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Fターム[5F152LN19]の内容

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Fターム[5F152LN19]に分類される特許

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【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、SOI構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ1、電気絶縁性材料を含み、かつ2nm〜100nmの厚さを有する第一非晶質中間層2、立方晶系Ia−3結晶構造と、(Me123-1-x(Me223xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と0%〜5%異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層3を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 (もっと読む)


【課題】所望の位置にグラフェン膜を有するグラフェン構造及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】所定の基材3上において、炭素含有層4と、少なくともケイ素を含む炭素化合物層5とを順次に積層し、その上に絶縁膜層6を形成した後、絶縁膜層の一部をエッチングにより取り除いた基板に対してアニーリングを実施し、絶縁膜の除去部にのみグラフェン膜7を形成したグラフェン構造1を形成し、これを用いて表面にショットキー電極8、およびオーミック電極9,10を形成させて半導体装置2を作製する。 (もっと読む)


【課題】基板の外周部においてクラックの発生が抑制される半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】半導体結晶基板110と、基板110の表面に窒化物により形成された保護層120と、を有し、保護層120は、基板110の外周部となる周辺領域120aはアモルファス状態であり、基板110の周辺領域よりも内側の内部領域120bは結晶化している。 (もっと読む)


【課題】新規な多層膜構造体及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子用の多層膜構造体の形成方法であって、シリコンを含む基板上に、ゲルマニウム錫混晶からなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に表面保護層を形成する表面保護層形成工程と、前記半導体層に熱処理を施すことにより、前記ゲルマニウム錫混晶と前記シリコンを含む基板との固相反応を進め、シリコンゲルマニウム錫混晶からなる半導体歪印加層を形成する半導体歪印加層形成工程と、前記表面保護層を除去する除去工程と、前記半導体歪印加層の上方に、前記除去工程後に、歪半導体層を積層する積層工程とを含むことを特徴とする多層膜構造体の形成方法。 (もっと読む)


【課題】平坦性、結晶性および配向性に優れ、厚さ方向の熱伝導率が高く放熱性に優れたエピタキシャル成長用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素基板の少なくとも一方の主表面に、算術平均表面粗さRaが0.05μm以下で、表面粗さの最大値Ryが0.5μm以下であり、X線回折法による(0002)面のロッキングカーブの半値幅が1.5度以下であり、ラマンスペクトルにおけるGバンドのピーク強度に対するDバンドのピーク強度の比が0.01以下である高結晶グラファイト層を形成してなることを特徴とするエピタキシャル成長用基板である。 (もっと読む)


【課題】基板の反り量を大きくすることなく、III族窒化物半導体の結晶性を向上させることが可能なIII族窒化物エピタキシャル積層基板を提供する。
【解決手段】基板2上に形成されたバッファ3と、その上にIII族窒化物層4をエピタキシャル成長する積層基板1であって、バッファ3は、基板2と接する初期成長層5ならびに初期成長層上に形成された第1超格子積層体6および第1超格子積層体上に形成された第2超格子積層体7からなり、第1超格子積層体6は、AlN材料からなる第1AlN層6aおよびGaN材料からなる第2GaN層6bを交互に5〜20組積層してなり、かつ、第1AlN層6aおよび第2GaN層6bの1組の厚みが44nm未満であり、第2超格子積層体7は、AlN材料またはAlGaN材料からなる第1層7aおよび該第1層とはバンドギャップの異なるAlGaN材料からなる第2層7bを交互に複数組積層する。 (もっと読む)


【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAlxGa1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分2がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板3と、前記表面部分2上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層4と、前記単一金属層4上に形成され、AlxGa1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層5と、を具える。 (もっと読む)


