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Fターム[5F152NQ02]の内容

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【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、SOI構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ1、電気絶縁性材料を含み、かつ2nm〜100nmの厚さを有する第一非晶質中間層2、立方晶系Ia−3結晶構造と、(Me123-1-x(Me223xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と0%〜5%異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層3を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 (もっと読む)


【課題】所望の位置にグラフェン膜を有するグラフェン構造及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】所定の基材3上において、炭素含有層4と、少なくともケイ素を含む炭素化合物層5とを順次に積層し、その上に絶縁膜層6を形成した後、絶縁膜層の一部をエッチングにより取り除いた基板に対してアニーリングを実施し、絶縁膜の除去部にのみグラフェン膜7を形成したグラフェン構造1を形成し、これを用いて表面にショットキー電極8、およびオーミック電極9,10を形成させて半導体装置2を作製する。 (もっと読む)


【課題】ドーピング密度を増やすことなく、高濃度キャリア走行部を形成でき、高い移動度と低いオン抵抗を実現できる電界効果トランジスタの製造方法および電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタ1は、窒素ドープn型SiCドリフト層12のキャリア走行部14を挟むように形成されたソース13とドレイン15とを備える。ソース13とドレイン15は、エッチングによってキャリア走行部14に隣接して形成された段部16,17を有する。キャリア走行部14は、段部16,17の段差面16A,17Aに紫外光を照射することによって段部16,17から延びるように形成された積層欠陥部18を有する。積層欠陥部18は、3C‐SiCの結晶構造を持ち、量子井戸構造のようにふるまうことからキャリアがここに多数閉じ込められる。 (もっと読む)


【課題】結晶性の優れた炭化シリコン膜を形成することができる炭化シリコンからなる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、絶縁膜2を介してシリコン膜3が形成された半導体基板を用意し、炭化シリコン膜6形成予定領域を選択的に被覆するマスク膜5を形成する。このマスク膜5で被覆されない領域のシリコン膜3を酸化し、酸化シリコン膜4を形成する。マスク膜5を除去し、シリコン膜3を露出させ、露出したシリコン膜3を炭化し、炭化シリコン膜6を形成する。その後、炭化シリコン膜6上に炭化シリコンのエピタキシャル成長膜8を形成する。 (もっと読む)


【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるSiCエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるSiC半導体素子を提供すること
【解決手段】4°以下のオフ角を有するSiC基板2と、SiC基板2の主面4に形成され、その表面10に0.5nm以上の高さのステップバンチング9が形成されたSiCエピタキシャル層3とを含むSiCエピタキシャルウエハ1において、ステップバンチング9の線密度を40cm−1以下にする。 (もっと読む)


【課題】素子特性の低下を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板11と、シリコン基板11の表面に形成された炭化シリコン膜12と、炭化シリコン膜12の表面に形成された、開口部13hを有するマスク材13と、開口部13hにおいて露出した炭化シリコン膜12を基点としてエピタキシャル成長された、炭化シリコン膜12及びマスク材13を覆う単結晶炭化シリコン膜14と、単結晶炭化シリコン膜14の表面に形成された半導体素子20と、を含み、マスク材13の上には、単結晶炭化シリコン膜14が会合して形成された会合部12Sbが存在しており、半導体素子20はボディコンタクト領域21を有しており、ボディコンタクト領域21は、シリコン基板11の表面と直交する方向から見て会合部12Sbと重なる位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板11上に単結晶炭化シリコン膜14を形成する単結晶炭化シリコン膜14の製造方法であって、シリコン基板11の表面に炭化シリコン膜12を形成する第1の工程と、炭化シリコン膜12の表面にマスク材13を形成する第2の工程と、マスク材13に開口部13hを形成し、炭化シリコン膜12の一部を露出させる第3の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板11を加熱し、炭化シリコン膜12を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜12及びマスク材13を覆う単結晶炭化シリコン膜14を形成する第4の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、5.0×10−4Pa以上かつ0.5Pa以下である。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素基板の表面を保護することができる方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板80が準備される。2μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有する雰囲気に炭化珪素基板80をさらすことによって、炭化珪素基板80上に酸化膜70が形成される。 (もっと読む)


【課題】大きなチャネル移動度を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板は、ポリタイプ4Hの六方晶の単結晶構造を有する半導体からなる表面SRを有する。基板の表面SRは、面方位(0−33−8)を有する第1の面S1と、第1の面S1につながりかつ第1の面S1の面方位と異なる面方位を有する第2の面S2とが交互に設けられることによって構成されている。ゲート絶縁膜は基板の表面SR上に設けられている。ゲート電極はゲート絶縁膜上に設けられている。 (もっと読む)


