説明

Fターム[5F152MM01]の内容

再結晶化技術 (53,633) | 半導体素子等への用途 (2,408) | 電子素子 (1,201)

Fターム[5F152MM01]の下位に属するFターム

Fターム[5F152MM01]に分類される特許

1 - 20 / 87


【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成するステップと、犠牲層の一部が露出するように半導体結晶層をエッチングし、半導体結晶層を複数の分割体に分割するステップと、転写先基板に接することとなる半導体結晶層形成基板側の第1表面と、第1表面に接することとなる転写先基板側の第2表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせるステップと、半導体結晶層形成基板および転写先基板をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離するステップと、を有し、前記半導体結晶層が、GeSi1−x(0<x≦1)からなる、複合基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又は前記β−Ga基板上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β−Ga結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β−Ga結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】絶縁層埋め込み型半導体の炭化珪素基板において、電子デバイス作製に不可避である、低抵抗p型不純物層を形成するための工業的な方法を提案すること。
【解決手段】絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板に、例えば、アルミニウムイオンを注入しp型不純物層を形成させ、次いで熱処理することからなる、p型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】単純な単結晶シリコン基板を出発基板として窒化ガリウム膜を形成することができ、反りやクラックが抑制された半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板10は、単結晶シリコン基板11と、前記単結晶シリコン基板11の最表面を除く表層領域に形成された転位層12と、前記単結晶シリコン基板11の前記最表面に形成されたバッファ層13と、前記バッファ層13の表面に形成された窒化ガリウム層14とを備えている。転位層12は、窒化ガリウム層14が形成された単結晶シリコン基板14の表層領域に転位が発生し且つ単結晶シリコン基板11の最表面には転位が発生しない条件下でイオン注入することにより形成される。イオン注入では、ドーズ量が5E+14atoms/cm以上5E+17atoms/cm以下のアルゴンイオンを注入する。 (もっと読む)


【課題】シンプルな製造工程により界面状態の良好な結晶性薄膜を立体形状を含む所望のパターンに形成可能であり、結晶化に要する熱処理温度を低減させることが可能な結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法、及び当該製造方法により形成された結晶性薄膜を備えた構造体を提供する。
【解決手段】結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法においては、蒸着・結晶化促進工程において、スパッタリング法による金属酸化物の蒸着、及びレーザー光照射による金属酸化物の結晶化促進が同時に行われる。蒸着・結晶化促進工程を経た基板34は、所定の温度条件下においてアニールされる。これにより、金属酸化物が完全に結晶化された状態になる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製
方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を
有する基材に貼りつけられたOLEDを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけら
れた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとし
て機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向
に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向
と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面
を有するディスプレイを実現するものである。 (もっと読む)


【課題】13族窒化物からなる第1の基板と、セラミックスからなる第2の基板とを貼り合わせた複合基板につき、放熱性をよくすると共に製造時の製造時のプロセスを簡単にする。
【解決手段】セラミックスからなる第2の基板12の表面12aに金属膜23を形成し(c)、この金属膜23を介して13族窒化物からなる第1の基板21と第2の基板12とを接合する(d)。金属膜23は一般に酸化膜と比べて熱伝導率が高いため、こうすることで酸化膜を介して第1の基板21と第2の基板12とを接合した場合と比べて放熱性のよい複合基板10を得ることができる。また、酸化膜を用いないため外方拡散の工程が不要となり、プロセスが簡単になる。 (もっと読む)


【課題】表面保護膜の剥離ムラやウォーターマークの発生、及びSi基板への不純物吸着等の問題を抑制することにより、固体撮像装置を作製した場合に暗電流の白傷欠陥の発生を効果的に防止可能なエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】SiからなるCZ基板11上に、アクリル樹脂をベースポリマーとする有機膜12を形成する。有機膜12を介してCZ基板11に炭素イオンを注入し、CZ基板11中に炭素注入領域13を形成する。その後、有機膜12を比較的強い酸化剤であるSPM(硫酸過酸化水素水)の溶液によるウェットエッチング、若しくは水素ガスを用いたドライエッチングで洗浄して除去する。その後はCZ基板11の表面にSi材料を用いてSiエピタキシャル層14を形成し、エピタキシャル基板を得る。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の5〜8倍と制御したシリコンウェーハ。 (もっと読む)


【課題】多層膜の成膜により生じた反りを矯正すること。
【解決手段】単結晶基板20と、単結晶基板20の片面に形成された2つ以上の層を有しかつ圧縮応力を有する多層膜30とを含み、単結晶基板20をその厚み方向において2等分して得られる2つの領域20U、20Dのうち、少なくとも単結晶基板20の多層膜30が形成された面側と反対側の面側の領域20D内に、熱変性層22が設けられている多層膜付き単結晶基板、その製造方法および当該製造方法を用いた素子製造方法 (もっと読む)


