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Fターム[5F157AA02]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の形状、形態 (6,397) | 形状 (323) | 矩形板状 (82)

Fターム[5F157AA02]に分類される特許

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【課題】着脱性やメンテナンス性に優れ、梁型のノズル保持機構が無くても撓まない長尺型の処理液吐出ノズルを提供すること。
【解決手段】この処理液吐出ノズル64に取り付けられるたわみ補正機構74は、ノズルヘッダ管68の第1および第2の中間点PM1,PM2で補強面68aに突出して設けられる第1および第2の中間ジョイント部78,80と、ノズルヘッダ管68の第1および第2の中間ジョイント部78,80の間たとえば長手方向の中心点PCで補強面68aに突出して設けられる中心ジョイント部76と、中心ジョイント部74と第1の中間ジョイント部との間に架け渡される第1の連結棒80と、中心ジョイント部78と第2の中間ジョイント部80との間に架け渡される第2の連結棒84とを有している。 (もっと読む)


【課題】基板の主面への処理液の飛散を抑制しつつ基板の端面を局所的に処理できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置100は、硬脆性基板の一種であるガラス基板(基板90)の側端面91Sをエッチングする。基板処理装置100は、その外周面が基板90の側端面91に当接される当接面を形成するスポンジ体213(当接部材)と、スポンジ体213を回転させるスポンジ体回転駆動部240(回転駆動部)と、スポンジ体213に処理液を供給する処理液供給管251(処理液供給部)とを備える。搬送ローラー31により+y方向に搬送される基板90の側端面91Sに対して、z軸回りに回転するスポンジ体213の外周面が押し当てられることにより、基板90の側端面91Sのエッチングが行われる。 (もっと読む)


【課題】乾式洗浄と湿式洗浄とを選択的に実施できる基板処理設備及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理設備は、基板が載せられた容器が置かれるポート1100及びインデックスロボット1200を有するインデックス部1000と、基板処理を遂行する処理部200と、処理部200とインデックス部1000との間に配置されてこれらの間に搬送される基板が一時的に留まるバッファユニット4000と、を含み、処理部200は、基板を搬送するための移送路に沿って配置されるグルー除去用処理モジュール、基板冷却処理モジュール、加熱処理モジュール、及び機能水処理モジュールを含む。 (もっと読む)


【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽11にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送してエッチング液が貯留された処理槽11内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板100の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板100を搬送ローラ21より上方で、かつ、処理槽11に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板100を搬送ローラ21と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽21に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送して処理槽11より退出させる基板搬出工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】ウェットエッチング装置のリンス用純水の使用量を削減し、処理能力を高める。
【解決手段】半導体基板2を化学薬液処理にてエッチングし水洗するウェットエッチング装置1において、前記半導体基板に化学薬液処理を行う薬液槽4と、前記半導体基板に付着した前記薬液を希釈・除去する粗水洗槽5と、該粗水洗槽処理後に、前記半導体基板に残留・付着した前記薬液を純水に置換させるQDR(クイックダンプリンス)槽6と、を備えたウェットエッチング装置とする。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の割れ・欠けだけでなく、ヒビの検出も可能であり、且つ、割れ・欠け・ヒビが発生した工程から次工程に入る前に欠陥を検出し、そのことによって欠陥のあるガラス基板を排除可能な欠陥検査機構を備えた搬送装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置の製造装置に使用されるガラス基板の搬送装置であって、
前記搬送装置は、駆動力を備えた複数の駆動ローラーと駆動力を備えていない複数の搬送ローラーを備えており、
少なくとも前記搬送ローラーは、荷重測定機構を備えていることを特徴とするガラス基板の搬送装置。 (もっと読む)


【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第1の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第2の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】液処理装置において、角型の基板から飛散する処理液が基板に付着することを防ぐことができる技術を提供すること。
【解決手段】基板の辺に沿って形成されると共に外縁部が円形に形成され、前記基板を保持する基板保持部と共に回転する液受け部と、前記液受け部を囲むように設けられ、その上縁部が当該液受け部との間に排気空間を形成するように液受け部の上方側に屈曲すると共にその内周縁が円形に形成され、前記基板保持部と共に回転する円筒状の回転カップと、を備えるように液処理装置を構成する。回転カップの内外で周方向に均一性高く気流を形成すると共に気流の淀みを防ぎ、液受け部により基板の周縁部から外側上方へ飛散した処理液をその下面で受け止めて基板の外側方向へ排出することができるので、基板の周囲から効率良く処理液を排出して基板への付着を防ぐことができる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置のステージ電極の表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ電極20を電極本体21と電極板22とに分割する。電極本体21の周端面21eと電極板22の周端面22eとは互いに面一になっている。ステージ電極20の外周に沿って複数の枠部材30を設ける。これら枠部材30を進退機構5によって退避位置と進出位置との間で進退させる。枠部材30を進出位置に位置させると、枠部材30の位置決め面33が上記周端面21e,22eに当接し、電極板22が位置決めされる。また、枠部材30の段差31によって被処理物9が位置決めされる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置のステージの表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ20を、ステージ本体21とその上側の表面板22とに分割する。ステージ20を挟んで両側には、処理ヘッド10の移動に用いる一対のレール61が設けられている。このレール61上にステージ保守用クレーン30を設置する。クレーン30のフレーム31の一対の支え部32の下端部にスライダ34をそれぞれ設け、これをレール61にスライド可能に嵌合する。フレーム31の天井部33に吊具51を昇降可能に垂下し、これに連結部52を設ける。好ましくは、連結部52をボルト55にて表面板22の端面に連結する。 (もっと読む)


