【課題】支持基板とＩＩＩ族窒化物層との接合が良好なＩＩＩ族窒化物複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物複合基板の製造方法は、目標とする基板径より大きい径の主面１０ｍを有する支持基板１０と、目標とする基板径より大きい径の主面３０ｎを有しその主面３０ｎから所定の深さの位置にイオン注入領域３０ｉが形成されたＩＩＩ族窒化物基板３０とを、中間層２０を介在させて貼り合わせ、ＩＩＩ族窒化物基板３０をイオン注入領域３０ｉにおいてＩＩＩ族窒化物層３０ａと残りのＩＩＩ族窒化物基板３０ｂとに分離することにより、支持基板１０上に中間層２０を介在させてＩＩＩ族窒化物層３０ａが接合された第１のＩＩＩ族窒化物複合基板１を形成し、第１のＩＩＩ族窒化物複合基板１の外周部を除去することにより目標とする基板径に等しい径の主面を有する第２のＩＩＩ族窒化物複合基板２を得る。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層に残存する転位の数を少なくする。
【解決手段】第２エピタキシャル層２００は、第１エピタキシャル層１００上にエピタキシャル成長している。第１エピタキシャル層１００は、エピタキシャル成長層１１０及び欠陥層１２０を有している。欠陥層１２０は、エピタキシャル成長層１１０の上、かつ、第１エピタキシャル層１００の表層に位置している。欠陥層１２０の欠陥密度は、５×１０^１７ｃｍ^−２以上である。欠陥層１２０を突き抜けた欠陥は、第２エピタキシャル層２００の内部でループを形成している。 （もっと読む）

【課題】デバイス化の工程で割れが発生することを抑制することが可能なIII族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物エピタキシャル基板１０は、Ｓｉ基板１１と、該Ｓｉ基板１１と接する初期層１４と、該初期層１４上に形成され、Ａｌ組成比が０．５超え１以下のＡｌＧａＮからなる第１層１５Ａ１（１５Ｂ１）およびＡｌ組成比が０超え０．５以下のＡｌＧａＮからなる第２層１５Ａ２（１５Ｂ２）を順次有する積層体を複数組有する超格子積層体１５と、を有し、前記第２層のＡｌ組成比が、前記基板から離れるほど漸減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】逆相境界（ＡＰＢ）の無いＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料の製造方法は、ａ）｛００１｝配向を有する第１半導体材料からなる基板と、基板の上に位置し、これと接触する絶縁層と、絶縁層内に、少なくとも部分的に基板を露出させる凹部領域を用意する工程と、ｂ）凹部領域において露出基板の上に位置し、これと接触するバッファ層を形成する工程工程と、ｃ）バッファ層の表面を粗面化するために、熱処理を印加する工程とを含み、バッファ層が、熱処理の印加後に二重ステップ表面を有する丸み形状をなし、ｄ）凹部領域を、バッファ層の二重ステップ表面の上に位置し、これと接触するＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料で少なくとも部分的に充填する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、レーザリフトオフ処理を短時間に行うことを可能とすること。
【解決手段】基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１側からマスク４４を介してレーザ光を照射する。レーザ光はマスク４４により複数の小面積のレーザ光に分割され、ワーク上に互いに離間した複数の照射領域が形成される。また隣り合う照射領域は互いに離間し、各照射領域の端部と、隣接する照射領域の、ワークの相対的移動方向に対して平行方向に伸びる端部とは、ワークが移動するに従って順次に重畳するように配列され、上記各照射領域の端部は隣接する照射領域の端部と互いに重畳する。これにより、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物単結晶が積層された積層体を冷却したとしても、該積層体の反り（結晶軸の歪み）が低減できる製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板／第１のＩＩＩ族窒化物単結晶層／第１の非単結晶層からなる積層基板を形成する工程、積層基板からベース基板を除去する工程、第１のＩＩＩ族窒化物単結晶層上にＩＩＩ族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させて第２のＩＩＩ族窒化物単結晶層を形成する工程、第２のＩＩＩ族窒化物単結晶層上に、第２の非単結晶層を形成する工程、を含む積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】異種基板上にＧａＮ系半導体を成長させることにより発生する貫通転位を低減し、低転位密度（例えば、１０^５／ｃｍ^２以下）のＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができるＧａＮ系半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種材料からなる成長用基板（例えばＮＧＯ基板）上にＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させる際に、成長用基板上に、第１ＧａＮ系半導体層をエピタキシャル成長させ（第１工程）、第１ＧａＮ系半導体層における転位発生部分にエッチピットを形成し（第２工程）、エッチピットにＳｉ_３Ｎ_４膜を選択的に形成し（第３工程）、Ｓｉ_３Ｎ_４膜上に第２ＧａＮ系半導体層をエピタキシャル成長させる（第４工程）。 （もっと読む）