基板ウェーハの裏側及び縁部断面をシールするためのシステム及び方法である。第1の方法の実施例によれば、第1導電型のシリコンウェーハにアクセスする。第1導電型のエピタキシャル層をシリコンウェーハの前面上で成長する。エピタキシャル層をインプラントし、逆の導電型の領域を形成する。成長及びインプラントを繰り返し、逆の導電型の垂直カラムを形成する。ウェーハに更にインプラントを行い、垂直カラムと垂直方向で整合した逆の導電型の領域を形成する。
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【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAlxGa1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAlxGa1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供すること。
【解決手段】シリコン基板11の上面に多孔質な多孔質シリコン層12を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層12の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜13を形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板と格子整合し、キュリー温度Tcが室温であるII−IV−V族化合物磁性半導体材料で量子井戸層あるいは強磁性電極を構成した磁性半導体素子を提供する。
【解決手段】
磁性半導体素子10は、InPからなる基板11と、Mnが添加されたZnSnAsからなりかつ基板11の上に結晶成長された量子井戸層13と、InAlAs及び/又はInGaAsからなり基板11の上に結晶成長されかつ量子井戸層13を挟持する一組の障壁層12,14と、を備える。障壁層12,14にInAlAsを採用した場合、Al組成は0.43〜0.53%であることが好ましくは、InGaAsを採用した場合、Ga組成が0.42〜0.52%であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】Si基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、SiNx層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si(111)基板1上に、TiおよびVのいずれか1種以上からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜を窒化して、TiN、VNおよび両者の化合物のいずれか1種以上からなる窒化物中間層2を形成する工程と、前記窒化物中間層上に、GaN(0001)、AlN(0001)およびInN(0001)のうちの少なくともいずれか1種以上からなる窒化物半導体単結晶層3を形成する工程とを経て、窒化物半導体基板を作製する。 (もっと読む)


【課題】歪みが緩和されたバッファ層を形成し、そのバッファ層上に窒化ガリウム層を形成することにより、低コストで、反りやクラックの抑制された窒化ガリウム層を有する半導体基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】面方位が(111)のSOI層を有するSOI基板を準備する工程と、SOI基板のSOI層上にバッファ層を形成する工程と、形成されたバッファ層上に窒化ガリウム層を形成する工程とを含む半導体基板の製造方法であって、窒化ガリウム層を形成する工程より前に、SOI基板のSOI層中にイオン注入により歪み緩衝層を形成する工程を有する半導体基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、効果的な高速動作が可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一実施形態による半導体装置は、n型Si基板2に埋め込まれ、チャネルを挟んで離間して形成されたソースおよびドレインと、チャネル上に形成されたゲートとを備え、ソースおよびドレインは、SiC3と、SiC3の全面上に形成され、チャネルに応力を与えることが可能な半導体材料よりなるp型SiGeとの積層からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】半導体素子の基板が金属を主成分とするので、大面積の単結晶基板を安価に得ることができる。しかも、金属にはフレキシブル性があるため、例えば基板を曲げて使用することが可能である。これにより、スペースに応じて曲げて使用するなどの幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第1側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を50℃以上の温度で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体プロセスの整合性に優れており、基板と磁性半導体薄膜とが格子整合し、Tcが300K付近でバラツキが少ないII−IV−V族の磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法を提供する
【解決手段】加熱した基板上に緩衝層を形成した後に、該緩衝層上に磁性半導体層として遷移金属元素を添加したZnSnAsをエピタキシャル成長させる。 (もっと読む)


【課題】リーク電流が少なく酸化膜耐圧が高い半導体装置を高い歩留で形成することができる半導体基板、そのような半導体基板の製造方法、暗電流や白キズ個数が少ない固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板101と、シリコン基板101上に配されたゲッタリング層102と、ゲッタリング層102上に配された、素子形成領域を有する素子形成層103とを備え、ゲッタリング層102は、シリコン、ゲルマニウム及び炭素を主成分とする混晶102aと混晶102a中に点在する炭化シリコン微結晶102bとからなり、混晶102a及び素子形成層103は、シリコン基板101に格子整合している。 (もっと読む)


【課題】移動度の向上を図ることを可能にする。
【解決手段】半導体基板上に、半導体基板と面間隔の異なる結晶質である金属酸化物からなる金属酸化膜を少なくとも含む第1の絶縁膜を形成する工程、その後、第1の絶縁膜に含まれる金属酸化膜の一部の領域の酸素組成比を変調させることにより導電性を変化させる工程とを含む。 (もっと読む)


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