【課題】チャネル移動度の低下を抑制しつつ閾値電圧を制御する炭化珪素半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、(b)二酸化珪素膜が形成された炭化珪素基板を窒化処理する工程と、(c)窒化処理された炭化珪素基板を水蒸気を含んだ酸素雰囲気で熱処理する工程とを備える。工程(c)は、(c1)窒化処理された炭化珪素基板を投入した熱処理炉の温度を不活性ガス雰囲気中で昇温又は降温する工程を含む。工程(c1)は、窒化処理直後のチャネル移動度をμch、昇温又は降温開始時刻をt=0、熱処理開始時刻をt=t1、熱処理終了時刻をt=t2、熱処理炉からの基板取出時刻をt=t3、ボルツマン定数をk、時刻tにおける熱処理炉の温度をT(K)とした場合に、式(1)により求められる炭化珪素基板中のチャネル移動度の低下率が10%以下となるように昇温速度及び/又は降温速度を決定する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、結晶欠陥が少なく、キャリア時定数が十分大きい高品質なエピタキシャルウエハの製造方法と、当該エピタキシャルウエハを用いた半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、(a)3×1018cm-3以下の不純物濃度を有するSiC基板12上に、1×1014cm-3以上1016cm-3台以下の不純物濃度を有するエピタキシャル層13をエピタキシャル成長により形成する工程と、(b)前記工程(a)により得られた構造のSiC基板12の側から、エピタキシャル層13のうち所定の厚みを残して、SiC基板12の全部とエピタキシャル層13の一部とを連続的に除去する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】SiC半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC基板10上にSiCエピタキシャル層16を形成し、該エピタキシャル層16にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記SiC基板10よりも欠陥密度の高いゲッタリング層13を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】絶縁層埋め込み型半導体の炭化珪素基板において、電子デバイス作製に不可避である、低抵抗p型不純物層を形成するための工業的な方法を提案すること。
【解決手段】絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板に、例えば、アルミニウムイオンを注入しp型不純物層を形成させ、次いで熱処理することからなる、p型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】少なくとも表面がSiC層で構成されるとともにオフ角を有する基板を用いた半導体素子の製造方法において、イオンを活性化する際に発生するステップバンチングを除去可能な製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、イオン注入工程と、カーボン層形成工程と、イオン活性化工程と、除去工程と、を含む。イオン注入工程では、基板にイオンを注入する。カーボン層形成工程では、イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。イオン活性化工程では、カーボン層が形成された基板を加熱してイオンを活性化させる。除去工程では、イオン活性化工程が行われた基板をSi蒸気圧下で加熱することで、カーボン層と、イオン活性化工程で基板表面に発生するステップバンチングと、を除去する。 (もっと読む)


【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】第1の単結晶板11は、第1の側面を有し、炭化珪素からなる。第2の単結晶板12は、第1の側面と対向する第2の側面を有し、炭化珪素からなる。接合部BDは、第1および第2の側面の間で第1および第2の側面を互いにつなぎ、炭化珪素からなる。接合部BDの少なくとも一部は多結晶構造を有する。 (もっと読む)


【課題】デバイス作製に供用可能なウェハ面積部分を増大し、かつ大口径化に伴って増大する加工負荷を回避できる炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】ウェハの特定の方位端に総面積の小さい加工欠損部、あるいは非対称な形状を有するノッチ状の加工欠損部を有する炭化珪素単結晶ウェハ。 (もっと読む)


【課題】単結晶シリコン膜などの半導体膜が、支持基板から剥がれることを防止するSOI基板の作製方法を提供する。また、当該方法を用いることで、SOI基板作製における歩留まりを向上させ、生産コストを削減する。
【解決手段】半導体基板に絶縁膜を形成し、加速されたイオンを半導体基板に照射することにより、半導体基板中に脆化領域を形成し、半導体基板と支持基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において、半導体基板を分離して、支持基板上に絶縁膜を介して半導体膜を形成し、半導体膜上にマスクを形成し、半導体膜の一部及び絶縁膜の一部をエッチングすることにより、半導体膜の周端部が、絶縁膜の周端部の内側に位置するように、半導体膜及び絶縁膜を形成する、SOI基板の作製方法である。 (もっと読む)


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