【課題】中間層としてＧｅ結晶を用いる場合の化合物半導体へのＧｅ原子の混入を抑制する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に形成された第１結晶層と、第１結晶層を被覆する第２結晶層と、第２結晶層に接して形成された第３結晶層とを備え、第１結晶層が、ベース基板における第１結晶層と接する面と面方位が等しい第１結晶面、及び、第１結晶面と異なる面方位を有する第２結晶面を有し、第２結晶層が、第１結晶面と面方位が等しい第３結晶面、及び、第２結晶面と面方位が等しい第４結晶面を有し、第３結晶層が、第３結晶面及び第４結晶面のそれぞれの少なくとも一部に接しており、第１結晶面に接する領域における第２結晶層の厚みに対する第２結晶面に接する領域における第２結晶層の厚みの比が、第３結晶面に接する領域における第３結晶層の厚みに対する第４結晶面に接する領域における第３結晶層の厚みの比よりも大きい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性が向上し、発光構造物のクラック及びひび割れなどの損傷を防止し、発光効率を向上させる発光素子の製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子の製造方法は、多数のチップ領域及びアイソレーション領域を含む基板の上に多数の化合物半導体層を形成するステップと、前記各チップ領域に発光構造物を形成し、前記アイソレーション領域に緩衝構造物を形成するために前記化合物半導体層をエッチングするステップと、前記発光構造物及び前記緩衝構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、レーザリフトオフ工程を用いて前記基板を除去するステップと、前記発光構造物を分離するステップと、を含み、前記緩衝構造物は前記発光構造物から離隔する。 （もっと読む）

【課題】格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとする。
【解決手段】シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にＧｅを含むアモルファスの第１の半導体層を形成する工程と、前記第１の半導体層を第１の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第１の方向に延伸した第１の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってＳｉの濃度が減少する第１のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上の一部の領域に形成する３族窒化物半導体の結晶性を高める製造方法を提供する。
【解決手段】表面がシリコン結晶であるベース基板１０２と、シリコン結晶上の一部の領域に形成されたＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘＣ（０≦ｘ＜１）エピタキシャル結晶１０４と、Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘＣ（０≦ｘ＜１）エピタキシャル結晶１０４上に形成された３族窒化物半導体結晶１０６とを含む半導体基板１００を提供する。一例として、当該半導体基板１００は、シリコン結晶上に形成され、かつ、シリコン結晶を露出する開口１１０を有し、結晶の成長を阻害する阻害体１０８をさらに含み、Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘＣ（０≦ｘ＜１）エピタキシャル結晶１０４は、開口１１０の内部に形成されている。 （もっと読む）