【課題】基板洗浄工程中に電析の発生を防止しつつ基板の状態を観察することが可能な基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発電層が形成された基板12を洗浄する洗浄部と、それらの上流側に設けられて、基板12を基板搬入口から洗浄部に搬入する搬入部と、洗浄された基板12の発電層を乾燥させる乾燥部と、乾燥部の下流側に設けられて乾燥した基板12を基板搬出口へ搬出する搬出部と、基板搬入口を除く搬入部、洗浄部、乾燥部、基板搬出口を除く搬出部内に入射する光を遮断する光遮断手段9と、それに設けられる観察窓10と、観察窓10から入射する光のうち発電層の発電に寄与する波長の少なくとも一部を遮断し、発電層の発電電圧を波長の少なくとも一部を遮光しない場合の発電電圧の1/10以下にする光透過手段と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】穴を有する洗浄対象物を洗浄した場合の洗浄性能を容易に評価することのできる洗浄性能評価用部材及び洗浄性能評価方法を提供する。
【解決手段】模擬的な穴部(50)を形成した洗浄性能評価用部材(10)を洗浄槽(72)内の洗浄液(70)に浸漬し、洗浄槽(72)内の洗浄液(70)に超音波を照射しながら洗浄槽(72)内の減圧及び大気開放を繰り返して洗浄性能評価用部材(10)を洗浄し、この洗浄工程終了後に洗浄性能評価用部材(10)の洗浄性能を液浸透性能又は液交換性能に基づいて評価する。 (もっと読む)


【課題】洗浄対象面内の清浄度およびその均一性を高めさらにメンテナンスも容易なUVオゾン洗浄装置を提供すること。
【解決手段】UV照射室(10)内に2つのUVユニット(20A、20B)を備えており、これらUVユニットは所定の間隔を有するように対向して設けられている。この間隔内には、洗浄対象物(30)が基板搬送部(40)により把持された状態で搬送される。オゾン発生の源となるエアーと不活性ガスの混合ガスは第1および第2のガス供給部(50A、50B)から、UV照射室(10)内に搬送された基板(30)の表面に向けて供給される。ガス排出部(60)は、装置(100)の底部に設けられており、UV照射室(10)内で発生したオゾン含有ガスは、装置上部に設けられた排気ユニット(70A、70B)の作用により、ガス排気経路部(80A、80B)を通ってガス排出部(60)から外部へと排出される。 (もっと読む)


【課題】 基板の全面に対して、ウエット処理を均一に施すことができるようにした噴射式で傾斜搬送型のウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 処理液供給機構4は、傾斜姿勢で水平搬送される基板Wの上方に配置され、基板Wの上面へ向けて噴射する噴射ノズル41は、基板Wの搬送方向(x方向)に延在するスプレーパイプ42に取り付けられている。各スプレーパイプ42は、一つ上方へ隣のスプレーパイプ42との間隔が、下方のスプレーパイプ42より狭い間隔に配置している。また、噴射ノズル41は、下方ほど、ノズル吊下具43を長寸にすることにより、噴射ノズル41と基板Wとの距離を、下方ほど小さくしている。 (もっと読む)


【課題】マスクに形成されたマスク膜のパターン形状を保ちながら、マスク膜に付着したシリコン酸化物を含む異物を除去することができるマスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクルを提供する。
【解決手段】マスクの洗浄方法は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、マスク膜に対するエッチングレートよりも異物に対するエッチングレートが高くなる温度にマスクを保持する工程と、マスクの表面に洗浄ガスを供給して異物をエッチングする工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】凸版印刷などの印刷装置に用いられる刷版を作業性よく簡単に洗浄することができる刷版の洗浄装置及び洗浄方法を提供すること。
【解決手段】容器2の上方に刷版5を吊り下げるための吊り下げ保持部3を設け、刷版5の側部に設けられた被係止部6を吊り下げ保持部3の空間T内に挿入して吊り下げる。そして昇降手段によって刷版5を吊り下げ保持部3とともに下降させ、洗浄液Wに浸漬させることによって刷版5に付着したインキを溶出して除去する。その後、昇降手段により洗浄液Wから刷版5を取り出したならば、第2のモータM2を駆動して、フレーム41をナット43及びスライダ44を介して水平方向に往復移動させる。このとき、ノズル42から洗浄水を刷版5の印刷表面に向かって噴射させながらフレーム41を往復移動させる。これにより、刷版5に残存するインキを除去する。 (もっと読む)


【課題】有機および無機汚染物質を半導体ウェハから清浄化すると同時に、半導体ウェハをマイクロエッチングする方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハをインゴットから薄く切り出した後に、切断流体、並びに切断プロセスにおいて使用されるソウから汚染される金属および金属酸化物を、1種以上の水酸化第四級アンモニウムと、1種以上の水酸化アルカリと、1種以上のミッドレンジアルコキシラートとを、含むアルカリ水溶液により清浄化し、同時にマイクロエッチングする。 (もっと読む)


この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも1つの液体が基板の少なくとも1つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。1つの方法において、液体を提供する前にUV放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される1つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のUV放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び/又は並行して行われてよい。
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平坦な基板の基板表面を基板下面においてプロセス媒質によって処理する方法において、プロセス媒質は、基板表面に対する除去又はエッチング効果を有する。基板は、水平に配置された方式により、下方からプロセス媒質によって湿潤される。上向きの基板上面は、基板上面に対して作用するプロセス媒質に対する保護として、水又は対応する保護液体により、大きなエリアにわたって又はエリアの全体にわたって、湿潤又はカバーされる。
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