの導電型とは反対の導電型のシリコン層10Bを設け、表面領域の所定の深さ(L)にシリコン層10Bを介して水素イオンを注入して水素イオン注入層11を形成する。続いて、シリコン層10Bと反対の導電型のn型のゲルマニウム系結晶層20A、および、ゲルマニウム系結晶層20Aと反対の導電型のp型のゲルマニウム系結晶層20Bを順次気相成長してゲルマニウム系結晶20を設ける。ゲルマニウム系結晶層20Bの表面と支持基板30の表面とを貼り合わせ、この状態で外部から衝撃を付与して水素イオン注入層11に沿ってシリコン基板100からシリコン結晶10を分離して、ゲルマニウム系結晶20とシリコン結晶10の積層構造体を支持基板30上に転写(剥離)する。 (もっと読む)


【課題】 従来の2つのバッファ層を持つAlN系超格子バッファ層を持つ窒化物半導体素子においては、シリコン基板上に、表面が平滑で、しかも、クラックのない窒化物半導体を得ることは困難であった。
【解決手段】 AlxGa1-xNから成る第1のバッファ層のAl組成xおよびAlyGa1-yNから成る第2のバッファ層のAl組成yを厳密に規定することにより、形成される窒化物半導体の表面の平坦性およびクラック発生の防止を両立する最適な条件を明らかにした。第1のバッファ層と第2のバッファ層との界面が平滑で、しかも、結晶性の良いAlN系超格子バッファ層を作製することができる。窒化物半導体を使用した信頼性の高い電子デバイス・光デバイス等を作成することができる。 (もっと読む)


半導体デバイスは、半導体基板及びその上の少なくとも1つのMOSFETを含んでいる。このMOSFETは、空間的に隔てられたソース領域及びドレイン領域、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル、及びチャネルの上に位置しチャネルとの界面を画成するゲートを含んでいる。ゲートは、チャネルの上に位置するゲート誘電体と、ゲート誘電体の上に位置するゲート電極とを含んでいる。また、このチャネルは、積層された複数のベース半導体モノレイヤーと、隣接し合うベース半導体モノレイヤーの結晶格子内に拘束された少なくとも1つの非半導体モノレイヤーとを含んでいる。上記少なくとも1つの非半導体モノレイヤーは、チャネルとゲート誘電体との間の界面に対しておよそ4−100モノレイヤーの深さに位置付けられている。
(もっと読む)


【課題】結晶品質の良好なIII族窒化物結晶の生成に好適なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】オフ角が与えられてなるサファイア基材の上にIII族窒化物からなる上部層2を形成したうえで、1500℃以上で、好ましくは1650℃以上で加熱処理を施すことにより、上部層2の結晶品質を向上させるとともに該上部層2の表面に数原子層高さよりも大きな繰り返し段差を与えたエピタキシャル基板10を、III族窒化物結晶層3の成長用下地基板として用いる。III族窒化物結晶は段差部分からステップフロー成長するので、上部層2からの貫通転位はこれに伴い屈曲させられ、その後の結晶成長につれて偏在化する。得られるIII族窒化物結晶層3は良好な表面平坦性を有し、かつ、表面近傍の大部分は転移密度が1×107/cm2程度の低転位領域RE2となる。すなわち、エピタキシャル基板10は結晶品質のよいIII族窒化物結晶形成に好適であるといえる。 (もっと読む)


【課題】窒化物系レーザダイオードの低閾値化、窒化物系半導体発光ダイオードの高効率化、エンハンスメント型窒化物系半導体電界効果トランジスタの実現のためには、R面サファイア基板上に成長すれば可能であるが、従来技術では、表面平坦性や多数の欠陥が入る問題があり、また、その結晶性を向上させる方法として、選択横方向成長という方法があるが、コスト、量産性の面で大きな問題があった。
【解決手段】R面サファイア基板上に作製した窒化物系半導体に、歪を導入することおよび成長条件を最適化することによって、結晶成長中に自発的に周期10nmから10μm、高さ10nmから10μmの凹凸を形成し、その後平坦化することにより貫通転位密度、積層欠陥密度の低減が可能であり、且つ、表面平坦性の良好な半導体基板の作製が低コストかつ簡便に作製可能であり、また、この基板を用いること。 (もっと読む)


【課題】多孔質層或いは多孔質領域上に良質の半導体層を形成することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、第1材料で構成される基板11上に、基板11の格子定数と異なる格子定数を有する第2材料からなる層を含む第1半導体層12を形成する工程と、少なくも第1半導体層11の表面を多孔質化して多孔質層12”を形成する工程と、多孔質層12”上に第1材料で構成される第2半導体層14を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


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