【課題】単一のシリコン基板上に種類の異なる半導体結晶層をエピタキシャル成長させる場合に、表面の平坦性を向上し、半導体デバイスの信頼性を高める。
【解決手段】第１窪みおよび第２窪みが形成されたシリコン結晶を表面に有するベース基板と、第１窪みの内部に形成され、露出されている第１のＩＶＢ族半導体結晶と、第２窪みの内部に形成された第２のＩＶＢ族半導体結晶と、第２窪みの内部の第２のＩＶＢ族半導体結晶上に形成され、露出されているＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶とを備える半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化シリコン層からなる半導体基板を製造する技術に関し、特にシリコン基板の表層部がさらに応力緩和炭化シリコン層を有する半導体基板を製造する技術を提供する。
【解決手段】下記のステップ：（１）シリコン半導体基板を用意し（２）シリコン基板内に炭素イオンを注入してケイ素と炭素の混在した炭素含有層を形成するステップと（３）基板を熱処理して炭素含有層を応力緩和炭化シリコン膜層と酸化膜キャップを形成するステップと（４）酸化膜キャップを除去するステップと（５）第２の酸化膜キャップを形成するステップと（６）応力緩和炭化シリコン膜層と第２の酸化膜キャップとの間のシリコン層に炭素イオンを注入して、ケイ素と炭素の混在した炭素含有層を形成するステップと（７）基板を熱処理して炭素含有層を結晶成長炭化ケイ素膜層とするステップと（８）基板の表面に形成された酸化膜キャップを除去するステップを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】基板上に、面内と周縁部の膜厚の均一な塗布膜を形成することを目的とする。
【解決手段】単結晶ウエハ１と半導体層４と、その間の結晶格子の不整合を緩和するバッファ層３を備えた半導体基板の製造方法であって、前記単結晶ウエハの外周端部１ａを被覆材２で被覆した後、前記バッファ層３を前記単結晶ウエハ１の一面側に形成する工程と、前記被覆材２を取り除いた後、前記半導体層４を前記バッファ層３上の一面側に形成すると共に、前記単結晶ウエハ１の外周端部１ａから前記半導体層４の外周部４ｂにかけて前記半導体層４の構成材料からなる堆積物４ａを堆積させる工程と、前記半導体層４上に塗布液をスピンコート法により塗布する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層のエッチング時間の短縮化が望まれている。
【解決手段】 第１の膜及び半導体膜がこの順番に形成された積層基板の前記半導体膜の上に、マスクパターンを形成する。マスクパターンをエッチングマスクとして、半導体膜をエッチングすることにより、凹部を形成するとともに、凹部の底面の一部の領域に第１の膜が露出し、他の領域には、半導体膜の残渣が残っている状態でエッチングを停止させる。凹部の底面に露出した第１の膜を厚さ方向及び横方向にエッチングすることにより、残渣の下に空洞を形成する。積層基板を浸漬させた液体に超音波を印加することにより、空洞の上に残留している残渣を積層基板から脱離させる。 （もっと読む）

【課題】高品質な光デバイスをシリコン基板上にモノリシックに形成する。
【解決手段】シリコンを含むベース基板と、ベース基板上に設けられた複数のシード結晶と、複数のシード結晶に格子整合または擬格子整合する複数の３−５族化合物半導体とを備え、複数の３−５族化合物半導体のうちの少なくとも１つに、供給される駆動電流に応じて光を出力する発光半導体、または光の照射を受けて光電流を発生する受光半導体を含む光電半導体が形成されており、複数の３−５族化合物半導体のうち、光電半導体を有する３−５族化合物半導体以外の少なくとも１つの３−５族化合物半導体にヘテロ接合トランジスタが形成されている光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】 格子定数が異なる複数種類の半導体素子を同一の基板上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、シリコン基板２１の一部に絶縁膜２２を形成し、シリコン基板２１と絶縁膜２２上にアモルファスＳｉＧｅ層２３を形成し、シリコン基板を熱処理し、アモルファスＳｉＧｅ層２３を絶縁膜２２上に横方向に固相若しくは液相成長させて結晶化し、シリコン基板２２と絶縁膜２２上に格子定数が後に形成される材料層の格子定数に整合されたＳｉＧｅ層２３ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶層上に半導体素子を備えたＳｉ以外の半導体単結晶層を備えた半導体薄膜素子の製造方法並びに半導体ウエハ、及び、半導体薄膜素子を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板（第1の基板）１０１の表面にバッファ層１０２と半導体単結晶層１０３とを順次形成する第1の工程と、半導体単結晶層１０１ａとバッファ層１０２ａとＳｉ（１１１）基板の所定の厚さ部分１０２ｂとを含む分離島１５０を形成する第２の工程と、分離島の表面を覆う被覆層２００を形成する第３の工程と、被覆層をマスクに前記Ｓｉ（１１１）基板をＳｉ（１１１）面に沿ってエッチングして剥離する第４の工程と、分離島の剥離面を別の基板（第２の基板）２０１の表面に接合する第５の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶薄膜を有する半導体基板の設計および上記結晶薄膜の膜質および膜厚の制御を容易にできる半導体基板を提供する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に、一体にまたは分離して設けられ、化合物半導体の結晶成長を阻害する阻害層とを備え、阻害層は、ベース基板まで阻害層を貫通する複数の開口を有する複数の第１開口領域を有し、複数の第１開口領域のそれぞれは、内部に同一の配置で設けられた複数の第１開口を含み、複数の第１開口の一部は、電子素子が形成されるべき第１化合物半導体が設けられている第１素子形成開口であり、複数の第１開口の他の一部は、電子素子が形成されない第１ダミー開口である半導体基板を提供する。 （もっと読む）