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Fターム[5F152NN05]の内容

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Fターム[5F152NN05]に分類される特許

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【課題】高耐圧、低逆方向リーク電流特性を有する二次元電子ガスを導電層とした性能の高い窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層膜の上面に塩素ガスを用いたドライエッチングにより形成した凹部6の底面および側面部に対して、所望の不純物を拡散させる、または所望の不純物を添加した窒化物半導体を再成長することにより、アノード電極7が接触する窒化物半導体積層膜の側面部を高抵抗化させ、逆方向リーク電流を低減する。 (もっと読む)


【課題】支持基板とIII族窒化物層との接合が良好なIII族窒化物複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物複合基板の製造方法は、目標とする基板径より大きい径の主面10mを有する支持基板10と、目標とする基板径より大きい径の主面30nを有しその主面30nから所定の深さの位置にイオン注入領域30iが形成されたIII族窒化物基板30とを、中間層20を介在させて貼り合わせ、III族窒化物基板30をイオン注入領域30iにおいてIII族窒化物層30aと残りのIII族窒化物基板30bとに分離することにより、支持基板10上に中間層20を介在させてIII族窒化物層30aが接合された第1のIII族窒化物複合基板1を形成し、第1のIII族窒化物複合基板1の外周部を除去することにより目標とする基板径に等しい径の主面を有する第2のIII族窒化物複合基板2を得る。 (もっと読む)


【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置1は、c面を表面とする窒化物半導体の半導体層13と、厚みが減少する厚み減少部14aを有する窒化物半導体のp型の埋込み層14と、を備える。埋込み層14では、厚み減少部14aの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部14aの傾斜面の間のp型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 (もっと読む)


【課題】ドーピング密度を増やすことなく、高濃度キャリア走行部を形成でき、高い移動度と低いオン抵抗を実現できる電界効果トランジスタの製造方法および電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタ1は、窒素ドープn型SiCドリフト層12のキャリア走行部14を挟むように形成されたソース13とドレイン15とを備える。ソース13とドレイン15は、エッチングによってキャリア走行部14に隣接して形成された段部16,17を有する。キャリア走行部14は、段部16,17の段差面16A,17Aに紫外光を照射することによって段部16,17から延びるように形成された積層欠陥部18を有する。積層欠陥部18は、3C‐SiCの結晶構造を持ち、量子井戸構造のようにふるまうことからキャリアがここに多数閉じ込められる。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル層に残存する転位の数を少なくする。
【解決手段】第2エピタキシャル層200は、第1エピタキシャル層100上にエピタキシャル成長している。第1エピタキシャル層100は、エピタキシャル成長層110及び欠陥層120を有している。欠陥層120は、エピタキシャル成長層110の上、かつ、第1エピタキシャル層100の表層に位置している。欠陥層120の欠陥密度は、5×1017cm−2以上である。欠陥層120を突き抜けた欠陥は、第2エピタキシャル層200の内部でループを形成している。 (もっと読む)


【課題】一般的な結晶成長方法による窒化物半導体層の積層で、分極効果が制御できるようにする。
【解決手段】c軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がIII族極性面104aとされた第2半導体層104の主表面に、第1半導体層103のIII族極性面103aを貼り合わせた後、第1半導体層103と基板101とを、分離層102で分離する。 (もっと読む)


【課題】GaNを用いた窒化物半導体装置において、電流が流れる経路に、再結晶成長などによる界面が存在することがない状態で、十分な耐圧が得られるようにする。
【解決手段】GaNからなるチャネル層(第2半導体層)101と、チャネル層101の一方の面であるN極性面に形成された第1障壁層(第1半導体層)102と、チャネル層101の他方の面であるIII族極性面に形成された第2障壁層(第3半導体層)103とを備える。第1障壁層102および第2障壁層103は、例えば、AlGaNから構成されている。また、ドレイン電極(第1電極)104が、第1障壁層102の上に形成され、ゲート電極105が、ドレイン電極104に対向して第2障壁層103の上に形成されている。ソース電極(第2電極)106は、ゲート電極105と離間して第2障壁層103の上に形成されている。 (もっと読む)


【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成し、転写先基板に接することとなる前記半導体結晶層形成基板の第1表面と、前記第1表面に接することとなる前記転写先基板の第2表面と、が向かい合うように、前記半導体結晶層形成基板と前記転写先基板とを貼り合わせ、前記半導体結晶層形成基板および前記転写先基板の全部または一部をエッチング液に浸漬して前記犠牲層をエッチングし、前記半導体結晶層を前記転写先基板側に残した状態で、前記転写先基板と前記半導体結晶層形成基板とを分離する。ここで、前記転写先基板が、非可撓性基板と有機物層とを有し、前記有機物層の表面が、前記第2表面であるものとする。 (もっと読む)


