【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ１、電気絶縁性材料を含み、かつ２ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第一非晶質中間層２、立方晶系Ｉａ−３結晶構造と、（Ｍｅ１₂Ｏ₃）_-1-x（Ｍｅ２₂Ｏ₃）_xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と０％〜５％異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層３を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】支持基板と酸化物膜との接合強度および酸化物膜とＩＩＩ族窒化物層との接合強度が高いＩＩＩ族窒化物複合基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物複合基板１は、支持基板１０と酸化物膜２０とＩＩＩ族窒化物層３０ａとを含み、支持基板１０は多結晶で形成され、ＩＩＩ族窒化物層３０ａは少なくともｃ軸方向に配向しているＩＩＩ族窒化物結晶で形成され、酸化物膜２０は不純物が添加され、不純物の濃度は、酸化物膜２０において支持基板１０側の第１主面２０ｓからＩＩＩ族窒化物層３０ａ側の第２主面２０ｔにかけて膜厚方向で変化し、第１主面２０ｓにおける不純物の濃度は第２主面２０ｔにおける不純物の濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】より安定した電気的特性の酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜を提供する。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜において、当該酸化物半導体膜は、ａ−ｂ面が酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、ａ−ｂ面が該酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、を有する酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ１、電気絶縁性材料を含み、かつ２ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第一非晶質中間層２、立方晶系Ｉａ−３結晶構造と、（Ｍｅ１₂Ｏ₃）_-1-x（Ｍｅ２₂Ｏ₃）_xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と０％〜５％異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層３を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】 低コストで、優れた性能をもつシリコン系薄膜を提供するために、タクトタイムが短くて、高速の成膜速度で特性のすぐれたシリコン系薄膜と、それを含む半導体素子。さらにこのシリコン系薄膜を用いた密着性、耐環境性などに優れた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｉ型半導体層と前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面領域であって前記ｉ型半導体層と前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面から１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の界面領域の微結晶が（１００）面に優先配向しており、前記ｉ型半導体層の層厚方向における前記微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合である（２２０）面の配向性が前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層又は前記ｎ型半導体層側では小さく、前記下地層から離れるに伴って大きくなるように変化する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内における反応ガスの圧力を４５０Ｐａ〜１３３３２Ｐａとし、当該プラズマＣＶＤ装置の第１の電極と第２の電極の間隔を１ｍｍ〜２０ｍｍ、好ましくは４ｍｍ以上１６ｍｍ以下として、前記第１の電極に６０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給することにより、第１の電極および第２の電極の間にプラズマ領域を形成し、プラズマ領域を含む気相中において、結晶性を有する半導体でなる堆積前駆体を形成し、堆積前駆体を堆積させることにより、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の結晶核を形成し、結晶核から結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶層上に半導体素子を備えたＳｉ以外の半導体単結晶層を備えた半導体薄膜素子の製造方法並びに半導体ウエハ、及び、半導体薄膜素子を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板（第1の基板）１０１の表面にバッファ層１０２と半導体単結晶層１０３とを順次形成する第1の工程と、半導体単結晶層１０１ａとバッファ層１０２ａとＳｉ（１１１）基板の所定の厚さ部分１０２ｂとを含む分離島１５０を形成する第２の工程と、分離島の表面を覆う被覆層２００を形成する第３の工程と、被覆層をマスクに前記Ｓｉ（１１１）基板をＳｉ（１１１）面に沿ってエッチングして剥離する第４の工程と、分離島の剥離面を別の基板（第２の基板）２０１の表面に接合する第５の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】低コストの立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）単結晶薄膜を得るための立方晶炭化ケイ素単結晶薄膜の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】立方晶炭化ケイ素単結晶薄膜の製造方法において、基板１０１の表面に犠牲層１０２を形成する第１の工程と、犠牲層の表面に少なくとも表面層が立方晶構造である立方晶半導体層１０３を形成する第２の工程と、立方晶半導体層の表面に立方晶炭化ケイ素単結晶層１０４を形成する第３の工程と、犠牲層をエッチング除去して、立方晶半導体層と立方晶炭化ケイ素単結晶層との積層体を剥離する第４の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１１上にバッファ層１２を形成する第１の工程と、バッファ層１２上にシリコン膜１５を形成する第２の工程と、シリコン膜１５を炭化して炭化珪素膜１３を形成する第３の工程と、を含み、バッファ層１２は、シリコンの格子定数と炭化珪素膜１３の格子定数との間の格子定数を有する金属酸化物で構成され、第３の工程は、炭化水素系ガスの雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】 これまで実在しなかった窒化ガリウムの自立した円形ウエハを実用的な形にして初めて提供すること。
【解決手段】 １０^１６ｃｍ^−３〜１０^２０ｃｍ^−３の濃度で酸素ドープされた六方晶系で｛０００１｝面方位の窒化ガリウム単結晶よりなり透明であって独立し自立した円形のウエハであって方位を指定するフラット部を一つあるいは方位と表裏を示すフラット部を二つ付ける。周辺部を面取りすることも有用である。ｎ型の導電性をしめす。 （もっと読む）