【課題】シリコンデバイス等耐熱性の低い部位がSi基板に設けられた場合でも、Ge結晶に熱アニールを施し、十分な結晶品質のGe結晶薄膜を得る。
【解決手段】表面がSiであるベース基板と、前記ベース基板の上に形成され、組成がCSiGeSn1−x−y―z(0≦x<1、0≦y<1、0<z≦1、かつ、0<x+y+z≦1)である第1結晶層と、前記第1結晶層が形成された部分以外の前記ベース基板の上に形成された第1半導体素子と、を有する半導体基板の製造方法であって、前記第1半導体素子には電磁波を照射することがなく、前記第1結晶層の一部または全部に電磁波を照射する工程を有する半導体基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとする。
【解決手段】シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にGeを含むアモルファスの第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層を第1の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第1の方向に延伸した第1の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってSiの濃度が減少する第1のSi1-xGe(0≦x≦1)層を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上の一部の領域に形成する3族窒化物半導体の結晶性を高める製造方法を提供する。
【解決手段】表面がシリコン結晶であるベース基板102と、シリコン結晶上の一部の領域に形成されたSiGe1−xC(0≦x<1)エピタキシャル結晶104と、SiGe1−xC(0≦x<1)エピタキシャル結晶104上に形成された3族窒化物半導体結晶106とを含む半導体基板100を提供する。一例として、当該半導体基板100は、シリコン結晶上に形成され、かつ、シリコン結晶を露出する開口110を有し、結晶の成長を阻害する阻害体108をさらに含み、SiGe1−xC(0≦x<1)エピタキシャル結晶104は、開口110の内部に形成されている。 (もっと読む)


【課題】様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】強磁性材料からなるシートを支持体とし、前記強磁性材料からなるシートに接する接着材と、該接着材に接する絶縁膜上に素子とを備える。上記構成において、前記素子は、薄膜トランジスタ、有機化合物を含む層を有する発光素子、液晶を有する素子、メモリー素子、薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光電変換素子、またはシリコン抵抗素子であってもよい。また、上記各構成において、前記強磁性材料からなるシートは、軟質磁性粉体と合成樹脂とを混合して形成され、着磁されたものであってもよい。 (もっと読む)


【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に金属層11を設け、さらに前記金属層11に接して酸化物層12を設け、さらに被剥離層13を形成し、前記金属層11をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層16を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層12の層内または金属酸化物層16と酸化物層12との界面において、きれいに分離することができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。
【解決手段】 金属層または窒化物層からなる第1の材料層と酸化物層からなる第2の材料層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現する。 (もっと読む)


【課題】選択エッチング層のエッチング時の自然酸化による影響で化合物半導体層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高い半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板8上に、選択エッチング層3、応力緩和層9および応力緩和層9より大きいヤング率を有するIII−V族化合物半導体から成る化合物半導体層4をエピタキシャル成長法により順次積層させる積層工程と、選択エッチング層3、応力緩和層9および化合物半導体層4を所定パターンとなるようにエッチング除去するエッチング工程と、Si基板5の主面に化合物半導体層4の上面を直接接合法により接合させて、選択エッチング層3、応力緩和層9および化合物半導体層4が積層された化合物半導体基板8を貼りあわせる接合工程と、前記エッチング工程で残った選択エッチング層3をさらにエッチング除去することにより、Si基板5と化合物半導体基板8とを分離する分離工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】SiCエピタキシャル膜成膜は高温下で行われる為、十分な断熱構造を構築する課題があった。
【解決する手段】
基板を処理する反応室と、反応室内であって、少なくとも基板が載置された領域を囲うように形成され、一端が閉塞された筒形状の被加熱体と、反応室と被加熱体との間であって、被加熱体を囲うように形成され、被加熱体の閉塞された一端側の一端が閉塞された筒形状の断熱材と、反応室の外であって、少なくとも基板が載置された領域の周囲に設けられる誘導加熱部と、反応室内に少なくとも原料ガスを供給するガス供給系と、ガス供給系が少なくとも原料ガスを反応室内へ供給し、基板を処理するよう制御するコントローラと、を備える基板処理装置を提供することで上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】汎用性が高く、低コストで省資源である方法を採用し、実用性に富み、任意の場所、任意の形状に金属又は半導体を二次元的又は三次元的に形成できる半導体素子及びその製造装置を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属酸化物材料又は半導体酸化物材料とを有する還元反応構造1Aを持つ層構造30Aを準備し、還元反応構造1Aに対して局所的にエネルギーを集中することが可能で、かつ還元反応構造1Aに対して2次元的又は3次元的に走査することが可能な熱源を用い、この熱源によって酸化還元反応が起こる温度以上に還元反応構造1Aの一部を走査しつつ選択的に加熱して、炭素材料により金属酸化物材料又は半導体酸化物材料をそれぞれ金属又は半導体に還元し、所望の形状の金属領域又は半導体領域(金属層又は半導体層3A)を形成することによって製造されることを特徴とする半導体素子40Aとすることにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、パターニングされた炭化シリコン膜を得ることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜13の製造方法は、基板11上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜14を形成する工程と、シリコン膜14をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後にシリコン膜14を炭化処理し炭化シリコン膜13を形成する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


1 - 20 / 87