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Fターム[5F157AA21]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の形状、形態 (6,397) | 被洗浄物の成分 (1,159)

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【課題】
化合物半導体基板の予備洗浄(プレ洗浄)技術の課題であった、洗浄力不足等の課題を解決すると共に、繰り返し使用時の洗浄スタミナ性を向上させた予備洗浄(プレ洗浄)剤組成物を提供することにある。
【解決手段】
炭化水素、グリコールエーテル、ノニオン性界面活性剤、分岐炭素鎖を有するエタノールアミンを含有する洗浄剤組成物により、研磨処理後の半導体基板、特にGaAs、サファイア、SiCのような化合物半導体と呼ばれる基板、に付着したワックス、研磨剤、パーティクル(研削屑等の異物)の汚れの除去に好適に使用しうるプレ洗浄剤組成物を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】一対の回転ブラシを用いた枚葉式洗浄方法において、半導体用基板の表面について洗浄能力を高めるとともに、半導体用基板の回転駆動手段を省略できるようにする。
【解決手段】半導体用基板1をローラ4により回転自在に支持すると共に、半導体用基板1の表裏面に半導体用基板1の半径範囲に渡って各回転ブラシ2、3を接触させ、同一周速度で互いに逆方向に回転する前記2つの回転ブラシ2、3によって半導体用基板1を回転駆動する枚葉式ブラシ洗浄方法において、半導体用基板1の表面側の回転ブラシ2の周速度に対し、半導体用基板1の裏面側の回転ブラシ3の周速度を低下させ、半導体用基板1に与える総合的回転駆動力を低減させて、半導体用基板1を低速回転させ、半導体用基板1の表面に接触する回転ブラシ2と半導体用基板1の表面との間の周速度差を増大させて、半導体用基板1の表面の洗浄能力を上げ、高清浄度の洗浄を行うようにしている。 (もっと読む)


【課題】半導体基板のリンス処理時に、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜の膜減りを抑制する。
【解決手段】半導体基板(W)上には、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜が形成されている。半導体基板(W)に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 (もっと読む)


【課題】大面積極薄ウェハを洗浄するのに適したスクラブ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】このスクラブ洗浄装置は、極薄ウェハ7の外周縁部が保持されてウェハを水平の状態で回転可能に支持する支持部材8と、支持部材を所定の回転数で回転させる駆動部と、ウェハ表面上に配置されかつウェハ表面に対して平行な回転軸を有するロールブラシ9と、ウェハ表面へ洗浄液10を供給する供給部を備え、ウェハ裏面側へ向け水流等の液体を噴射してウェハ表面の平面状態を維持させるウェハ平面維持手段としてのノズル11が設けられていることを特徴とする。そして、この装置によれば、ウェハ中心部に洗浄液が溜まり易いスクラブ洗浄中においても、ウェハ平面維持手段の作用によりウェハ表面の平面状態が維持されるため良好なスクラブ洗浄を安定して行うことができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面の有機物と金属不純物の両方を除去して清浄化できる方法と、清浄化した酸化物基板に酸化物薄膜を形成する方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、真空雰囲気中に置いた酸化物基板5を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板5の表面から金属不純物を除去する第1の清浄化工程と、前記酸化物基板5の表面に酸素プラズマを接触させて該酸化物基板5の表面から有機系不純物を除去する第2の清浄化工程を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】安定したエッチングレートを得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材30が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Wをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材30の表面をアッシングする。ターゲット材の表面のアッシング工程は、プラズマチャンバ内で生成され、かつターゲット材の表面に付着した各種反応生成物の除去を目的とする。本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを防止しながら表面処理を良好に行うことができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】ノズル3から回転駆動される基板Wの端部(表面周縁部TRおよび該表面周縁部TRに連なる周端面EF)に対して局部的に薬液が供給される。また、基板Wの回転方向Rにおいてノズル3からの薬液が供給される供給位置LPに対して上流側で薬液が供給される直前の直前位置APで基板Wの端部がレーザユニット7から照射されるレーザ光によって局部的に加熱される。これにより、基板Wの端部が薬液処理に応じた温度に昇温する。このため、基板Wの端部が薬液処理に応じた温度に昇温された直後に基板Wの回転により加熱昇温された基板Wの端部に薬液が供給される。 (もっと読む)


【課題】電極無損耗の処理システムとプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】処理システムは、第一流体を利用し、被処理物体に対し処理を実行する。処理システムはベースとプラズマ生成装置を有する。ベースは被処理物体を載置する。プラズマ生成装置は第一流体をイオン化する。プラズマ生成装置は少なくとも一つの導引素子と少なくとも一つの電極素子を有する。導引素子は経路を有し、第一流体は経路に沿って第一位置と第二位置を順に通過する。電極素子は第一電極と第二電極を有し、第一電極は第一位置に対応し、第二電極は第二位置に対応する。第一電極、第二電極は第一位置と第二位置の間の第一流体を励起して第二流体を生成し、第二流体はベース上の物体に対し表面処理、活性化、洗浄、フォトレジスト灰化、あるいは、エッチング処理を実行する。 (もっと読む)


フッ素と、窒素および/またはアルゴンのような不活性ガスとの混合物を、半導体、ソーラーパネル、およびフラットパネル(TFTおよびLCD)をエッチングするため、ならびに半導体表面およびプラズマチャンバーをクリーニングするために使用することができる。二元混合物の中にフッ素が、15〜25容積%の量で含まれているのが好ましい。それらのガス混合物は、NFを含むそれぞれの混合物に対する、代替物またはドロップインとして使用することが可能であり、プラズマ装置の運転を極めてフレキシブルとすることができる。たとえば、NF/Ar混合物用に調整された装置を、さらなる調整をすることなく、フッ素とアルゴン、場合によっては窒素も加えて使用して運転することが可能である。フッ素、窒素およびアルゴンの三元混合物を使用する場合、そのフッ素含量は、1〜5容積%の範囲とするのが好ましい。 (もっと読む)


本開示は、半導体装置の製造中における化学的機械的平坦化(CMP)後の半導体ウエハの洗浄を検討する。金属特に銅の相互接続を含有するウエハのCMP後洗浄のための酸性化学剤が開示されている。残存スラリー粒子、特に銅または他の金属粒子は、金属を有意にエッチングすることなく、表面に付着物を残すことなく、または有意の有機(炭素のような)汚染質を表面に与えることなく、しかも金属を酸化および腐食から保護しながら、表面から除去される。さらに、溶液中の金属イオンを錯化し、誘電体からの金属の除去を促進し、ウエハ上への再付着を防止するために、少なくとも1種の強力なキレート化剤が存在する。酸性化学剤を用いると、CMP後に使用される洗浄溶液のpHをウエハ表面で使用された最後のスラリーのそれとマッチさせることができる。 (もっと読む)


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