【課題】基板上に大面積の単結晶の有機薄膜を形成することができる有機薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の有機分子からなる規則的な分子配列を有する第１の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層の上にエピタキシャル成長する第２の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層を昇華、蒸発あるいは溶解して前記第２の有機分子層から除去する工程を有する有機薄膜の製造方法。前記第１の有機分子がアントラセン、前記第２の有機分子がペンタセンであることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は電子工学分野での応用を目的とする、少なくとも１つのＩＩＩ／Ｎ型窒化材料層を具備してなるハイブリッド基板の製造法であって；六方単結晶の結晶構造を有するＩＩＩ／Ｎ型窒化材料でできた原材基板（１）を選択する工程；前記基板内部に多数のナノ空隙（１２）を生じさせて活性層（１４）の境界となる脆弱領域（１３）を作ることを目的として、前記窒化材料の「ｃ」結晶軸に平行もしくは略平行な平面内にある「注入面」（１０）と呼ばれる面の一つを通して、１×１０^１６Ｈｅ^＋／ｃｍ^２から１×１０^１７Ｈｅ^＋／ｃｍ^２のヘリウムイオンＨｅ^＋を前記原材基板（１）に注入する工程；および、少なくとも前記ナノ空隙を空隙（１２’）へと成長させることが可能な熱授受を含む授受からなる、活性層（１４）を原材基板（１）から分離させることが可能な全エネルギー授受を施すことによって前記活性層（１４）を移設する工程；からなることを特徴とする製造法に関する。
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【課題】結晶性の良い窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板を用い裏面に電極を形成した発光素子、受光素子等の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を１００μｍ以上の膜厚で成長させ、前記基板を除去することによって得られた窒化物半導体基板であり、該窒化物半導体基板の表面の凹凸差が±１μｍ以下になるまで表面研磨した研磨面に成長される。好ましくは、前記表面の凹凸差が±０．５μｍ以下である。前記窒化物半導体基板はｎ型不純物がドープされている。 （もっと読む）

【課題】 ２枚のウェーハの接合により、ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合において、接合界面を半導体基板側に残さないことによって、接合界面のボイド発生に起因する素子の歩留まり低下を解消することを可能とする半導体基板の製造方法および半導体基板を提供する。
【解決手段】 第１の半導体ウェーハ１０２表面に非晶質（アモルファス）半導体層１２０を形成する工程と、第２の半導体ウェーハ１０４表面に多孔質半導体層１１８を形成する工程と、非晶質半導体層１２０と多孔質半導体層１１８を重ね合わせた状態で、第１の半導体ウェーハ１０２と第２の半導体ウェーハ１０４とを接合する工程と、非晶質半導体層１２０を単結晶化する熱処理工程と、接合する工程において形成された半導体基板１１４を、多孔質半導体層１１８において分離する工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法および半導体基板。 （もっと読む）

【課題】歪み緩和バッファ層を設けることなく、結晶構造を有する半導体基板の表面に歪み半導体層を形成でき、したがって、簡単かつ低コストで歪み半導体基板を作製できる歪み半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】結晶構造を有する半導体基板の表面に絶縁膜を形成する（Ｓ１）。半導体基板の材料とは格子定数が異なる元素をその絶縁膜中にイオン注入する（Ｓ２）。その元素が絶縁膜中からはじき出されて半導体基板中に拡散して、その元素を要因とした歪みが半導体基板に生じるように熱処理を行う（Ｓ３）。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長方法及び結晶成長装置に関し、基板とエピタキシャル層との格子定数の差を、用いられる物質により一義的決定されることなく一定程度の範囲で任意に設定する。
【解決手段】 湾曲させた基板１上にエピタキシャル成長をさせる。 （もっと読む）

歪み補償原子種を置換配列することにより、例えば、ＳｉＧｅ ＮＰＮ ＨＮＴの電子装置（１００）へ、その場で添加した歪み補償の準安定化合物基部（１０７）を電子装置（１００）に擬似格子整合を増大し統一するための方法。本発明は歪みＳｉＧｅ、ＭＯＳアプリケーションのＳｉ、垂直薄膜トランジスタ（ＶＴＦＴ）、および様々なその他の電子装置型などの、その他の電子装置の歪み層にも適用する。例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびＡｌＧａＡｓの、ＳｉＧｅ以外の化合物半導体から形成される装置も本願に記載する有益な工程に適している。
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本発明は、一般に歪シリコンオンインシュレータ（ＳＳＯＩ）構造とその製造方法に関するものである。この方法は、歪シリコン層の歪を維持しつつその結晶化度を改善するための高温熱アニールを含む。
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【課題】 基板上に、成長の核となる微結晶を作製し、その粒径と密度を制御し、大粒径多結晶Si薄膜を作製できるGe微結晶核付き基板の作製方法及びGe微結晶核付き基板を提供する。
【解決手段】 電子工業用ガラス基板、石英ガラス基板、熱酸化したSiウェーハ又はSiO₂膜付き基板の上に固相成長法により島状に独立したGe微結晶を形成し、次いで酸素エッチングによってGe微結晶の粒径と密度とを、３００〜６００℃の範囲のエッチング温度とエッチング時間とで制御する。前記基板の上に粒径が１〜４０ｎｍのGe微結晶を、密度が１×１０⁵〜１×１０⁷個／ｃｍ²となるように分散配置した。 （もっと読む）