【課題】基板の被処理面の背面に使用済みの処理液等の回り込みを防止する。
【解決手段】基板の被処理面を水平に支持した状態で当該被処理面と平行に回転するテーブルを有し、このテーブルに支持された当該基板Ｗの被処理面に所定の処理液を供給した後、この処理液を当該基板Ｗの外周方向に払拭することにより基板処理を行う装置の当該テーブルに、当該基板Ｗを着脱自在に嵌装するための基板装着部を形成しておく。この基板装着部に嵌装された基板Ｗをベルヌーイ吸着させるために当該基板Ｗの被処理面の背面に向けてＮ２ガス等を噴出供給して、このベルヌーイ吸着により生じる当該基板Ｗの変位力により、当該処理液の払拭路と当該被処理面の背面を通過した気体の排出路とを遮へいする。 （もっと読む）

【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記遮蔽扉（３３）に洗浄液を供給する洗浄液供給手段（３６）とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】フットプリントや洗浄時間を増大させることなく、スクラブ洗浄部材への負荷を低減させ、研磨後の基板表面の研磨性能を向上させた洗浄を行う。
【解決手段】移動アーム４８を移動させて、基板Ｗのエッジ上方の退避位置に位置するスクラブ洗浄部材４０を基板Ｗのセンタ上方のスクラブ洗浄位置に移動させ、移動アーム４８の移動に伴って、２流体ノズル７０を該２流体ノズル７０から回転中の基板Ｗの表面に向けて流体を噴出させて該表面の２流体ジェット洗浄を行いながら移動させ、２流体ノズル７０からの流体の噴出を停止させた後、スクラブ洗浄部材４０を基板Ｗの表面に接触させてスクラブ洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の表面に供給された処理液がガラス基板１００の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ５と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】コストの増加を抑制しながら、基板の主面全域を覆う液膜を速やかに形成でき、それによって、基板処理の品質を向上できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持回転機構２，３と、基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出する処理液ノズル１１を有する処理液供給機構４と、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成するのに十分な量の処理液を貯留する処理液溜まり５と、処理液溜まり５に貯留された処理液を一気に基板Ｗの主面に供給することにより、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成する液膜形成ユニット６と、制御ユニット７とを含む。制御ユニット７は、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成させた後に、処理液ノズル１１から基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出させる。 （もっと読む）

【課題】水シミの発生を充分に抑制でき、しかも、安定に連続運転できる水切り乾燥方法を提供する。
【解決手段】処理槽４内の第１の処理液に、物品Ｗを浸漬させたまま、処理槽４内に第２の処理液を供給し、処理槽４の上部から第１の処理液を排出し、処理槽４内の第１の処理液を第２の処理液に置換する。物品Ｗを第２の処理液に浸漬させた状態に維持した後、第２の処理液から物品Ｗを引き上げる。この際に、第１の処理液としてアルコール水溶液を用い、第２の処理液として、フッ素系溶剤とアルコールとの混合液を用いる。 （もっと読む）

【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置は、被処理ウェハＷを保持するウェハ保持部１３０と、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを覆う供給面１４１を備えた洗浄治具１４０とを有している。洗浄治具１４０には、隙間１４２に溶剤を供給する溶剤供給部１５０と、隙間１４２にリンス液を供給するリンス液供給部１５１と、隙間１４２に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１５２とが設けられている。溶剤供給部１５０からの溶剤は表面張力と遠心力により接合面Ｗ_Ｊ上を拡散し、リンス液供給部１５１からのリンス液は溶剤と混合されつつ、表面張力と遠心力により接合面Ｗ_Ｊ上を拡散し、不活性ガス供給部１５２からの不活性ガスによって接合面Ｗ_Ｊが乾燥されて、当該接合面Ｗ_Ｊが洗浄される。 （もっと読む）

【課題】吐出ヘッドを保持するノズルアームに起因した汚染を防止することができる洗浄処理装置および洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】吐出ヘッドを保持するノズルアーム６２は、旋回駆動部６３によって基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗを取り囲む処理カップよりも外側の待機位置との間で移動される。基板Ｗの洗浄処理を行ったノズルアーム６２が待機位置に位置しているときに、シャワーノズル７１から斜め下方のノズルアーム６２に向けて洗浄液が噴出される。斜め下方に向けて噴出される洗浄液の液流を３本のノズルアーム６２が横切るように昇降することにより、３本のノズルアーム６２が順次に洗浄される。その後、乾燥ガスノズル７６からノズルアーム６２に窒素ガスを吹き付けてアームに付着している洗浄液を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】塗布動作を行う際に塗布液がミスト状に飛散する場合がある。ミスト状に飛散した塗布液が装置内部のうち基板以外の部分に付着すると、装置を汚してしまうという問題があるので、装置内の環境を清浄化する。
【解決手段】基板収容装置ＡＣＭは、基板Ｓを保持する基板保持部１０と、前記基板保持部１０に保持された状態の前記基板Ｓを囲うカップ部２０と、前記基板Ｓと前記カップ部２０との間に異物を回収する回収液を供給する回収液供給部３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理流体による液体の除去能力の低下を抑制しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器１では基板Ｗ表面の乾燥防止用の液体に、超臨界状態または亜臨界状態である高圧状態の処理流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行うにあたり、昇圧ポンプ２は供給ライン５１を介して処理容器１に処理流体を供給して高圧状態の処理流体雰囲気とし、次いで、この昇圧ポンプ５１よりも吐出流量の大きな循環ポンプ３にて、処理容器１内の流体を循環ライン５３に循環させた後、処理容器１内の流体を排出ライン５２から排出する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、金属系ウェハのパターン倒れを改善する薬液を提供する。
【解決手段】金属系ウェハ１の、少なくとも凹部４表面に撥水性保護膜１０を形成する薬液であり、撥水性保護膜形成剤が、下記一般式［１］及びその塩から選ばれる少なくとも一つであり、前記薬液中に含まれる溶媒の総量に対する水の濃度が５０質量％以上である。


