【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつＧａＡｓ基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ１０において、ＧａＡｓ基板１とデバイス層３の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層２を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】内部応力及び反りを低減させる。
【解決手段】まず、室温において、基板２の裏面上に、基板２よりも熱膨張率が低い第１の膜３を成膜する（ａ）。次に、高温まで加熱した後に（ｂ）、基板２の表面２ａ上に、基板２よりも熱膨張率が高いバッファ層４及び第２の膜５を成膜する（ｃ）。しかる後、半導体積層構造体１の温度が室温まで低下すると、半導体積層構造体１は基板２及びすべての膜３、４、５がほぼ反りのない平坦なものとなる（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】基板と格子整合し、キュリー温度Ｔｃが室温であるＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族化合物磁性半導体材料で量子井戸層あるいは強磁性電極を構成した磁性半導体素子を提供する。
【解決手段】
磁性半導体素子１０は、ＩｎＰからなる基板１１と、Ｍｎが添加されたＺｎＳｎＡｓ_２からなりかつ基板１１の上に結晶成長された量子井戸層１３と、ＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｓからなり基板１１の上に結晶成長されかつ量子井戸層１３を挟持する一組の障壁層１２，１４と、を備える。障壁層１２，１４にＩｎＡｌＡｓを採用した場合、Ａｌ組成は０．４３〜０．５３％であることが好ましくは、ＩｎＧａＡｓを採用した場合、Ｇａ組成が０．４２〜０．５２％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板上に大面積の単結晶の有機薄膜を形成することができる有機薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の有機分子からなる規則的な分子配列を有する第１の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層の上にエピタキシャル成長する第２の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層を昇華、蒸発あるいは溶解して前記第２の有機分子層から除去する工程を有する有機薄膜の製造方法。前記第１の有機分子がアントラセン、前記第２の有機分子がペンタセンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスの整合性に優れており、基板と磁性半導体薄膜とが格子整合し、Ｔｃが３００Ｋ付近でバラツキが少ないＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族の磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法を提供する
【解決手段】加熱した基板上に緩衝層を形成した後に、該緩衝層上に磁性半導体層として遷移金属元素を添加したＺｎＳｎＡｓ_２をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

多層半導体装置は、ウェハーボンディングを介して移行させた単結晶膜の電気的特性を有する多結晶基板の良好な熱的及び電気的特性を利用している。装置構造は、研磨された多結晶、例えば炭化シリコン基板を含む。シリコンの平坦化層が表面に形成され、続いて化学的機械研磨される。次いで、基板は、バルクリシコンウェハー又はsilicon-on-insulator（ＳＯＩ）ウェハーに結合される。シリコン（ＳＯＩ)ウェハーは所望厚さに薄肉化される。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ基板を用いることなく、絶縁体上に形成される半導体層の面積を拡大する。
【解決手段】 開口部７を介して空洞部９内の半導体基板１および第２半導体層３の熱酸化を行うことにより、半導体基板１と第２半導体層３との間の空洞部９に埋め込み絶縁膜１０を形成した後、ソース／ドレイン層２５ａ、２５ｂの表面に露出している埋め込み絶縁膜１０、１３および第２半導体層３をパターニングすることにより、開口部７の周囲のソース／ドレイン層２５ａ、２５ｂの側壁を露出させるコンタクトホール２６を形成し、コンタクトホール２６を介してソース／ドレイン層２５ａ、２５ｂにそれぞれ接続された配線層２７ａ、２７ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】
材料複合体ウェーハの製造方法に関し、特に非均質材料複合体に関し、また特に、異なる物理的特性及び／又は化学的特性、特に異なる熱膨張係数を備えた少なくとも２種類の材料を含む非均質材料複合体に関し、よりよい品質の材料複合体ウェーハ及びより高い製品歩留まりを達成する。
【解決手段】ソース基板に所定の分割領域を形成するステップと、ソース‐ハンドル複合体を形成するためにソース基板をハンドル基板に取り付けるステップと、ソース基板を所定の分割領域において脆弱化するためにソース基板を熱アニールするステップとを含む。本方法は更に、脆弱化された所定の分割領域の物理的な強度を特徴づけている脆弱化の程度を測定するステップを含み、この測定するステップが熱アニールステップの間及び／又は後で実行される。 （もっと読む）