【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成するステップと、犠牲層の一部が露出するように半導体結晶層をエッチングし、半導体結晶層を複数の分割体に分割するステップと、転写先基板に接することとなる半導体結晶層形成基板側の第1表面と、第1表面に接することとなる転写先基板側の第2表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせるステップと、半導体結晶層形成基板および転写先基板をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離するステップと、を有し、前記半導体結晶層が、GeSi1−x(0<x≦1)からなる、複合基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧を制度良く制御することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に、窒化物半導体からなるチャネル層14と、チャネル層14よりもバンドギャップエネルギーの大きい第1窒化物半導体層16と、を順次形成する工程と、第1窒化物半導体層16上であって、ゲート電極26を形成すべき領域にダミーゲートを形成する工程と、ダミーゲートを形成した後、第1窒化物半導体層16上のダミーゲート以外の領域に、チャネル層14のバンドギャップエネルギー以上の大きさのバンドギャップエネルギーを有する第2窒化物半導体層18を再成長する工程と、ダミーゲートを除去した後、ダミーゲートを除去した領域の第1窒化物半導体層16上にゲート電極26を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】半導体層と電極との間に絶縁膜を介するMIS構造を採用するも、オン抵抗の上昇及び閾値の変動を抑止し、信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】AlGaN/GaN・HEMTは、化合物半導体積層構造2と、化合物半導体積層構造2の表面と接触する挿入金属層4と、挿入金属層4上に形成されたゲート絶縁膜7と、挿入金属層4の上方でゲート絶縁膜7を介して形成されたゲート電極8とを含み構成される。 (もっと読む)


【課題】逆ピエゾ効果が効果的に抑制され、オフ時の高電界状態であっても、ゲート電極近傍でクラックの発生が抑止されたスイッチング素子を提供する。
【解決手段】スイッチング素子1は、電子走行層13と、電子走行層13の上面に形成され、バンドギャップが電子走行層13より大きく電子走行層13とヘテロ接合する電子供給層14と、ソース電極15とドレイン電極16と、ソース電極15とドレイン電極16の間に配置されたゲート電極17とを備え、ゲート電極の下方に、電子供給層14に替えて、逆ピエゾ抑制層20を配置してなる。逆ピエゾ抑制層20は、ヘテロ接合よりも格子不整合が緩和された状態で電子走行層13と接合するように、その組成等が調整されており、ゲート電極17との接触領域A2のドレイン電極16側境界B4を跨ぐように配置される。 (もっと読む)


【課題】電流コラプスを抑制しながらノーマリオフ動作を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された化合物半導体積層構造7と、化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11dと、が設けられている。化合物半導体積層構造7には、電子走行層3と、電子走行層3上方に形成された電子供給層5を含む窒化物半導体層と、が設けられている。窒化物半導体層の表面のIn組成は、平面視でゲート電極11gとソース電極11sとの間に位置する領域及びゲート電極11gとドレイン電極11dとの間に位置する領域において、ゲート電極11gの下方よりも低くなっている。 (もっと読む)


【課題】基板の外周部においてクラックの発生が抑制される半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】半導体結晶基板110と、基板110の表面に窒化物により形成された保護層120と、を有し、保護層120は、基板110の外周部となる周辺領域120aはアモルファス状態であり、基板110の周辺領域よりも内側の内部領域120bは結晶化している。 (もっと読む)


【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるSiCエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるSiC半導体素子を提供すること
【解決手段】4°以下のオフ角を有するSiC基板2と、SiC基板2の主面4に形成され、その表面10に0.5nm以上の高さのステップバンチング9が形成されたSiCエピタキシャル層3とを含むSiCエピタキシャルウエハ1において、ステップバンチング9の線密度を40cm−1以下にする。 (もっと読む)


【課題】多様な構造を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された化合物半導体層2と、が設けられている。化合物半導体層2には、第1の不純物の活性化により発生した第1導電型のキャリアを含む第1の領域2aと、第1の不純物と同一種類の第2の不純物の活性化により発生したキャリアを、第1の領域2aよりも低濃度で含有する第2の領域2bと、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された窒化ガリウム系半導体で形成された半導体層におけるドーパント濃度がばらつくと、半導体層を用いた半導体装置の特性がばらつくので、半導体層におけるドーパント濃度のばらつきが抑えられた層を有する半導体基板を得る。
【解決手段】基板に、窒化ガリウム系半導体で形成された半導体層を形成する半導体層形成段階と、半導体層に、中性子線を照射して、半導体層に含まれるガリウム原子の一部をゲルマニウム原子に変換する照射段階と、を備える半導体基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物とは化学組成の異なる異組成基板とIII族窒化物層とが貼り合わされた複合基板であっても、反りおよびクラックを発生させることなくその複合基板上にIII族窒化物エピタキシャル層を形成することができる複合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板2Dは、III族窒化物以外の化学組成を有する異組成基板10と、異組成基板10に貼り合わされたIII族窒化物層21と、含み、III族窒化物層21は、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数のIII族窒化物タイル21pに分離している。 (もっと読む)


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