Ｒ^１は一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基。Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基。ａは０乃至２の整数。 （もっと読む）

【課題】基板を効率よく撥水化することが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】撥水化剤溶液を加温する溶液加温工程と、加温された前記撥水化剤溶液を基板に対して供給する撥水化処理工程と、前記撥水化処理工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス工程と、前記基板を回転させて、前記リンス液を除去する乾燥工程と、を含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊を発生させることなく、短時間で乾燥処理を行う。
【解決手段】ウエハＷを乾燥させる際に、まず、Ｎ2供給ノズル２８からＮ2を供給させた状態で表面にパターンが形成された複数枚のウエハＷを垂直姿勢で保持したリフタ８の表面に対して垂直方向にウエハＷを傾けるように、第１の傾斜手段３３は、リフタ８を制御する。次に、ウエハＷの表面に対して水平方向にリフタ８を傾けるように、第２傾斜手段４０によりリフタ８を制御する。これにより、パターン溝７２に残存した液溜り８０が溝底面７３を流れパターン側面７１から排出されるため、残存した液を効率よく排出できる。 （もっと読む）

【課題】ハウジングの天井面などに処理液や蒸気などが付着しない枚葉式の基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング１と、前記ハウジング１内に基板３を保持する保持手段２と、前記基板３の処理面３ａに対して処理液を供給する供給手段８と、前記ハウジング１内に気体を取り込む取り込み口１ａと、前記ハウジング１内の処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出する排出口１ｃとを備え、前記保持手段２は前記処理面３ａを前記ハウジング１の底部１ｂに向けて前記基板３を保持し、前記取り込み口１ａから前記排出口１ｃへ向かう気流を形成し、前記気流によって処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の下面を効率良く洗浄することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置（１０）は、基板保持機構に保持された基板（Ｗ）の下面の下方に位置して基板の下面に処理液を吐出するノズル（６０）を備える。ノズルは基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の第１の吐出口（６１）を有している。第１吐出口は、基板の下面に向けて吐出される処理液の吐出方向が基板の回転方向の成分を持つように形成されている。 （もっと読む）

【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水ＰＷを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器１１０と、水蒸気発生容器１１０に純水ＰＷを供給する純水供給部４００と、水蒸気発生容器１１０で発生した飽和水蒸気ＳＶを加熱して過熱水蒸気ＨＶを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器１５０と、過熱水蒸気生成容器１５０で発生した過熱水蒸気ＨＶを基板Ｗの表面に噴射させる基板処理装置３００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】極微細構造体のダメージや破損を防止して、効率よく乾燥処理が行える乾燥処理装置および乾燥処理方法を提供する。
【解決手段】被乾燥物を配置し乾燥を行う処理槽１と、少なくともこの処理槽１に第１の流体と第２の流体を供給する流体源３１，３２を有し、前記第１の流体は第２の流体と親和性を有しかつ水より表面張力の小さい液体であり第２の流体は超臨界ないし亜臨界状態にすることが可能な流体であり、処理槽１内に第１の流体を導入して被乾燥物２を配置するかあるいは処理槽内に被乾燥物２を配置して第１の流体を導入し、前記第１の流体を排出して処理槽に超臨界ないし亜臨界状態の第２の流体を導入するか液体状態の第２の流体を導入して超臨界ないし亜臨界状態とし、前記第２の流体を液相を介することなく気化して乾燥処理を行う極微細構造体の乾燥処理装置および方法とした。 （もっと読む）

【課題】 少ないアンモニアの使用量で半導体ウエハを効果的に洗浄する方法を提供すること。
【解決手段】 電気伝導度が１μＳ／ｃｍ以下である純水にアンモニアを添加してその濃度を０．００５〜０．５％としたアンモニア水中において生成させた、粒径が５０μｍ以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において１０〜１５μｍに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が１０００個／ｍＬ以上である、空気および／または不活性気体を含有する微小気泡を含むアンモニア水を、半導体ウエハの表面に接触させて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１の剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間で被処理ウェハＷを搬送する第２の搬送装置３２と、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷの接合面を支持し、且つ被処理ウェハの接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面を保持するベルヌーイチャック２３１とを有し、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転自在になっている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４を備え、且つ当該被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１を備え、且つ当該支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の鉛直移動部１５１と第２の鉛直移動部１５２とを備えた移動機構１５０とを有している。第１の鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離するように、第２の保持部１１１の外周部を保持して鉛直方向に移動させる。 （もっと読む）